NL7907294A - PRESSURE GAUGE WITH A STRETCH RECORDER. - Google Patents
PRESSURE GAUGE WITH A STRETCH RECORDER. Download PDFInfo
- Publication number
- NL7907294A NL7907294A NL7907294A NL7907294A NL7907294A NL 7907294 A NL7907294 A NL 7907294A NL 7907294 A NL7907294 A NL 7907294A NL 7907294 A NL7907294 A NL 7907294A NL 7907294 A NL7907294 A NL 7907294A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- substrate
- resistors
- clamped
- membrane
- screen printing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C10/00—Adjustable resistors
- H01C10/10—Adjustable resistors adjustable by mechanical pressure or force
- H01C10/106—Adjustable resistors adjustable by mechanical pressure or force on resistive material dispersed in an elastic material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/006—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of metallic strain gauges fixed to an element other than the pressure transmitting diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
- G01P15/123—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
Description
* ïr.f -1- T93^2/Ti/M/vL·* ïr.f -1- T93 ^ 2 / Ti / M / vL
Aanvraagster: Fabbriea.Italiana Magneti Marelli S.p.A.Applicant: Fabbriea.Italiana Magneti Marelli S.p.A.
Via Guastalla 2, Milaan, ItaliëVia Guastalla 2, Milan, Italy
Korte aanduiding: Drukmeter met een rekstrookopnemerShort indication: Pressure gauge with a strain gauge sensor
De uitvinding beeft betrekking op een drukmeter met een rekstrook-opnemer, en in het bijzonder van de soort met een aan de te meten druk onderworpen vervormbaar substraat met daarop een rekstrookje, en een elektrische keten, die in staat is de weerstandsveranderingen daarvan in over-5 eenstenming met de rek van het substraat vast te stellen.The invention relates to a pressure gauge with a strain gauge sensor, and in particular of the type with a deformable substrate subjected to the pressure to be measured, with a strain gauge thereon, and an electrical circuit capable of changing the resistance thereof 5 Determine unity with the elongation of the substrate.
In deze inrichtingen geeft de rek, die wordt-veroorzaakt door de uitoefening van een druk of belasting op het substraat, een verandering in de afmetingen van de weerstanden' en van de elektrische eigenschappen daarvan en dienovereenkomstig een verandering van de weerstandswaarde daarvan.In these devices, the strain caused by the application of a pressure or load to the substrate changes the size of the resistors and their electrical properties, and accordingly changes the resistance value thereof.
10 Een dergelijke, verandering wordt waargenomen door een met de weer standen verbonden elektrische of elektronische keten .ter verkrijging van signalen, die evenredig zijn met de rek van het substraat en dienovereenkomstig met de daarop uitgeoefende druk.Such a change is sensed by an electrical or electronic circuit connected to the resistors to obtain signals proportional to the elongation of the substrate and corresponding to the pressure applied thereto.
De bekende inrichtingen voor het meten van drukken of spanningen 15 gebruiken voor de rekopnemers metalen. draden, ononderbroken..metalen films, discontinue metalen films, cermets en. halfgeleiders.The known devices for measuring pressures or stresses use metals for the strain gauges. wires, continuous..metal films, discontinuous metal films, cermets and. semiconductors.
Het effekt van de verandering in elektrisch weerstandswaarde van de genoemde elementen als gevolg van rek is bekend als "rekweerstand" of "piëzoweerstand".The effect of the change in electrical resistance value of said elements due to elongation is known as "elongation resistance" or "piezo resistance".
20 Een ideale, rekopnemer moet uiteraard een belangrijk, piëzoweerstands- effekt met een lage warmteweerstandseffekt hebben. In het bijzonder moet het voor het eerste effekt (rekgevoeligheid) een hoge opneemfaktor GF = (waarin Ro en R resp. de weerstandswaarden zijn van de ongerekte S Ro ^ 1 en gerekte weerstanden en € = —— de relatieve verlenging van het ele- 25 ment is) hebben en voor het tweede effekt (thermische stabiliteit) moet het /\ voor zowel de temperatuurcoeffieient van de weerstand TCR = p a m (waarin —-— de relatieve weerstandsverandering is voor een temperatuursver ande-20 An ideal rack sensor must of course have an important piezo-resistance effect with a low heat-resistance effect. In particular, for the first effect (strain sensitivity), it must be a high recording factor GF = (where Ro and R are the resistance values of the unstretched S Ro1 and stretched resistors and the relative elongation of the element and for the second effect (thermal stability) it must be / \ for both the temperature coefficient of the resistance TCR = pam (where -—— is the relative resistance change for a temperature change.
ring Δ t) als voor de temperatuurcoeffieient van de opneemfaktor GF GFring Δ t) as for the temperature coefficient of the recording factor GF GF
——w—— (waarin ——— de relatieve verandering van GF is voor een Ur 1 Gr 30 temperatuursverandering Δ1) lage waarden hebben.——W—— (where ——— the relative change of GF for a Ur 1 Gr 30 temperature change Δ1) have low values.
In het algemeen zijn de eigenschappen van bekende rekopnemers steek afhankelijk van de struktuur en samenstelling van de gebruikte weerstanden.In general, the properties of known strain gauges depend on the structure and composition of the resistors used.
790 72 94 » — ♦ -2-790 72 94 »- ♦ -2-
De waarden Tan de meest "belangrijke coëfficiënten Toor de "bekende rekopnemers van de voornoemde soort is in de hierna volgende tabel getoond.The values of the most "important coefficients for the" known strain gages of the aforementioned kind are shown in the table below.
. . . 1AB1L............. . . 1AB1L ............
5 Weerstanden GF TCR TCGF Lange termijn .......ppm/°C.........ppm/?C......stabiliteit5 Resistances GF TCR TCGF Long term ....... ppm / ° C ......... ppm /? C ...... stability
Metaaldraden 2-5 20-4000 . 20-100 . UitmuntendMetal wires 2-5 20-4000. 20-100. Excellent
Ononderbroken metaalfilms 2-5 20-4000 . 20-100 Goed 10 Onderbroken metaalfilms· 100' . 1000 --- Zeer slechtContinuous metal films 2-5 20-4000. 20-100 Good 10 Interrupted metal films · 100 '. 1000 --- Very poor
Cermet 100 1000 --- SlechtCermet 100 1000 --- Bad
Halfgeleiders . 40-175 400-9000'.........200-5000.......GoedSemiconductors. 40-175 400-9000 '......... 200-5000 ....... Good
Uit de vergelijking van de eigenschappen blijkt.,., dat discontinue 15 metaalfilms en. cermets geen. breed; toepassingsgebied kunnen hebben, tengevolge van de onvoldoende tijdafhankelijke stabiliteit van de elektrische en piëzoweerstandeigenschappen. Metaaldraden., en continue metaalfilms worden gebruikt indien de rekgevóeligheid (GF) geen kritische eis is maar een goed thermisch gedrag essentieel is (lage TCR en TCGF), terwijl half-20 geleiders worden gebruikt voor de hoge,rekgevóeligheid daarvan, hoewel tengevolge van.de hoge waarde van. TCR en TCGF het vaak noodzakelijk is uitgebreide en dure temperatuurccmpensatiemiddelen, daarbij..,te gebruiken.From the comparison of the properties it appears that discontinuous metal films and. cermets none. wide; due to the insufficient time-dependent stability of the electrical and piezo-resistance properties. Metal wires and continuous metal films are used if the elongation sensitivity (GF) is not a critical requirement but good thermal behavior is essential (low TCR and TCGF), while semiconductors are used for their high elongation sensitivity, although due to. the high value of. TCR and TCGF it is often necessary to use extensive and expensive temperature compensation means, thereby ...
Bij gebruik van .rekopnemers met.: een...mataalf ilm. of. halfgeleider is het verder moeilijk om een. goede aanpassing te. vinden tussen het substraat 25 en de·rekopnemer. Beide moeten,dezelfde, thermische, lineaire..uitzettings-coëfficiënt hebben.ter vermijding, van het.optreden van een. ogenschijnlijke rek (niet tengevolge van het optreden van. mechanische, rek) .tengevolge van de relatieve .verlengingen, door temperatuursveranderingen indien het substraat en de rekopnemer verschillende thermische uitzettingscoëffi-30 ciënten hebben.When using rack sensors with: a ... metal film. or. semiconductor it is further difficult to find one. good adjustment too. between the substrate 25 and the rack sensor. Both must have the same thermal, linear expansion coefficient to avoid the occurrence of one. apparent elongation (not due to the occurrence of mechanical elongation) due to the relative elongations, due to temperature changes if the substrate and the elongation sensor have different thermal expansion coefficients.
De uitvinding heeft ten doel een. inrichting voor het meten van druk te verschaffen, waarin de rekstrookopnemer. een hoge rekgevóeligheid, een optimale thermische, stabiliteit,., en een zeer goede thermische en mechanische koppeling tussen de .weerstanden, en het.substraat heeft.The object of the invention is one. device for measuring pressure, in which the strain gauge sensor. has high elongation sensitivity, optimum thermal stability, and very good thermal and mechanical coupling between the resistors and the substrate.
35 Daartoe wordt een rekopnemer gebruikt, die bestaat uit.een of meer dikke filmweerstanden die door middel van zeefdruk en inbranden op een geschikt substraat zijn aangebracht.For this purpose, a rack sensor is used, which consists of one or more thick film resistors which are applied to a suitable substrate by means of screen printing and burn-in.
790 7 2 9 4 * -Jt -3-790 7 2 9 4 * -Jt -3-
De uitvinding wordt toegelieht aan. de hand van de tekening: fig. 1 is een per spektivisch, aanzicht; van een.eerste uitvoeringsvorm van een.weerstandsrekopnemer volgens de uitvinding; fig. 2 is een dwarsdoorsnede, van. een tweede uitvoeringsvorm; 5 fig. 3 is een bovenaanzicht , van. de rekopnemer volgens fig. 2; * fig. 4 toont de elektrische..keten (Wheatstone hrug) voor de bepaling van de op het substraat uitgeoefende druk; en fig. 5 is een variant op de uitvoeringsvorm volgens fig. 2.The invention is illustrated. the hand of the drawing: fig. 1 is a perspective view; of a first embodiment of a resistance strain gauge according to the invention; Fig. 2 is a cross section of. a second embodiment; Fig. 3 is a top view of. the rack sensor according to fig. 2; FIG. 4 shows the electrical circuit (Wheatstone hrug) for determining the pressure applied to the substrate; and Fig. 5 is a variant of the embodiment according to Fig. 2.
In fig. 1 is een geschikt substraat 1 van bij-voorbeeld keramisch 10 materiaal getoond,, die aan een vrije rand. is ingeklemd en waarbij op de vrije rand de vast te stellen kracht. F wordt uitgeoefend.Fig. 1 shows a suitable substrate 1 of, for example, ceramic material, which has a free edge. is clamped and the force to be determined on the free edge. F is exercised.
Volgens de uitvinding bestaat een op. een dergelijk substraat aangebrachte rekstrookopnemerw uit. de dikke, filmweerstanden R^, R^ en Rg, R^, die door middel, van. zeefdruk’, en inbranden op de twee tegenovergelegen zij-15 den van het substraat en dicht bij de verbinding, zijn aangebracht.According to the invention, an op. strain gauge sensor applied to such a substrate. the thick film resistors R ^, R ^ and Rg, R ^, which, by means of. screen printing, and burn-in on the two opposite sides of the substrate and close to the joint, are provided.
Volgens de figuur, zijn de- weerstanden. R^ en R^ °p de bovenzijde van het substraat aangebracht' en zijn de. weerstanden R^ en R^'in de punten R^ en R^ op de onderzijde (niet getoond) aangebracht.According to the figure, resistances are. And the top of the substrate are provided. resistors R ^ and R ^ 'in points R ^ and R ^ on the bottom (not shown).
Tengevolge van de uitoefening van de kracht of last F wordt het 20 substraat onderworpen aan een neerwaartse doorbuiging, welke, vormverandering wordt overgebraeht naar de weerstanden R^, R^ en R^, R^, en die dienovereenkomstig de weer standswaarden, daarvan veranderd.As a result of the application of the force or load F, the substrate is subjected to a downward deflection, which shape change is transferred to the resistors R 1, R 1 and R 1, R 1, and which accordingly change the resistance values thereof.
De weerstandswaarde van de weerstanden. R^ en R^ zullen, door de verlenging toenemen en de. weerstandswaarde van de weerstanden R^ en R^ zullen 25 door de inkorting af nemen.The resistance value of the resistors. R ^ and R ^ will increase as a result of the elongation and the. resistance value of resistors R ^ and R ^ will decrease due to the shortening.
Teneinde de weerstandsverandering van de weerstanden als gevolg van de vormverandering te bepalen en daaruit de. verantwoordelijke last F af te leiden worden de weerstanden R^, R^ en R^, R^ zoals getoond in fig. U in een Wheatstone brug opgenomen. De aan dezelfde soort vormverandering onder-30 hevige weerstanden worden, in tegenover gelegen, takken, van de brug opge-ncmen en de relatief opwaarts en neerwaarts, gerichte pijlen tonen de toename of afname» van de weerstandsverandering van de weerstanden aan. De weerstanden R.j, R^ en R2, R^ zijn dezelfde, zodat de brug bij een onvervormd substraat 1 (F=0) gebalanceerd is en geen signaal aan., de uitgang Vu ver-35 schijnt als een spanning aan de ingang Yi wordt gelegd.In order to determine the change in resistance of the resistances as a result of the change in shape and from that the. To derive the responsible load F, the resistors R ^, R ^ and R ^, R ^ as shown in Fig. U are incorporated into a Wheatstone bridge. The resistances subject to the same kind of shape change are picked up in opposite branches of the bridge and the arrows directed upwards and downwards show the increase or decrease of the resistance change of the resistors. The resistors Rj, R ^ and R2, R ^ are the same, so that with an undeformed substrate 1 (F = 0), the bridge is balanced and no signal is on, the output Vu appears when a voltage is applied to the input Yi. laid.
Door uitoefening van een kracht op het substraat 1 (F^O) zal dit natuurlijk doorbuigen, raakt de brug uit balans en verschijnt een signaal 7907294 * · -liaan de .uitgang Vu., dat evenredig is met de weerstandsverandering van de . veerstanden en daar can van. de .vormverandering van .het substraat 1,'. d.v.z. van. de kracht F.By applying a force to the substrate 1 (F ^ O) this will naturally bend, the bridge will become unbalanced and a signal 7907294 will appear at the output Vu, which is proportional to the change in resistance of the bridge. spring positions and can of that. the. change of shape of the substrate 1, ". d.v.z. from. the force F.
Tot nu toe was sprake van .een eenzijdig ingeklemde.,, ligger, maar het 5 is duidelijk, dat-het voorgaande eveneens geldt.in het geval.van een aan beide randen ingeklemde 'ligger , waarbij op het. middengedeelte een kracht wordt uitgeoefend. ·Until now there has been a one-sided clamped beam, but it is clear that the above also applies in the case of a beam clamped on both edges, with the center section a force is applied. ·
In de. gewijzigde uitvoering volgens de. fig. 2 en 3 heeft het substraat de vorm van een cirkelvormig membraan 1’, die over...de .gehele rand 10' is ingeklemd en, waarop in het .midden, de kracht , F’ wordt uitgeoefend. In plaats van dat het membraan, aan. een. geconcentreerde last wordt onderworpen kan. het ook aan.een op het gehele, oppervlak, daarvan, uit te,.oefenen druk onderworpen, worden. In de gewijzigde, uitvoering, zijn. de .weerstanden R^' en R^' in.het. midden van.het membraan. aangebracht. · en,, worden verlengd, ter-15 wijl de. weerstanden R^'-en R^’ zich. eveneens aan. dezelfde zijde bevinden echter bij de buitenomtrek van. het „membraan..en. ingedrukt worden.In the. modified version according to the. Figures 2 and 3, the substrate is in the form of a circular membrane 1, which is clamped over ... the entire edge 10 'and on which the force, F' is applied in the middle. Instead of putting the membrane on. a. concentrated load can be subjected. it is also subjected to a pressure exerted on the entire surface thereof. In the modified, implementation, are. the resistors R ^ 'and R ^' in. center of the membrane. fitted. And ,, are extended, while 15. resistors R ^ '- and R ^' themselves. also to. same side, however, at the outer perimeter of. the "membrane ... and. be pressed.
De booghoek tussen, de weerstanden, en R^’ langs de omtrek kan indien gewenst.en zoals getoond in fig. 3 bij voorbeeld 90° bedragen.The arc angle between, the resistors, and R ^ along the circumference may if desired and as shown in Fig. 3 be, for example, 90 °.
De weerstanden R^' en R^! kunnen volgens, fig. 5 bij de weerstanden 20 R^' en R^' in het midden opgenomen worden, aan, de.andere zijde van het substraat 1f.The resistors R ^ and R ^! according to FIG. 5, the resistors 20 R 1 'and R 1' can be taken up in the center, on the other side of the substrate 1f.
Afhankelijk van de richting.; van. de uitgeoefende kracht F1' zullen de weer standswaarden! van. de .weer standen R^ *., R^* en Rg', Rj^* net. zo variëren als die van. de overeenkomende weerstanden R^, R^ en.R^,. R^ in fig. 1. 25 Zowel in het geval.van. de. struktuur-volgens, fig. 1 of die volgens de fig. 2 en 5 kan ter verbetering van de,rekgevoeligheid..het aantal en de opstelling van de. weerstanden gewijzigd worden.. De weerstanden worden daarom in die posities geplaatst, waarbij, de maximale, rek van-het substraat verkregen wordt.Depending on the direction .; from. the applied force F1 'will show the resistance values! from. the resistors R ^ *., R ^ * and Rg ', Rj ^ * net. as varied as that of. the corresponding resistors R ^, R ^ and.R ^ ,. R ^ in Fig. 1. 25 Both in the case of. the. The structure of FIG. 1 or that of FIGS. 2 and 5 may improve the stretch sensitivity, the number and arrangement of the. resistors are changed. The resistors are therefore placed in those positions, whereby the maximum elongation of the substrate is obtained.
30 In het geval van een aan de rand ingeklemd, membraan, is het echter nuttig indien ter verkrijging' van. een maximale, gevoeligheid,van de inrichting zelfs in het geval dat het. membraan niet ..volledig aan de, rand is ingeklemd, alle weerstanden volgens fig'. 5 in het.middengedeelte worden opgenomen.However, in the case of an edge-clamped membrane, it is useful if to obtain. a maximum, sensitivity, of the device even in the event that it. diaphragm not ... completely clamped on the edge, all resistors according to fig. 5 are recorded in the center section.
35 Hiervoor was sprake van kraehtèn F en. Ff, die aan. een zijde van de substraten 1 èn 1 ’ werden uitgeoefend maar het is duidelijk, dat deze krachten het resultaat kunnen zijn van aan de twee zi jden van .het substraat tegengestelde krachten, waarbij het door de Wheatstone brug afgegeven 7907294 -5- * -y signaal "betrekking heeft op verschilkrachten. of -drukken.35 This was referred to as Kraehtèn F and. Ff, that on. one side of the substrates 1 and 1 'were exerted, but it is clear that these forces may be the result of forces opposing the two sides of the substrate, the 7907294 -5- * -y released by the Wheatstone bridge signal "refers to differential forces or pressures.
De rek- en drukopnemers volgens de fig. 1, 2 en 5 geven, een fabri-kageverhetering van deze soort opnemers.The strain and pressure transducers shown in FIGS. 1, 2 and 5 provide manufacturing upgrades for these types of transducers.
Zoals eerder gezegd bestaat het. actieve, gedeelte, van het rekstrook-5 element uit dikke filmveer standen, die door middel van. zeef druk op isolerende substraten zijn aangebracht, en een warmtebehandeling ondergaan volgens bekende werkwijzen bij de verkrijging van, dikke filmveer standen voor bybridemicroketens. Er zijn ter verkrijging van dikke, filmveer standen met een geschikte rekgevoeligheid vele voor.. zeef druk toepasbar e inktsoor-10 ten beschikbaar.As said before, it exists. active, portion, of the strain gauge element made of thick film spring positions, which is by means of. screen printing has been applied to insulating substrates, and heat-treated according to known methods to obtain thick film spring positions for bybridge microchains. There are many types of ink that can be used for obtaining thick film-spring positions with suitable stretching sensitivity.
In het algemeen hebben zij een dielektrische component en een geleidende component. De dielektrische component of het bindmiddel kan bestaan uit boriumsilicaat,. loodboriumsilicaat,. aluminiumsilicaat of een glassoort met loodsilieaat met eventueel kleine oxydetoevoegingen zoals CdO, CagO^, 15 A12°3 etc‘In general, they have a dielectric component and a conductive component. The dielectric component or the binder may consist of borosilicate. lead borosilicate ,. aluminum silicate or a glass with lead siliate with possibly small oxide additives such as CdO, CagO ^, 15 A12 ° 3 etc "
De geleidende component kan een edelmetaal-(Ag, Au, Pd), een oxyde of een legering daarvan (zoals PdO, PdO/Ag), of een geleidende oxyde van edelmetaal (zoals RuOg, Bi^Ru^Cy, Rb^RUgOg, TiOg, IrOg, etc.) zijn.The conductive component may be a precious metal (Ag, Au, Pd), an oxide or an alloy thereof (such as PdO, PdO / Ag), or a precious metal conductive oxide (such as RuOg, Bi ^ Ru ^ Cy, Rb ^ RUgOg, TiOg, IrOg, etc.).
De piëzoweerstandseigensehappen zijn voer weerstanden, bestaande uit 20 verschillende inktsoorten vastgesteld en er is gebleken, dat hoe lager de concentratie van de geleider in de inkt is des te hoger de weerstands-waarde van de.weerstand en.de opneemfaktor. van het verkregen.rekstrookje zijn.The piezoresistance properties have been determined as resistors consisting of 20 different inks and it has been found that the lower the conductor concentration in the ink, the higher the resistance value of the resistor and the pick-up factor. of the obtained stretch strip.
De dikke filmveer standen, hebben, een goede opneemf aktor, bij voor-25 beeld GF = 10-15a een lage thermische, coëfficiënte van de weerstandswaarde TCR ^ 30-200. ppm/°0 en een lage thermische coëfficiënte van de opneem-faktor TCGF ^ 100-Uoo ppm/°C met. een zeer goede stabiliteit en hoge ver-moeidheidsgrens voor vele rekperioden.The thick film spring positions have, for a good recording factor, for example GF = 10-15a, a low thermal, coefficient of the resistance value TCR ^ 30-200. ppm / ° 0 and a low thermal coefficient of the recording factor TCGF ^ 100-Uoo ppm / ° C with. very good stability and high fatigue limit for many stretching periods.
De rekgevoeligheid (GF) ligt daarom midden tussen die van rekstrook-30 jes met metaaldraden met de laagste en die van rekstrookjes van halfgeleiders met de hoogste gevoeligheid.The strain sensitivity (GF) is therefore midway between that of strain gauges with metal wires with the lowest sensitivity and that of strain gauges of semiconductors with the highest sensitivity.
De temperatuurstabiliteit (TCR, TCGF). is verder vergelijkbaar met die van de meer stabiele metaaldraden en is duidelijk beter dan. die van halfgeleiders.The temperature stability (TCR, TCGF). is further comparable to that of the more stable metal wires and is clearly better than. that of semiconductors.
35 Een voordeel bij het gebruik van door middel van zeefdruk verkregen weerstanden is, dat zij een positieve waarde, van de opneemf aktor hebben indien zij ten opzichte van de weerstandsrichting aan transversale en 790 72 9 4 r + -6- longitudinale vormveranderingen- onderworpen worden.. De in het midden van het membraan-in eendrukmeeteenheid met een.membraan (fig.. 2. en 5) aangebrachte weerstanden,. die-tegelijkertijd, onderworpen, worden aan transversale en longitudinale rek zullen.daaram. de.. rekgevoeligheid daarvan ver-5 dubbelen.An advantage of using screen-printed resistors is that they have a positive value of the pick-up actuator when subjected to transverse and longitudinal changes of shape with respect to the resistance direction 790 72 9 4 r + -6- .. The resistors arranged in the center of the diaphragm in a pressure measuring unit with a diaphragm (fig. 2. and 5). which, at the same time, are subjected to transverse and longitudinal stretching. double the stretching sensitivity thereof.
De rekstrookjes kunnen, gevormd worden door. de weerstanden op verschillende substraten-met verschillende., mechanische, eigenschappen aan te brengen. Verschillende ker.amieksoorten, zoals aluminiumoxyde,. beryllium-oxyde, zirkoonoxyde alsook geëmailleerde.metaalfolies .zijn. voor dit doel 10. geschikt.The strain gauges can be formed by. apply the resistors to different substrates with different mechanical properties. Different types of ceramics, such as aluminum oxide. beryllium oxide, zirconium oxide and enameled metal foils. 10. suitable for this purpose.
Hierna volgen enkele voorbeelden, van het gedrag van de druk- en rek-meeteenheden.The following are some examples of the behavior of the pressure and strain measurement units.
Door op.de vrij liggende, struktuur van. fig. 1 een. zodanige kracht uit te oefenen, dat een maximale.·. r.ek. van. 2000 ^uram/mm in de. vier in een 15 brug opgenomen. weerstanden optreedt, wordt een uitgangssignaal bij Vu van 25-30 mV/V verkregen met boriumsiliciumoxyde en Bi^ïh^O^,. glasweerstanden met. een soartelijke doorsnedeweerstand.van 10. k JX/Q. Door op de membraanstruktuur in de fig. 2 èn 5 een ..zodanige druk. uit te oefenen, dat aan de randen van. het membraan een.rek van. 2000 ^umm/mm.wordt opgewekt, 20 wordt bij gebruik van vier in. een brug opgenomen weerstanden. een uitgangssignaal van 25-30 mV/V- verkregen bij .gebruik van. boriumsiliciumoxyde en BigRUgO^.. glasweerstanden.met een. soartelijke doorsnede, weerstand van 10. k XL/□ . De belangrijkste voordelen van.de uitvoeringsvorm van de rek- en drukopnemers volgens de uitvinding kunnen, als volgt worden samen-25 gevat.Due to the exposed structure of. fig. 1 a. exert such force that a maximum. r.ek. from. 2000 ^ uram / mm in the. four included in a 15 bridge. resistances occur, an output signal at Vu of 25-30 mV / V is obtained with boron silicon oxide and Bi ^ ih ^ O ^. glass resistors with. a smooth cross section resistance of 10. k JX / Q. By applying such pressure to the membrane structure in fig. 2 and 5. exercise that at the edges of. the membrane has a rack of. 2000 µm / mm. Is generated, 20 is used when using four in. a bridge incorporated resistors. an output signal of 25-30 mV / V- obtained using. boron silicon oxide and BigRUgO ^ .. glass resistors. sociable cross section, resistance of 10. k XL / □. The main advantages of the embodiment of the stretch and pressure transducers according to the invention can be summarized as follows.
Tussen de rekopnemer en. de ligger.· of het membraan is geen bindmiddel nodig omdat.de piëzo afhankelijke weerstand direkt.door middel van zeefdrukken op het als ligger of membraan dienende, substraat ,is aangebracht. Bovendien wordt voor de uitzettingscoëfficiënten., van. de substraten en de 30 door middel van.zeefdruk verkregen weerstanden een goede, aanpassing verkregen.Between the rack sensor and. the beam or membrane does not require a binder because the piezo-dependent resistance is applied directly to the substrate serving as beam or membrane by means of screen printing. In addition, for the expansion coefficients., Of. the substrates and the resistances obtained by screen printing obtained a good adaptation.
Ook bestaat - de mogelijkheid. om de. weer standswaarden, van de door middel, van zeefdruk verkregen en.met. warmte..behandelde weerstanden (of door middel van dezelfde, techniek verkregen, compensatieweerstanden die 35 niet aan de rek onderworpen worden en. die parallel of in serie met een van de brugzijde zijn opgenomen) door middel, van .laser- of zandstraling bij te regelen teneinde een uitgangsspanning ter waarde nul van de Wheatstone 7907294 -7- brug te verkrijgen, hij afwezigheid van op het substraat, .uitgeoefende rek of druk. Bij afwezigheid van rek- kunnen, uitgangssignalen £ 100 ^uV/V waarneembaar van de Wheatstone brug .verkregen worden.Also - the possibility exists. around the. resistance values, of the results obtained by means of screen printing and. heat-treated resistors (or obtained by the same technique, compensation resistors which are not subject to strain and which are incorporated in parallel or in series with one of the bridge sides) by means of laser or sandblasting. In order to obtain a zero voltage output from the Wheatstone 7907294-7 bridge, control the absence of stretch or pressure applied to the substrate. In the absence of stretching, output signals £ 100 µV / V can be discernibly obtained from the Wheatstone bridge.
Tenslotte. kunnen bruggen met in- en uitgangsimpedantie binnen een 5 breed waardegebied verkregen worden door de juiste keuze, van de .geometrie en de soortelijke doorsnedeweerstand van da weerstanden.And last but not least. bridges with input and output impedance within a wide value range can be obtained by the correct choice of the geometry and the specific cross-section resistance of the resistors.
De werkwijze ter verkrijging van.rekstrookjes, die gelijk is aan die van hybrideketens. voor,miero-elektronika,.. is. tamelijk-eenvoudig en goedkoop en dienovereenkomstig geschikt voor een grote .produktie-omvang.The method of obtaining stretch strips similar to that of hybrid chains. for, miero-electronics, .. is. fairly simple and inexpensive and accordingly suitable for a large production scale.
10 De bovenbeschreven, eenheid voor·, de meting van druk of de drukopne- mer wordt natuurlijk in. al die. gevallen, toegepast waar een., rekopnemer met een hoge gevoeligheid en een zeer. goede thermische stabiliteit vereist is.10 The above-described unit of measurement of pressure or the pressure transducer is of course in. all those. cases, applied where a., rack sensor with a high sensitivity and a very. good thermal stability is required.
Zij kan daarom met voordeel, toegepast worden, bij automobielen ter besturing van. de. inspuiting, ontsteking, fasebesturing en. voor hydraulische 15. inrichtingen.It can therefore advantageously be used in automobiles for controlling. the. injection, ignition, phase control and. for hydraulic 15. devices.
Tot nu toe is sprake .geweest van .een drukopnemer maar de uitvinding heeft eveneens betrekking op een. rekstr ook je zelf,, waarbij gebruik gemaakt wordt van. dikke, filmveer standen voor het meten, en regelen van fysische grootheden, zoals rek, druk, kracht, of last, draaimoment, etc.Heretofore, there has been talk of a pressure transducer, but the invention also relates to a. also stretch yourself, using. thick, film spring positions for measuring and controlling physical quantities, such as elongation, pressure, force, or load, torque, etc.
79072947907294
Claims (7)
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT28682/78A IT1101056B (en) | 1978-10-12 | 1978-10-12 | PRESSURE METER DEVICE USING A RESISTOR EXTENSIMETER |
| IT2868278 | 1978-10-12 | ||
| IT1923679 | 1979-01-12 | ||
| IT1923679A IT1164955B (en) | 1979-01-12 | 1979-01-12 | Pressure measuring device - comprising a deformable substrate with screen printed thick film resistors forming an extensometer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7907294A true NL7907294A (en) | 1980-04-15 |
Family
ID=26327102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL7907294A NL7907294A (en) | 1978-10-12 | 1979-10-01 | PRESSURE GAUGE WITH A STRETCH RECORDER. |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4311980A (en) |
| CH (1) | CH638045A5 (en) |
| DE (1) | DE2940441A1 (en) |
| ES (2) | ES484967A0 (en) |
| FR (1) | FR2438829A1 (en) |
| GB (1) | GB2036424B (en) |
| NL (1) | NL7907294A (en) |
| PT (1) | PT70292A (en) |
Families Citing this family (96)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2080552B (en) * | 1980-07-12 | 1984-11-21 | Rubery Owen Group Services Ltd | Measuring loads |
| FR2494439A1 (en) * | 1980-11-20 | 1982-05-21 | Leim | Pressure sensor for respiratory flow and pressure measurement - has strain gauges for bridge circuit glued to bronze membrane in differential pressure chamber |
| US4355692A (en) * | 1980-11-24 | 1982-10-26 | General Electric Company | Thick film resistor force transducers and weighing scales |
| FR2502327A1 (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-24 | Dal Dan Felice | METHOD FOR MAKING STRAIN GAUGE SENSORS |
| GB2098739B (en) * | 1981-05-16 | 1985-01-16 | Colvern Ltd | Electrical strain gauges |
| US4481497A (en) * | 1982-10-27 | 1984-11-06 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Transducer structures employing ceramic substrates and diaphragms |
| DE3333287A1 (en) * | 1983-09-15 | 1985-04-18 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | FUEL INJECTION NOZZLE FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES |
| NL8401420A (en) * | 1984-05-04 | 1985-12-02 | Philips Nv | WEIGHING ELEMENT FOR A WEIGHING MACHINE. |
| US4536328A (en) * | 1984-05-30 | 1985-08-20 | Heraeus Cermalloy, Inc. | Electrical resistance compositions and methods of making the same |
| IT206728Z2 (en) * | 1985-09-17 | 1987-10-01 | Marelli Autronica | ACCELERATION OR VIBRATION SENSOR DEVICE |
| IT206726Z2 (en) * | 1985-09-17 | 1987-10-01 | Marelli Autronica | PRESSURE METER DEVICE |
| IT206727Z2 (en) * | 1985-09-17 | 1987-10-01 | Marelli Autronica | THICK FILM EXTENSIMETRIC SENSOR FOR DETECTION OF STRESSES AND DEFORMATIONS IN ORGANS OR MECHANICAL STRUCTURES |
| IT1203547B (en) * | 1986-03-10 | 1989-02-15 | Marelli Autronica | DEVICE AND PROCEDURE FOR MEASURING THE STATIC PRESSURE OF A FLUID |
| IT206925Z2 (en) * | 1986-03-10 | 1987-10-19 | Marelli Autronica | THICK WIRE SENSOR IN PARTICULAR PRESSURE SENSOR |
| DE8607653U1 (en) * | 1986-03-20 | 1987-08-06 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De | |
| FR2601133B1 (en) * | 1986-07-01 | 1990-05-11 | Beta Sa | DEVICE FOR MEASURING PRESSURES, ESPECIALLY HIGH PRESSURES |
| FR2606875B1 (en) * | 1986-11-18 | 1989-06-09 | Dal Dan Felice | METHOD FOR PRODUCING A STRESS GAUGE |
| IT1215213B (en) * | 1986-12-31 | 1990-01-31 | Marelli Autronica | BRAKING SYSTEM FOR VEHICLES WITH ANTI-LOCK FUNCTION OF THE WHEELS |
| FR2611043B1 (en) * | 1987-02-16 | 1989-08-04 | Crouzet Sa | PIEZORESISTIVE GAUGE PRESSURE SENSOR |
| USRE34095E (en) * | 1987-03-20 | 1992-10-13 | Summagraphics Corporation | Digitizer stylus with pressure transducer |
| US4786764A (en) * | 1987-03-20 | 1988-11-22 | Summagraphics Corporation | Digitizer stylus with pressure transducer |
| JPS63292032A (en) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Ngk Insulators Ltd | Pressure detector |
| JPH0731091B2 (en) * | 1987-05-27 | 1995-04-10 | 日本碍子株式会社 | Distortion detector |
| JPH0530122Y2 (en) * | 1987-08-28 | 1993-08-02 | ||
| JPH0812123B2 (en) * | 1987-11-27 | 1996-02-07 | 日本碍子株式会社 | Pressure sensor |
| JPH01147331A (en) * | 1987-12-03 | 1989-06-09 | Ngk Insulators Ltd | Pressure detector |
| US4932265A (en) * | 1987-12-11 | 1990-06-12 | The Babcock & Wilcox Company | Pressure transducer using thick film resistor |
| IN169553B (en) * | 1987-12-11 | 1991-11-09 | Int Control Automation Finance | |
| KR890010548A (en) * | 1987-12-16 | 1989-08-09 | 로버트 제이. 에드워즈 | Dual pressure sensor |
| JPH01182729A (en) * | 1988-01-16 | 1989-07-20 | Ngk Insulators Ltd | Pressure sensor |
| DE3814949C1 (en) * | 1988-05-03 | 1989-08-03 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De | |
| DE3814950A1 (en) * | 1988-05-03 | 1989-11-16 | Bosch Gmbh Robert | ACCELERATOR |
| JP2549712B2 (en) * | 1988-07-27 | 1996-10-30 | 日本碍子株式会社 | Stress detector |
| US5047952A (en) * | 1988-10-14 | 1991-09-10 | The Board Of Trustee Of The Leland Stanford Junior University | Communication system for deaf, deaf-blind, or non-vocal individuals using instrumented glove |
| US6701296B1 (en) | 1988-10-14 | 2004-03-02 | James F. Kramer | Strain-sensing goniometers, systems, and recognition algorithms |
| FR2638524B1 (en) * | 1988-10-27 | 1994-10-28 | Schlumberger Prospection | PRESSURE SENSOR FOR USE IN OIL WELLS |
| US5099738A (en) * | 1989-01-03 | 1992-03-31 | Hotz Instruments Technology, Inc. | MIDI musical translator |
| DE3919059A1 (en) * | 1989-06-10 | 1991-01-03 | Bosch Gmbh Robert | Pressure sensor esp. for vehicle engine compartment - has sensor resistances on membrane in sensor substrate base body |
| FR2650389B1 (en) * | 1989-07-27 | 1993-03-26 | Sextant Avionique | DEVICE FOR MEASURING DEFORMATION OF A MEMBRANE |
| DE4000326C2 (en) * | 1990-01-08 | 1995-12-14 | Mannesmann Ag | Pressure sensor |
| US5267566A (en) * | 1991-03-07 | 1993-12-07 | Maged Choucair | Apparatus and method for blood pressure monitoring |
| US5303593A (en) * | 1991-06-07 | 1994-04-19 | Maclean-Fogg Company | Strain gauge distribution for resistive strain gauge pressure sensor |
| US5174158A (en) * | 1991-06-07 | 1992-12-29 | Maclean-Fogg Company | Resistive strain gauge pressure sensor |
| US5224384A (en) * | 1991-06-07 | 1993-07-06 | Maclean-Fogg Company | Resistive strain gauge pressure sensor |
| US5317921A (en) * | 1992-05-05 | 1994-06-07 | Maclean Fogg Company | Resistive strain gauge pressure sensor |
| US5510783A (en) * | 1992-07-13 | 1996-04-23 | Interlink Electronics, Inc. | Adaptive keypad |
| US5483217A (en) * | 1992-07-15 | 1996-01-09 | Nippondenso Co., Ltd. | Electronic circuit device |
| GB2271185A (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-06 | Ist Lab Ltd | Load cell |
| US5481905A (en) * | 1992-11-03 | 1996-01-09 | Philips Electronics North America Corporation | Transducer circuit having negative integral feedback |
| US5522266A (en) * | 1993-11-30 | 1996-06-04 | Medex, Inc. | Low cost pressure transducer particularly for medical applications |
| JP2584201B2 (en) * | 1994-01-14 | 1997-02-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | Power transducer, computer system and keyboard |
| DE4423596A1 (en) * | 1994-07-06 | 1996-01-11 | Bosch Gmbh Robert | Piezoresistive resistor |
| JP3238050B2 (en) * | 1995-08-09 | 2001-12-10 | ブラザー工業株式会社 | Ink jet device |
| US5861558A (en) * | 1996-02-28 | 1999-01-19 | Sigma-Netics, Inc. | Strain gauge and method of manufacture |
| US6374255B1 (en) * | 1996-05-21 | 2002-04-16 | Immersion Corporation | Haptic authoring |
| JPH10148591A (en) * | 1996-09-19 | 1998-06-02 | Fuji Koki Corp | Pressure detector |
| US6184865B1 (en) | 1996-10-23 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Capacitive pointing stick apparatus for symbol manipulation in a graphical user interface |
| US6256011B1 (en) * | 1997-12-03 | 2001-07-03 | Immersion Corporation | Multi-function control device with force feedback |
| US6212958B1 (en) | 1998-07-16 | 2001-04-10 | Lincoln Industrial Corporation | Flow sensing assembly and method |
| US6693626B1 (en) * | 1999-12-07 | 2004-02-17 | Immersion Corporation | Haptic feedback using a keyboard device |
| GB0006551D0 (en) * | 2000-03-17 | 2000-05-10 | Ind Dataloggers Limited | Improved train gauge devices |
| GB2372817A (en) * | 2000-10-05 | 2002-09-04 | Ind Dataloggers Ltd | Strain gauge having matching metallic layer patterns on opposite sides of a substrate |
| US7330271B2 (en) * | 2000-11-28 | 2008-02-12 | Rosemount, Inc. | Electromagnetic resonant sensor with dielectric body and variable gap cavity |
| US6807875B2 (en) | 2000-12-01 | 2004-10-26 | Honeywell International Inc. | Self-compensating position sensor |
| US6688185B2 (en) | 2001-08-20 | 2004-02-10 | Autoliv Asp, Inc. | System and method for microstrain measurement |
| US7535454B2 (en) | 2001-11-01 | 2009-05-19 | Immersion Corporation | Method and apparatus for providing haptic feedback |
| KR20100046271A (en) | 2001-11-01 | 2010-05-06 | 임머숀 코퍼레이션 | Method and apparatus for providing tactile sensations |
| US6904823B2 (en) * | 2002-04-03 | 2005-06-14 | Immersion Corporation | Haptic shifting devices |
| GB2410995B (en) | 2002-10-15 | 2007-05-09 | Immersion Corp | Products and processes for providing force sensations in a user interface |
| US7769417B2 (en) * | 2002-12-08 | 2010-08-03 | Immersion Corporation | Method and apparatus for providing haptic feedback to off-activating area |
| EP1588153B1 (en) * | 2002-12-27 | 2007-10-03 | NanoNord A/S | A cantilever sensor using both the longitudinal and the transversal piezoresistive coefficients |
| WO2004111819A1 (en) * | 2003-06-09 | 2004-12-23 | Immersion Corporation | Interactive gaming systems with haptic feedback |
| US7340960B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-03-11 | Analatom Inc. | Miniature sensor |
| DE102004041897A1 (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-02 | Siemens Ag | Table to support and position a patient, e.g. for X-ray examination, has an integrated expansion strip in the table plate with sensors to register the strip length on table plate bending through the patient's weight |
| US20060185446A1 (en) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Speckhart Frank H | Printed strain gage for vehicle seats |
| DE102006007463B3 (en) * | 2006-02-17 | 2007-06-21 | Jumo Gmbh & Co. Kg | Measurement bridge, e.g. a pressure or force measurement bridge, such as a Wheatstone bridge, has a balancing element, which is connected to at least two of the bridge resistances, all elements being formed on the same substrate |
| US8063886B2 (en) * | 2006-07-18 | 2011-11-22 | Iee International Electronics & Engineering S.A. | Data input device |
| US8439568B2 (en) * | 2006-08-25 | 2013-05-14 | Ntn Corporation | Wheel support bearing assembly equipped with sensor |
| CN104656900A (en) | 2006-09-13 | 2015-05-27 | 意美森公司 | Systems and methods for casino gaming haptics |
| US9486292B2 (en) | 2008-02-14 | 2016-11-08 | Immersion Corporation | Systems and methods for real-time winding analysis for knot detection |
| US8500732B2 (en) * | 2008-10-21 | 2013-08-06 | Hermes Innovations Llc | Endometrial ablation devices and systems |
| US9104791B2 (en) * | 2009-05-28 | 2015-08-11 | Immersion Corporation | Systems and methods for editing a model of a physical system for a simulation |
| US9582178B2 (en) | 2011-11-07 | 2017-02-28 | Immersion Corporation | Systems and methods for multi-pressure interaction on touch-sensitive surfaces |
| US9891709B2 (en) | 2012-05-16 | 2018-02-13 | Immersion Corporation | Systems and methods for content- and context specific haptic effects using predefined haptic effects |
| EP2735855A1 (en) * | 2012-11-21 | 2014-05-28 | Sensata Technologies, Inc. | A measuring device for measuring a physical quantity |
| AT513259B1 (en) * | 2013-01-29 | 2014-03-15 | Austrian Ct Of Competence In Mechatronics Gmbh | Method for changing the static and / or dynamic actual behavior of a particular elastic body under external load |
| US9904394B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-02-27 | Immerson Corporation | Method and devices for displaying graphical user interfaces based on user contact |
| US9866924B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-01-09 | Immersion Corporation | Systems and methods for enhanced television interaction |
| CN103454027A (en) * | 2013-09-16 | 2013-12-18 | 北京机械设备研究所 | Dynamic pressure measuring device based on pressure difference |
| CN105675183B (en) * | 2015-12-31 | 2018-08-14 | 汕头超声显示器技术有限公司 | A kind of mechanics tablet |
| CN105930006B (en) * | 2016-04-29 | 2019-01-22 | 汕头超声显示器技术有限公司 | A kind of pressing force tablet and its pressure detection method |
| US10595951B2 (en) | 2016-08-15 | 2020-03-24 | Covidien Lp | Force sensor for surgical devices |
| EP3410060A1 (en) * | 2017-05-29 | 2018-12-05 | voestalpine Stahl GmbH | Strain gauge and metal strip having a coating for such a strain gauge |
| EP3642582A4 (en) * | 2017-06-22 | 2021-03-31 | Ezmems Ltd. | Sensor elements on thin foils/films |
| JP2019090723A (en) * | 2017-11-15 | 2019-06-13 | ミネベアミツミ株式会社 | Strain gauge |
| CN114141461B (en) * | 2021-10-25 | 2022-08-05 | 深圳技术大学 | Flexible electronic device manufacturing method based on femtosecond laser and flexible strain sensor |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2438205A (en) * | 1945-09-15 | 1948-03-23 | Douglas Aircraft Co Inc | Measuring instrument |
| US3049685A (en) * | 1960-05-18 | 1962-08-14 | Electro Optical Systems Inc | Electrical strain transducer |
| US3151480A (en) * | 1960-08-10 | 1964-10-06 | United States Steel Corp | Load cell |
| US3335381A (en) * | 1965-07-06 | 1967-08-08 | Stratham Instr Inc | Duplex flexure for force transducer |
| US3341794A (en) * | 1965-07-26 | 1967-09-12 | Statham Instrument Inc | Transducers with substantially linear response characteristics |
| US3473375A (en) * | 1967-02-03 | 1969-10-21 | Whittaker Corp | Strain gage transducer |
| US3479739A (en) * | 1967-04-24 | 1969-11-25 | Statham Instrument Inc | Method of making a transducer beam |
| US3456226A (en) * | 1967-10-27 | 1969-07-15 | Conrac Corp | Strain gage configuration |
| US3505634A (en) * | 1967-11-21 | 1970-04-07 | George Von Vick | Differential pressure transducer |
| FR2057215A5 (en) * | 1969-08-06 | 1971-05-21 | Jules Ets Richard | |
| JPS4920239B1 (en) * | 1969-10-28 | 1974-05-23 | ||
| DE2146339B2 (en) * | 1971-09-16 | 1975-04-03 | Industrie-Automation Gmbh & Co, 6900 Heidelberg | Electromechanical force or pressure transducer |
| US3998980A (en) * | 1972-05-05 | 1976-12-21 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of thick film resistors |
| US3876560A (en) * | 1972-05-15 | 1975-04-08 | Engelhard Min & Chem | Thick film resistor material of ruthenium or iridium, gold or platinum and rhodium |
| US3916037A (en) * | 1973-03-01 | 1975-10-28 | Cts Corp | Resistance composition and method of making electrical resistance elements |
| JPS5532009B2 (en) * | 1973-10-20 | 1980-08-22 | ||
| US3953920A (en) * | 1975-05-14 | 1976-05-04 | International Telephone & Telegraph Corporation | Method of making a transducer |
| US4160969A (en) * | 1976-12-27 | 1979-07-10 | The Garrett Corporation | Transducer and method of making |
-
1979
- 1979-09-21 US US06/077,541 patent/US4311980A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-10-01 NL NL7907294A patent/NL7907294A/en not_active Application Discontinuation
- 1979-10-05 DE DE19792940441 patent/DE2940441A1/en not_active Ceased
- 1979-10-08 GB GB7934778A patent/GB2036424B/en not_active Expired
- 1979-10-08 CH CH902379A patent/CH638045A5/en not_active IP Right Cessation
- 1979-10-09 PT PT70292A patent/PT70292A/en unknown
- 1979-10-09 FR FR7925084A patent/FR2438829A1/en active Granted
- 1979-10-11 ES ES484967A patent/ES484967A0/en active Granted
-
1980
- 1980-06-30 ES ES492940A patent/ES492940A0/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES8206025A1 (en) | 1982-06-16 |
| ES492940A0 (en) | 1982-06-16 |
| FR2438829A1 (en) | 1980-05-09 |
| ES8103375A1 (en) | 1981-02-16 |
| US4311980A (en) | 1982-01-19 |
| PT70292A (en) | 1979-11-01 |
| CH638045A5 (en) | 1983-08-31 |
| GB2036424A (en) | 1980-06-25 |
| DE2940441A1 (en) | 1980-04-24 |
| FR2438829B1 (en) | 1983-08-05 |
| GB2036424B (en) | 1983-03-02 |
| ES484967A0 (en) | 1981-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL7907294A (en) | PRESSURE GAUGE WITH A STRETCH RECORDER. | |
| US10678363B2 (en) | Pressure sensor and display device | |
| US4299130A (en) | Thin film strain gage apparatus with unstrained temperature compensation resistances | |
| Cao et al. | Simulation and fabrication of piezoresistive membrane type MEMS strain sensors | |
| WO2019148726A1 (en) | Resistive strain sensor | |
| US20080011095A1 (en) | Compression strain sensor | |
| US20150016487A1 (en) | Flexible Temperature and Strain Sensors | |
| EP1197737B1 (en) | Strain gauge | |
| US4974596A (en) | Transducer with conductive polymer bridge | |
| US4932265A (en) | Pressure transducer using thick film resistor | |
| JP2003004562A (en) | Input device and detecting device | |
| US5184520A (en) | Load sensor | |
| EP1043573B1 (en) | Shear beam load cell | |
| DE19754613A1 (en) | Pressure sensor with diaphragm responding to pressure and four strain gauge units esp. for vehicle hydraulic braking system | |
| US11378478B2 (en) | Sensor element for measuring pressure and temperature | |
| JP5815356B2 (en) | Surface pressure sensor | |
| US20060169052A1 (en) | Force sensor | |
| JP2585681B2 (en) | Metal thin film resistive strain gauge | |
| JPS5844323A (en) | Pressure sensor | |
| CN112710405B (en) | Temperature sensor | |
| CA1309879C (en) | Pressure transducer using thick film resistor | |
| Belavic et al. | Vertical thick-film resistors as load sensors | |
| JPS6212458B2 (en) | ||
| US5591917A (en) | Semiconductor pressure sensor with rated pressure specified for desired error of linearity | |
| KR19980084450A (en) | Diaphragm Pressure Sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| BI | The patent application has been withdrawn |