NL8003336A - METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE. - Google Patents
METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8003336A NL8003336A NL8003336A NL8003336A NL8003336A NL 8003336 A NL8003336 A NL 8003336A NL 8003336 A NL8003336 A NL 8003336A NL 8003336 A NL8003336 A NL 8003336A NL 8003336 A NL8003336 A NL 8003336A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- deuterons
- implanted
- gallium arsenide
- specific resistance
- substrate body
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/2654—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
1 * 1.0.29.173 * ,1 * 1.0.29.173 *,
Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichtingA method of manufacturing a semiconductor device
De uitvinding heeft in het bijzonder betrekking op een werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen van galliumarsenide en andere verwante verbindingen en gemengde kristallen die een elektrisch gedrag vertonen dat overeenkomt met dat 5 van galliumarsenide.The invention particularly relates to a process for the manufacture of semiconductor devices of gallium arsenide and other related compounds and mixed crystals exhibiting an electrical behavior corresponding to that of gallium arsenide.
Galliumarsenide en de hierboven genoemde verwante materialen worden steeds belangrijker als halfgeleidermaterialen, meer in het bijzonder voor inrichtingen die werken met frequenties die overeenkomen met het microgolfgebied van het elektromagnetische spectrum, 10 en in optische inrichtingen, zoals licht-uitzendende dioden, lasers en fotodioden.Gallium arsenide and the related materials mentioned above are increasingly important as semiconductor materials, more particularly for devices operating at frequencies corresponding to the microwave region of the electromagnetic spectrum, and in optical devices such as light-emitting diodes, lasers and photodiodes.
Toor het vervaardigen van zulke inrichtingen kan het noodzakelijk zijn gebieden met een grote soortelijke weerstand te vormen in een substraat dat in het algemeen een lagere soortelijke weer-1 5 stand bezit. Eén manier om dit te doen is het beschieten van geschikte gebieden van een lichaam van galliumarsenide met protonen door een masker dat is aangebracht op het oppervlak van het lichaam van galliumarsenide met behulp van werkwijzen die in de half-geleidertechniek bekend zijn. Alhoewel de op deze wijze verkregen 20 inrichtingen nuttig zijn tengevolge van de betrekkelijk grote beweeglijkheid van protonen in galliumarsenide, bedraagt de maximale temperatuur waarbij uit galliumarsenide bestaande inrichtingen waarin protonen zijn geïmplanteerd continu kunnen werken ongeveer 300°C. Bij werktemperaturen die in de buurt van deze temperatuur 25 komen worden defecten in het galliumarsenide rooster, waarmede de protonen zijn verbonden, ontlaten,waardoor de opvangplaatsen voor dragers die worden gevormd door de complexen van door protonen veroorzaakte defecten verloren gaan en het specifieke geleidingsvermo-gen toeneemt.Tenslotte werkt de inrichting niet meer.For the manufacture of such devices, it may be necessary to form regions of high resistivity in a substrate that generally has a lower resistivity. One way of doing this is to bombard appropriate areas of a gallium arsenide body with protons through a mask applied to the surface of the gallium arsenide body using methods known in the semiconductor art. Although the devices obtained in this way are useful due to the relatively high proton mobility in gallium arsenide, the maximum temperature at which gallium arsenide devices in which protons are implanted can operate continuously is about 300 ° C. At operating temperatures close to this temperature, defects in the gallium arsenide lattice, to which the protons are attached, are annealed, resulting in loss of support sites for carriers formed by the complexes of proton-induced defects and specific conductivity. Finally, the device no longer works.
50 In de op 7 februari 1979 ingediende Nederlandse octrooiaanvrage 7904542 wordt een werkwijze beschreven voor de vorming van gebieden met een hoge specifieke· weerstand in een substraatlichaam van half-geleidermateriaal van het hierboven aangegeven type, waarbij protonen in de genoemde gebieden van het substraat worden geïmplan-55 teerd met energieën met een maximale waarde die overeenkomt met een gewenste doordringingsdiepte van de protonen in het substraat en in de genoemde gebieden van het substraat deuteronen worden geïmplan- 8003336 t 2 teerd met energieën die zodanig zijn dat dezelfde doordringingsdiepte wordt verkregen als bij de protonen.Dutch patent application 7904542, filed on February 7, 1979, describes a method for forming regions with a high specific resistance in a substrate body of semiconductor material of the type indicated above, wherein protons are implanted in the said regions of the substrate. -55 is energized with a maximum value corresponding to a desired depth of penetration of the protons in the substrate and implanted in said regions of the substrate deuterons- 8003336 t 2 is energized such that the same depth of penetration is obtained as with the protons.
Ook wordt een soort halfgeleiderinrichting geopenbaard die is vervaardigd van een lichaam van halfgeleidermateriaal dat volgens 5 de uitvinding Is behandeld.Also, a kind of semiconductor device is disclosed which is made of a body of semiconductor material treated according to the invention.
De gebieden met een hoge specifieke weerstand verkregen met de bovengenoemde werkwijze bezitten een uitmuntende temperatuurs-stabiliteit en de inrichtingen zijn derhalve geschikt voor gebruik onder extreme omstandigheden. De werkwijze is echter langdurig en 10 dientengevolge zijn de ermede verkregen inrichtingen duur, hetgeen een belemmering zou kunnen zijn voor de toepassing van deze inrichtingen in huishoudelijke elektronische apparaten waarvan de prijs een belangrijk aspect is en stabiliteit bij hoge temperaturen niet noodzakelijk is.The high specific resistance areas obtained by the above method have excellent temperature stability and the devices are therefore suitable for use under extreme conditions. However, the process is lengthy and, as a result, the devices obtained therefrom are expensive, which could hinder the use of these devices in household electronic devices, the price of which is an important aspect and high temperature stability is not necessary.
15 Yolgens de uitvinding wordt een werkwijze verschaft voor de vorming van gebieden met een hoge specifieke weerstand in een half-geleidezjsubstraat-lichaam van het hierboven aangegeven type, welke werkwijze bestaat uit het in het substraat-lichaam implanteren van uitsluitend deuteronen met energieën met een maximale waarde die 20 overeenkomt met een gewenste doordringingsdiepte in het substraat-lichaam.In accordance with the invention there is provided a method of forming regions of high specific resistance in a semiconductor substrate body of the type indicated above, which method comprises implanting only deuterons with energies of maximum energy in the substrate body. value corresponding to a desired penetration depth in the substrate body.
De toeneming van de specifieke weerstand houdt verband met de hoeveelheid deuteronen die in het substraat-lichaam zijn geïmplan- 12 16 teerd. Een geschikt doseringstraject ligt tussen 10 en 10 deute- 2 t / 25 ronen per cm ; een de voorkeur verdienende dosis met een enkele 13 14* 2 energie is ongeveer 10 ' tot 10 ^ deuteronen per cm . Yoor het vormen van een gebied met een grote specifieke weerstand en een diepte van ongeveer 10 /urn verdient het de voorkeur een implanteringsdosis toe te passen tot 10 v/cm met energieè'n die variëren van 0,1 tot 1,0 MeY. 30 Alhoewel het met de werkwijze volgens de uitvinding verkregen materiaal met een grote specifieke weerstand niet exact dezelfde stabiliteit bij hoge temperatuur kan bezitten als het materiaal dat is verkregen met de werkwijze die het onderwerp vormt van de eerdere hierboven genoemde octrooiaanvrage, is het eerstgenoemde materiaal 35 volledig geschikt voor toepassing onder minder extreme omstandigheden en de thans voorgestelde werkwijze is goedkoper dan de vroeger beschreven werkwijze, waardoor goedkopere inrichtingen kunnen worden vervaardigd. Aangezien meer in het bijzonder in de meeste gevallen deuteronendoses kunnen worden toegepast die ongeveer twee grootte-40 orden kleiner zijn dan de overeenkomstige protonendoses, kan een 8003336 5 aanzienlijke vergroting van de produktiesnelheid worden verkregen.The increase in specific resistance is related to the amount of deuterons implanted in the substrate body. A suitable dosage range is between 10 and 10 deut, 2 to 25 roons per cm; a preferred dose with a single 13 14 * 2 energy is about 10 'to 10 ^ deuterons per cm. For forming an area of high specific resistance and a depth of about 10 µm, it is preferable to use an implantation dose up to 10 v / cm with energies ranging from 0.1 to 1.0 MeY. Although the material with a high specific resistance obtained by the method according to the invention cannot have exactly the same high temperature stability as the material obtained by the method which is the subject of the above-mentioned patent application, the former material is fully suitable for use under less extreme conditions and the currently proposed method is cheaper than the previously described method, allowing cheaper devices to be manufactured. More particularly, since in most cases deuterone doses can be used which are about two orders of magnitude less than the corresponding proton doses, a significant increase in production rate can be obtained.
De uitvinding zal nu bij wijze van voorbeeld worden beschreven aan de hand van de bijgevoegde tekeningen, waarin fig. i een schematische weergave is van een inrichting waarin 5 de werkwijze volgens de uitvinding kan worden toegepast, fig. 2 een andere uitvoeringsvorm weergeeft van een onderdeel van de inrichting van fig. 1, en fig. 3 een grafische voorstelling is waarin de specifieke weerstand van galliumarsenide waarin deuteronen zijn geïmplanteerd 10 wordt vergeleken met de specifieke weerstand van galliumarsenide waarin protonen zijn geïmplanteerd.The invention will now be described by way of example with reference to the annexed drawings, in which fig. 1 is a schematic representation of a device in which the method according to the invention can be applied, fig. 2 shows another embodiment of a part of the device of FIG. 1, and FIG. 3 is a graphical representation comparing the specific resistance of gallium arsenide implanted with deuterons to the specific resistance of gallium arsenide implanted with protons.
In fig. 1 is een lichaam 1 van galliumarsenide getekend waarin een gebied 2 met een grote specifieke weerstand moet worden gevormd tussen twee gebieden 3 met een lage specifieke weerstand, als een 15 deel van de werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleider-inrichting. Het lichaam 1 is opgesteld op een werktafel 4 die door een niet in de tekening weergegeven mechanisme met verschillende snelheden kan worden bewogen. Aan de tafel is boven het lichaam 1 een schaduwmasker 5 bevestigd dat het gebied 2 blootstelt aan de 20 inwerking van een deuteronenbundel 6 afkomstig van een niet in de tekening weergegeven moleculaire bron. Het schaduwmasker 5 is voldoende dik voor het tegenhouden van de deuteronen met de grootste energie in de bundel 6. Een andere wijze van maskeren, die niet in de tekening is weergegeven, bestaat uit het neerslaan van maskerings-25 materiaal op het oppervlak van het lichaam 1, behalve op het gebied 2. Boven de beweegbare tafel 4 is een stationaire wig 7 aangebracht die wordt ondersteund door een dun substraat 8 en is verbonden met een scherm 9 da.t het mogelijk maakt de bundel 6 uitsluitend via de wig 7 naar het lichaam 1 te laten gaan. De dikte van de wig 7 is op 30 verschillende plaatsen verschillend, waardoor deuteronen met een energie van ongeveer 2,0 MeV in de bundel 6} die de wig en het substraat 8 zijn gepasseerd, energieën bezitten die variëren van 1,0 MeV bij het dunste uiteinde van de wig tot 0,1 MeV bij het dikste uiteinde.In Fig. 1, a body 1 of gallium arsenide is shown in which a region 2 of high specific resistance is to be formed between two regions 3 of low specific resistance, as part of the method of manufacturing a semiconductor device. The body 1 is arranged on a work table 4 which can be moved at different speeds by a mechanism not shown in the drawing. A shadow mask 5 is attached to the table above the body 1, which exposes the region 2 to the action of a deuteron beam 6 from a molecular source not shown in the drawing. The shadow mask 5 is thick enough to retain the deuterons with the greatest energy in the beam 6. Another method of masking, not shown in the drawing, is the deposition of masking material on the surface of the body 1, except in the area 2. Above the movable table 4, a stationary wedge 7 is mounted which is supported by a thin substrate 8 and is connected to a screen 9 which allows the bundle 6 to pass through the wedge 7 only to the to let body 1 go. The thickness of the wedge 7 is different in 30 different places, so that deuterons with an energy of about 2.0 MeV in the beam 6} that have passed the wedge and the substrate 8 have energies ranging from 1.0 MeV at thinnest end of the wedge to 0.1 MeV at the thickest end.
35 Als' derhalve het lichaam 1 door de bundel heen beweegt wordt het blootgesteld aan de implantatie van deuteronen met een continu afnemende energie en hierdoor en door het regelen van de snelheid van de beweging van de tafel 4 wordt de gewenste dosis deuteronen geïmplanteerd met energieën die variëren van 0,1 tot 1,0 MeV, zodat 40 een uniform gebied 2 wordt gevormd met een grote specifieke weer- 800 33 36 4 A· i stand en de gewenste dikte, dat wil zeggen ongeveer 10 /um.Therefore, as the body 1 moves through the beam, it is exposed to the implantation of deuterons with a continuously decreasing energy and thereby and by controlling the speed of the movement of the table 4, the desired dose of deuterons is implanted with energies that range from 0.1 to 1.0 MeV, so that a uniform region 2 is formed with a large specific resistance and the desired thickness, i.e., about 10 µm.
De deuteronenbundel 6 bezit een bundel-stroom tot 0,2ƒuA/cm ; deze beperking is noodzakelijk ter voorkoming van een ongeschikte verhitting van het lichaam 1, door welke verhitting de door de 5 straling veroorzaakte defecten die het gevolg zijn van de beschieting en die verondersteld worden de voornaamste oorzaak te zijn van de effecten van de werkwijze volgens de uitvinding, zouden kunnen 15 2 worden ontlaten. Ionendoses van 10 "7cm kunnen in ongeveer 15 mi- 13 2 nuten worden geïmplanteerd en een dosis van 10 vcm in minder dan 10 10 seconden. In een lichaam 1 van galliumarsenide dat is gedoopt tot een concentratie van ongeveer 10 /get kan derhalve een gebied 2 met een grote specifieke weerstand en een diepte van ongeveer 10ƒ urn worden gevormd in ongeveer 15 minuten. Nadat de implantatie in het lichaam 1 is voltooid wordt het uit het apparaat genomen en op de normale wijze bewerkt ter verkrijging van een halfgeleiderinriehting.The deuteron beam 6 has a beam current of up to 0.2 µA / cm; this limitation is necessary to prevent inadequate heating of the body 1, through which heating the radiation-induced defects resulting from the bombardment and which are believed to be the main cause of the effects of the method of the invention , 15 2 could be tempered. Ion doses of 10 "7cm can be implanted in about 15 minutes and a dose of 10vcm in less than 10 seconds. Thus, in a body 1 of gallium arsenide dipped to a concentration of about 10 / get, an area of 2 with a high specific resistance and a depth of about 10 µm are formed in about 15 minutes After the implantation in the body 1 is completed, it is taken out of the device and processed normally to obtain a semiconductor device.
In sommige gevallen is een bundel van deuteronen met ée'n enkele energie voldoende voor toepassing van de werkwijze en in zulke gevallen kunnen de wig 7 en het voortbewegen van de tafel 4 komen te vervallen.In some cases, a bundle of single energy deuterons is sufficient for application of the method and in such cases the wedge 7 and the advancement of the table 4 may be omitted.
20 In enkele geschikte gevallen kan het mogelijk zijn het lichaam 1 te behandelen door het slechts enige seconden aan de deuteronenbundel bloot te stellen. Verschillende enkelvoudige energiewaarden kunnen,als dit noodzakelijk is,worden toegepast.In some suitable cases it may be possible to treat the body 1 by exposing it to the deuterone beam for only a few seconds. Different single energy values can be used if necessary.
In een andere inrichting die niet in de tekening is weergegeven, 25 is het lichaam 1 stationair en wordt een wig die overeenkomt met de wig 7, door de bundel bewogen ter verkrijging van dejhierboven beschreven effecten.In another device not shown in the drawing, the body 1 is stationary and a wedge corresponding to the wedge 7 is moved through the beam to obtain the effects described above.
lig. 2 geeft een andere wijze weer waarop een verandering van de energie van de te implanteren deuteronen kan worden verkregen.lie. 2 shows another way in which a change in the energy of the deuterons to be implanted can be obtained.
30 De wig 7 is vervangen door een samenstel 10 van folien met gelijke dikte die in feite een getrapte wig vormen. Deze getrapte wig wordt op precies dezelfde wijze toegepast als de continu veranderende wig 7 die hierboven is beschreven.The wedge 7 has been replaced by an assembly 10 of foils of equal thickness which in fact form a stepped wedge. This stepped wedge is used in exactly the same way as the continuously changing wedge 7 described above.
Al deze inrichtingen kunnen worden gebruikt bij het behandelen 35 van andere halfgeleidermaterialen dan galliumarsenide en daarmede verwante materialen, en met andere bundels dan deuteronenbundels, en voor het verkrijgen van bundels met meer dan een enkele energie zonder instelling van de versnellingspotentialen.All of these devices can be used in treating semiconductor materials other than gallium arsenide and related materials, and with beams other than deuterone beams, and to obtain beams with more than a single energy without adjusting the acceleration potentials.
Men heeft gevonden dat de uiteindelijke specifieke weerstand 40 van het geïmplanteerde materiaal zowel afhankelijk is van de aard 800 3 3 36 5 v als van de concentratie van de doopstof in het uitgangsmateriaal.It has been found that the final specific resistance 40 of the implanted material depends both on the nature of 800 3 3 36 5 v and on the concentration of the dopant in the starting material.
Een spreiding van de specifieke weerstand van het geïmplanteerde materiaal kan optreden over 4én orde van grootte, zoals blijkt uit tabel A. Deze tabel vermeldt de oorspronkelijke en de uiteindelijke 5 specifieke weerstand van een aantal verschillende monsters gallium-arsenide. Zelfs de laagste vermelde waarde van de uiteindelijke specifieke weerstand is ongeveer acht grootte-orden groter dan de specifieke weerstand van het uitgangsmateriaal. Dit is voor de vervaardiging van de meeste inrichtingen volledig voldoende. De tabel 10 geeft ook de temperatuur aan waarbij de inrichtingen defect raken.A spread of the specific resistance of the implanted material can occur over one order of magnitude, as shown in Table A. This table lists the original and final specific resistance of a number of different samples of gallium arsenide. Even the lowest reported value of the final specific resistance is about eight orders of magnitude greater than the specific resistance of the starting material. This is quite sufficient for the manufacture of most devices. Table 10 also indicates the temperature at which the devices fail.
Men ziet dat ook dit voor de meeste doeleinden voldoende is.This is also seen to be sufficient for most purposes.
TABEL ATABLE A
Materiaal GaAs GaAs GaAs GaAs GaAs GaAs GaAs 15 Doopstof Te Ge Te/Co Sn Se S SiMaterial GaAs GaAs GaAs GaAs GaAs GaAs GaAs 15 Baptism Te Ge Te / Co Sn Se S Si
Concentratie (cm^ P 1018 2x1017 1018 6x106 5x1018 5x1016 2x1018Concentration (cm ^ P 1018 2x1017 1018 6x106 5x1018 5x1016 2x1018
Oorspronkelyke specifieke on weerstand · o o o o i> 1 o (Λ. cm) 10’* 10"* 10”* 10’* 10"* 10’1 10"*Originally specific resistance · o o o o i> 1 o (Λ. Cm) 10 "* 10" * 10 "* 10" * 10 "* 10" 1 10 "*
iq13 iq13 iq1J iq1J iq1J iq13 1q1Jiq13 iq13 iq1J iq1J iq1J iq13 1q1J
Uiteindelyke specifieke 25 weerstand HÜ. cm) 1,6 16,0 25,0 75,0 5,0 86,0 80,0Final specific resistance HÜ. cm) 1.6 16.0 25.0 75.0 5.0 86.0 80.0
Ontlaattemperatuur (defect) ( °C) 400 600 500 600 400 600 450 50 In fig. 5 is de verandering van de specifieke weerstand van galliumarsenide weergegeven als een functie van de ionendosis, zowel voor protonen als deuteronen. Men ziet, dat deuteronen een maximale specifieke weerstand geven die ongeveer achtmaal groter is dan de door protonen-implantatie verkregen maximale specifieke weer-55 stand, waarbij de deuteronendosis twee grootte-orden kleiner is dan de protonendosis.Tempering Temperature (Defect) (° C) 400 600 500 600 400 600 450 50 Figure 5 shows the change in gallium arsenide specific resistance as a function of ion dose, both for protons and deuterons. It can be seen that deuterons give a maximum specific resistance about eight times greater than the maximum specific resistance obtained by proton implantation, the deuterone dose being two orders of magnitude less than the proton dose.
80033368003336
Claims (8)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB7920387 | 1979-06-12 | ||
| GB7920387 | 1979-06-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8003336A true NL8003336A (en) | 1980-12-16 |
Family
ID=10505786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8003336A NL8003336A (en) | 1979-06-12 | 1980-06-06 | METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS562627A (en) |
| DE (1) | DE3021915A1 (en) |
| FR (1) | FR2458899A1 (en) |
| NL (1) | NL8003336A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3705295A1 (en) * | 1987-02-19 | 1988-09-01 | Kernforschungsz Karlsruhe | DEVICE FOR DEPTH-DEPENDENT IMPLANTATION OF PARTICLES IN A TARGET |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1334520A (en) * | 1970-06-12 | 1973-10-17 | Atomic Energy Authority Uk | Formation of electrically insulating layers in semiconducting materials |
| US3700978A (en) * | 1971-03-18 | 1972-10-24 | Bell Telephone Labor Inc | Field effect transistors and methods for making field effect transistors |
| BE791929A (en) * | 1971-12-02 | 1973-03-16 | Western Electric Co | PROCESS FOR MANUFACTURING INSULATING REGIONS IN A SEMICONDUCTOR BODY |
| FR2180540A1 (en) * | 1972-04-20 | 1973-11-30 | Favennec Pierre N | Semiconductor devices prodn - by ion implantation |
| FR2257998B1 (en) * | 1974-01-10 | 1976-11-26 | Commissariat Energie Atomique | |
| GB2014363B (en) * | 1978-02-13 | 1982-06-03 | Dearnaley G | Semiconductor devices |
-
1980
- 1980-06-06 NL NL8003336A patent/NL8003336A/en not_active Application Discontinuation
- 1980-06-11 DE DE3021915A patent/DE3021915A1/en not_active Withdrawn
- 1980-06-11 FR FR8012984A patent/FR2458899A1/en active Granted
- 1980-06-12 JP JP7958580A patent/JPS562627A/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS562627A (en) | 1981-01-12 |
| FR2458899B1 (en) | 1984-01-06 |
| FR2458899A1 (en) | 1981-01-02 |
| DE3021915A1 (en) | 1981-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4452644A (en) | Process for doping semiconductors | |
| US3829333A (en) | Method for diffusing an impurity substance into silicon carbide | |
| DE3047297A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR COMPONENTS | |
| JPS605538A (en) | Method of producing semiconductor device | |
| US6232207B1 (en) | Doping process for producing homojunctions in semiconductor substrates | |
| US4394180A (en) | Method of forming high resistivity regions in GaAs by deuteron implantation | |
| US4290825A (en) | Semiconductor devices containing protons and deuterons implanted regions | |
| DE112019001415T5 (en) | Carrier plate for local heating in thermal processing systems | |
| NL8003336A (en) | METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE. | |
| JPS6271217A (en) | Manufacture of semiconductor thin film | |
| US4479829A (en) | Method for making high resistance chromium-free semiconductor substrate body with low resistance active semiconductor layer by surface irradiation | |
| JPH0851084A (en) | Manufacturing process of dope diamond | |
| Wallace et al. | Dynamic annealing in Ge studied by pulsed ion beams | |
| Yuba et al. | Ion Beam Etching of InP. I. Ar Ion Beam Etching and Fabrication of Grating for Integrated Optics | |
| Bayazitov et al. | Formation of heavily doped semiconductor layers by pulsed ion beam treatment | |
| Wiecek et al. | Ion implantation of CdTe single crystals | |
| Komarov et al. | Formation of InAs nanoclusters in silicon by high-dose ion implantation: Experimental data and simulation results | |
| GB2052861A (en) | Semiconductor devices | |
| Nagornykh et al. | Distribution of D1 dislocation luminescence centers in Si+-implanted silicon and the photoluminescence model | |
| Duan et al. | Fabrication and characterization of heavily doped n-type GaAs for mid-infrared plasmonics | |
| Tatarkiewicz | Hydrogen implantation in semiconductors | |
| Dearnaley et al. | Semiconductor devices | |
| RU2284610C1 (en) | Method for producing high-power and high-temperature semiconductor resistor | |
| Bontemps et al. | Laser annealing of Bi‐implanted ZnTe | |
| Houghton et al. | Diffusion of zinc into ion-implanted gallium arsenide |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| CNR | Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection) |
Free format text: UNITED KINGDOM ATOMIC ENERGY AUTHORITY |
|
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| BV | The patent application has lapsed |