NL2029294B1 - Multiple particle beam microscope and associated method with fast autofocus around an adjustable working distance - Google Patents
Multiple particle beam microscope and associated method with fast autofocus around an adjustable working distance Download PDFInfo
- Publication number
- NL2029294B1 NL2029294B1 NL2029294A NL2029294A NL2029294B1 NL 2029294 B1 NL2029294 B1 NL 2029294B1 NL 2029294 A NL2029294 A NL 2029294A NL 2029294 A NL2029294 A NL 2029294A NL 2029294 B1 NL2029294 B1 NL 2029294B1
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- lens
- particle beam
- autofocus
- particle
- fast
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/21—Means for adjusting the focus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/21—Focus adjustment
- H01J2237/216—Automatic focusing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Claims (56)
1. Een meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) voor waferinspectie, omvattend het volgende: een meerdere-deeltjesbundelgenerator, welke is ingericht om een eerste veld (327) van een veelvoud aan geladen eerste individuele deeltjesbundels (3) te genereren; een eerste optische-deeltjes eenheid met een eerste optische-deeltjes- bundelpad, welke 1s ingericht om de gegenereerde eerste individuele deeltjesbundels (3) af te beelden op een waferoppervlak in het objectvlak (101) zodanig dat de eerste deeltjesbundels (3) het waferoppervlak raken op imvallocaties (5), welke een tweede veld (103) vormen; een detectiesysteem (200) met een veelvoud aan detectieregionen (215) welke een derde veld (217) vormen, een tweede optische-deeltjeseenheid met een tweede optische- deeltjesbundelpad, welke is ingericht om tweede individuele deeltjesbundels (9) af te beelden, welke afkomstig zijn van de incidentielocaties (5) in het tweede veld (103), op het derde veld (217) van de detectieregionen (215) van het detectiesysteem (200); een magnetische en/of elektrostatische objectief-lens door welke zowel de eerste (3) als de tweede individuele deeltjesbundels (9) passeren; een bundelschakelaar (400), welke is opgesteld in het eerste optische- deeltjesbundelpad tussen de meerdere-deeltjesbundelgenerator en de objectief-lens (102) en welke is opgesteld in het tweede optische- deeltjesbundelpad tussen de objectief-lens (102) en het detectiesysteem (200); een bemonsteringtrap voor vasthouden en/of positioneren van een wafer (7) gedurende de waferinspectie; een autofocus-bepalend element (812), welke is ingericht om data te generen voor bepalen van werkelijke autofocusdata gedurende de waferinspectie;
een snelle autofocuscorrectielens (824); en een regelaar (10); waarin de regelaar (10) is ingericht om optische-deeltjescomponenten te regelen in het eerste en/of tweede optische-deeltjesbundelpad, waarin de regelaar (10) is ingericht voor statische of laagfrequente aanpassing van een scherpstelling om ten minste de objectief-lens (102) en/of een actuator van de bemonsteringtrap te regelen op een eerste werkpunt met een eerste werkafstand, op een zodanige wijze dat de eerste individuele deeltjesbundels (3) worden scherp gesteld op het waferoppervlak dat zich op de eerste werkafstand bevindt, waarin de regelaar (10) is ingericht voor hoogfrequente aanpassing van de scherpstelling om een autofocuscorrectielensregelsignaal te genereren op basis van de werkelijke autofocusdata op het eerste werkpunt gedurende de waferinspectie om de snelle autofocuscorrectielens (824) te regelen gedurende de waferinspectie op het eerste werkpunt; waarin het eerste werkpunt verder gedefinieerd wordt door een landingshoek van de eerste individuele deeltjesbundels (3) op het objectvlak (101) en door een gridopstelling van de eerste individuele deeltjesbundels (3) in het objectvlak (101), en waarin de regelaar (10) verder is ingericht om de landingshoek en de gridopstelling in hoofdzaak constant te houden gedurende de hoogfrequente aanpassing op het eerst werkpunt.
2. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 1, waarin een aanpassingstijd TA voor de hoogfrequente aanpassing korter is dan de aanpassingstijd TA voor de laagfrequente aanpassing ten minste met een factor 10, in het bijzonder ten minste met een factor 100 of 1000.
3. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies,
waarin een slag voor instellen van de werkafstand van de laagfrequente of statische aanpassing groter is dan de slag voor de hoogfrequente aanpassing ten minste met een factor 5, in het bijzonder met een factor 8 en/or 10.
4. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies, waarin een tweede werkpunt wordt gedefinieerd ten minste door een tweede werkafstand tussen de objectief-lens (102) en het waferoppervlak en waarin de tweede werkafstand verschilt van de eerste werkafstand van het eerste werkpunt, waarin de regelaar (10) is ingericht om een laagfrequente aanpassing uit te voeren in het geval van een wijziging tussen het eerste werkpunt en het tweede werkpunt en om ten minste de magnetische objectief-lens (102) en/of een actuator van de bemonsteringtrap te regelen op het tweede werkpunt zodanig dat de eerste individuele deeltjesbundels (3) scherp gesteld zijn op het waferoppervlak dat zich op de tweede werkafstand bevindt.
5. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens de voorgaande conclusie, waarin de regelaar (10) 1s ingericht om een autofocuscorrectielensregelsignaal te genereren voor hoogfrequente aanpassingen op basis van de werkelijke autofocusdata op het tweede werkpunt gedurende de waferinspectie om de snelle autofocuscorrectielens (824) te regelen gedurende de waferinspectie op het tweede werkpunt.
6. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies, waarin het tweede werkpunt verder wordt gedefinieerd door een landingshoek van de eerste individuele deeltjesbundels (3) in het objectvlak
(101) en door een gridopstelling van de eerste individuele deeltjesbundels (3) in het objectvlak (101), en waarin de regelaar (10) verder is ingericht om de landingshoek en de gridopstelling in hoofdzaak constant te houden gedurende de hoogfrequente aanpassing op het tweede werkpunt.
7. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens de voorgaande conclusie, waarin de regelaar (10) is ingericht om de landingshoek en de gridopstelling in hoofdzaak constant te houden zelfs gedurende een wisseling tussen het eerste werkpunt en het tweede werkpunt.
8. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies, waarin de autofocuscorrectielens (824) een snelle elektrostatische lens omvat.
9. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 8, waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld in een cross-over- vlak van de eerste individuele deeltjesbundels (3).
10. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 8, waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld tussen het waferoppervlak en een lagere poolschoen (109) van de magnetische objectief- lens (102).
11. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 8, waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld tussen de hogere (108) en lagere (109) poolschoen van de magnetische objectief-lens (102).
12. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 8,
waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld in een bundelbuisuitbreiding (464), welke uitsteekt de objectief-lens (102) in vanuit de richting van de hogere poolschoen (108).
13. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 8, verder omvattende een bundeldeflectiesysteem (500) tussen de bundelschakelaar (400) en de objectief-lens (102) welke is ingericht om het waferoppervlak te rasterscannen door middel van een scannende beweging van de eerste individuele deeltjesbundels (3), waarin de autofocuscorrectielens (824) gerealiseerd wordt als een offset op het bundeldeflectiesysteem (500).
14. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 8, verder omvattende een bundeldeflectiesysteem (500) tussen de bundelschakelaar (400) en de objectief-lens (102) welke is ingericht om het waferoppervlak te rasterscannen door middel van een scannende beweging van de eerste individuele deeltjesbundels (3); waarin het bundeldeflectiesysteem (500) een bovenste deflector (500a) en een onderste deflector (500b) omvat achtereenvolgens opgesteld in de richting van het bundelpad; en waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld tussen de bovenste deflector (50024) en de onderste deflector (500b).
15. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 8, verder omvattende een bundeldeflectiesysteem (500) tussen de bundelschakelaar (400) en de objectief-lens (102) welke is ingericht om het waferoppervlak te rasterscannen door middel van een scannende beweging van de eerste individuele deeltjesbundels (3); waarin het bundeldeflectiesysteem (500) een bovenste deflector (500a) en een onderste deflector (500b) omvat achtereenvolgens opgesteld in de richting van het bundelpad; en waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld tussen de onderste deflector (500b) en een bovenste poolschoen (109) van de magnetische objectief-lens (102).
16. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 8, verder omvattende een bundelbuis (460) welke in staat 1s om leeggemaakt te worden en welke in hoofdzaak het eerste optische- deeltjesbundelpad van de meerdere-deeltjesbundelgenerator tot de objectief- lens (102) omsluit, waarin de bundelbuis (460) een interruptie heeft en waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld in deze interruptie.
17. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 16, verder omvattende een veldlenssysteem (307) welke 1s opgesteld in het eerste optische-deeltjesbundelpad tussen de meerdere- deeltjesbundelgenerator en de bundelschakelaar (400), waarm de interruptie van de bundelbuis (460) waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld opgesteld is tussen het veldlenssysteem (307) en de bundelschakelaar (400).
18. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 16, waarin de bundelschakelaar (400) twee magnetische sectoren (410, 420) omvat en waarin de interruptie van de bundelbuis (460) waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld is voorzien in de regio van de bundelschakelaar (400) tussen de twee magnetische sectoren (410, 420).
19. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 16, verder omvattende een bundeldeflectiesysteem (500) tussen de bundelschakelaar (400) en de objectief-lens (102) welke is ingericht om het waferoppervlak te rasterscannen door middel van een scannende beweging van de eerste individuele deeltjesbundels (3),
waarin de interruptie van de bundelbuis (460) waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld is voorzien tussen de bundelschakelaar (400) en het bundeldeflectiesysteem (500).
20. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 16, verder omvattende een veldlenssysteem (307) welke 1s opgesteld in het eerste optische-deeltjesbundelpad tussen de meerdere- deeltjesbundelgenerator en de bundelschakelaar (400), waarin de interruptie van de bundelbuis (460) waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld opgesteld is binnen een magnetisch-veldlens van het veldlenssysteem (307).
21. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 8, verder omvattende een bundelbuis (460) welke in staat 1s om leeggemaakt te worden en welke in hoofdzaak het eerste optische- deeltjesbundelpad van de meerdere-deeltjesbundelgenerator tot de objectief- lens (102) omsluit, waarin de autofocuscorrectielens (824) is uitgevoerd als een buislens en is opgesteld in de bundelbuis (460).
22. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 21, verder omvattende een veldlenssysteem (307) welke is opgesteld in het eerste optische-deeltjesbundelpad tussen de meerdere- deeltjesbundelgenerator en de bundelschakelaar (400), waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld tussen het veldlenssysteem (307) en de bundelschakelaar (400) in de bundelbuis (460).
23. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 21, waarin de bundelschakelaar (400) twee magnetische sectoren (410, 420) omvat en waarin de autofocuscorrectielens (824) voorzien is tussen de twee magnetische sectoren (410, 420) in de bundelbuis (460).
24. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 21, verder omvattende een bundeldeflectiesysteem (500) tussen de bundelschakelaar (400) en de objectief-lens (102) welke is ingericht om het waferoppervlak te rasterscannen door middel van een scannende beweging van de eerste individuele deeltjesbundels (3), waarin de autofocuscorrectielens (824) is voorzien tussen de bundelschakelaar (400) en het bundeldeflectiesysteem (500) in de bundelbuis (460).
25. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 21, verder omvattende een veldlenssysteem (307) welke is opgesteld in het eerste optische-deeltjesbundelpad tussen de meerdere- deeltjesbundelgenerator en de bundelschakelaar (400), waarin de autofocuscorrectielens (824) is opgesteld binnen in een magnetisch-veldlens (307) in de bundelbuis (460).
26. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de conclusies 1-7, waarin de snelle autofocuscorrectielens (824) een snelle magnetische lens omvat, in het bijzonder een luchtspoel.
27. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 26, verder omvattende een bundelbuis (460) welke in staat is om leeggemaakt te worden en welke in hoofdzaak het eerste optische- deeltjesbundelpad van de meerdere-deeltjesbundelgenerator tot de objectief- lens (102) omsluit, waarin de snelle magnetische lens is opgesteld buiten rond de bundelbuis (460).
28. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 27, verder omvattende een veldlenssysteem (307) welke 1s opgesteld in het eerste optische-deeltjesbundelpad tussen de meerdere- deeltjesbundelgenerator en de bundelschakelaar (400), waarin de snelle magnetische lens is opgesteld tussen het veldlenssysteem (307) en de bundelschakelaar (400) rond de bundelbuis (460).
29. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 27, waarin de bundelschakelaar (400) twee magnetische sectoren (410, 420) heeft en waarin de snelle magnetische lens is opgesteld tussen de twee magnetische sectoren (410, 420) rond de bundelbuis (460).
30. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 27, verder omvattende een bundeldeflectiesysteem (500) tussen de bundelschakelaar (400) en de objectief-lens (102) welke is ingericht om het waferoppervlak te rasterscannen door middel van een scannende beweging van de eerste individuele deeltjesbundels (3), waarin de snelle magnetische lens is opgesteld tussen de bundelschakelaar (400) en het bundeldeflectiesysteem (500) rond de bundelbuis (460).
31. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 27, verder omvattende een bundeldeflectiesysteem (500) tussen de bundelschakelaar (400) en de objectief-lens (102) welke is ingericht om het waferoppervlak te rasterscannen door middel van een scannende beweging van de eerste individuele deeltjesbundels (3), waarin het bundeldeflectiesysteem (500) een bovenste deflector (500a) en een onderste deflector (500b) omvat achtereenvolgens opgesteld in de richting van het bundelpad; en waarin de snelle magnetische lens is opgesteld tussen de bovenste deflector (50023) en de onderste deflector (500b) rond de bundelbuis (460).
32. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies, waarin het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) verder een snelle telecentriciteitscorrectiemiddel (825) omvat, welke is ingericht om in hoofdzaak bij te dragen aan corrigeren van een tangentiële telecentriciteitsfout van de eerste individuele deeltjesbundels (3) in het tweede veld (103), en waarin de regelaar (10) is ingericht om een telecentriciteitscorrectiemiddelregelsignaal te genereren voor hoogfrequente aanpassingen op het respectievelijke werkpunt gedurende de waferinspectie op de basis van de werkelijke autofocusdata om het snelle telecentriciteitscorrectiemiddel (825) te regelen gedurende de waferinspectie.
33. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 32, waarin het telecentriciteitscorrectiemiddel (825) een eerste deflector- array omvat welke 1s opgesteld in een tussenbeeldvlak (325) van het eerste optische-deeltjesbundelpad.
34. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies, waarin het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) verder een snel rotatiecorrectiemiddel (826) omvat, welke is ingericht om in hoofdzaak bij te dragen aan corrigeren van een rotatie van de eerste individuele deeltjesbundels (3) in het tweede veld (103), en waarin de regelaar (10) is ingericht om een rotatiecorrectiemiddelregelsignaal te genereren voor hoogfrequente aanpassingen op basis van de werkelijke autofocusdata gedurende de waferinspectie op het respectievelijke werkpunt om het snelle rotatiecorrectiemiddel (826) te regelen gedurende de waferinspectie.
35. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens de voorgaande conclusie, waarin het rotatiecorrectiemiddel (826) een luchtspoel omvat.
36. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusies 33 en 34, waarin het rotatiecorrectiemiddel (826) een tweede deflectorarray omvat, welke, op een afstand, is opgesteld direct stroomopwaarts of stroomafwaarts van de eerste deflectorarray.
37. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusies 33 en 34, waarin het rotatiecorrectiemiddel (826) een multi-lens-array omvat welke, op een afstand, is opgesteld direct stroomopwaarts of stroomafwaarts van de eerste deflectorarray en op zodanige wijze dat de eerste individuele deeltjesbundels (3) door de multi-lens-array passeren op buiten-assige wijze.
38. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 34, waarin de meerdere-deeltjesbundelgenerator het snelle rotatiecorrectiemiddel (826) omvat en het rotatiecorrectiemiddel (826) actief geroteerd wordt door het rotatiecorrectiemiddelregelsignaal.
39. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 34, waarin het snelle rotatiecorrectiemiddel (826) een eerste magnetisch- veld-genererend apparaat omvat voor genereren van een eerste zwak- magnetisch veld en een tweede magnetisch-veld-genererend apparaat voor genereren van een tweede zwak-magnetisch veld, en waarin het eerste magnetisch-veld-genererend apparaat alleen geregeld wordt voor een rotatie in een positieve rotatierichting en het tweede magnetisch-veld-genererend apparaat alleen geregeld wordt voor een rotatie in een negatieve rotatierichting door de regelaar (10) door middel van het rotatiecorrectiemiddelregelsignaal.
40. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens conclusie 39, waarin het eerste en het tweede magnetisch veld een axiale configuratie hebben en zijn opgesteld in een convergerend of divergerend deel van de eerste individuele deeltjesbundels (3) in het eerste optische- deeltjesbundelpad.
41. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies, waarin een maximale deviatie van elke individuele deeltjesbundel (3) vanaf een gewenste landingspositie op het wateroppervlak niet meer dan 10 nm, in het bijzonder niet meer dan 5 nm, 2 nm, 1 nm, of 0.5 nm is.
42. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies, waarin de regelaar (10) is ingericht om de bepaling van het autofocuscorrectielensregelsignaal en/of het rotatiecorrectiemiddelregelsignaal en/of het telecentriciteitscorrectiemiddelregelsignaal uit te voeren op basis van de werkelijke autofocusdata gebruik makend van een geïnverteerde sensitiviteitsmatrix welke de invloed van regelveranderingen van optische- deeltjescomponenten op optische-deeltjesparameters beschrijft welke het optische-deeltjes-afbeelden op het respectievelijke werkpunt karakteriseren.
43. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies, waarin de regelaar (10) is ingericht voor een statische of laagfrequente aanpassing van een scherpstellen in het tweede optische- deeltjesbundelpad om, op het respectievelijke werkpunt met de geassocieerde werkafstand, optische-deeltjescomponenten te regelen in het tweede optische-deeltjesbundelpad op een zodanige wijze dat de tweede individuele deeltjesbundels (9), welke afkomstig zijn van het waferoppervlak gepositioneerd op de respectievelijke werkafstand, scherp gesteld zijn op de detectieregionen (215) in het derde veld (217).
44. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies, waarin het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) verder een snel projectiepadcorrectiemiddel (844) omvat, welke een meerdelige uitvoeringsvorm kan hebben en welke is ingericht om een hoogfrequente aanpassing te ondernemen van de scherpstelling van de tweede individuele deeltjesbundels (9), van de gridopstelling, van landingshoeken en/of van het contrast van de tweede individuele deeltjesbundels (9) na incidentie op de detectieregionen (215) in het derde veld (217), en waarin de regelaar (10) is ingericht om een projectiepadregelsignaal of een set van projectiepadregelsignalen te genereren op basis van de werkelijke autofocusdata gedurende de waferinspectie op het respectievelijke werkpunt om het snelle projectiepadcorrectiemiddel (844) te regelen.
45. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies, waarin het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) verder een projectiepadmeetelement (842) om projectiepadmeetdata te genereren voor karakteriseren van de optische-deeltjes-beeldvorming in het tweede pad gedurende de waferinspectie, waarin het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) verder een snel projectiepadcorrectiemiddel (844) omvat, welke een meerdelige uitvoeringsvorm kan hebben en welke is ingericht om een hoogfrequente aanpassing te ondernemen van de scherpstelling van de tweede individuele deeltjesbundels (9), van de gridopstelling, van landingshoeken en/of van het contrast van de tweede individuele deeltjesbundels (9) na incidentie op de detectieregionen (215) in het derde veld (217), en waarin de regelaar (10) is ingericht om een projectiepadregelsignaal of een set van projectiepadregelsignalen te genereren op basis van de projectiepadmeetdata gedurende de waferinspectie op het respectievelijke werkpunt om het snelle projectiepadcorrectiemiddel (844) te regelen.
46. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de twee claims 44 en 45, waarin een contrastdiafragmastop is opgesteld in het tweede optische-deeltjesbundelpad in een cross-overvlak, waarin het projectiepadcorrectiemiddel (844) een snel contrastcorrectiemiddel omvat met ten minste één elektrostatische deflector, ten minste één elektrostatische lens en/of ten minste één elektrostatische stigmator voor beïnvloeden van het optische- deeltjesbundelpad door de contrastdiafragmastop, en waarin de regelaar (10) is ingericht om het contrastcorrectiemiddel te regelen met een contrastcorrectieregelsignaal of een set van contrastcorrectieregelsignalen, op een zodanige wijze dat een contrast van de tweede individuele deeltjesbundels (9) in hoofdzaak constant gehouden wordt gedurende de incidentie op de detectieregionen (215) in het derde veld.
47. Het meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies, omvattende een verdere autofocuscorrectielens (824) of een veelvoud aan verdere snelle autofocuscorrectielenzen (824).
48. Een werkwijze voor bedienen van een meerdere- deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de voorgaande conclusies 1 tot en met 47, de werkwijze omvattende de volgende stappen van: genereren van meetdata op een eerste werkpunt voor een huidige scherpstelling op het waferoppervlak;
bepalen van werkelijke autofocusdata op basis van de meetdata; bepalen van een autofocuscorrectielensregelsignaal op basis van de werkelijke autofocusdata; en regelen van een snel autofocuscorrectielenssysteem (824) en de scherpstelling op het waferoppervlak constant houden op een hoogfrequente wijze, waarin de gridopstelling en de landingshoek van de eerste individuele deeltjesbundels (3) na incidentie op het waferoppervlak op vergelijkbare wijze constant gehouden worden op het eerste werkpunt.
49. De werkwijze voor bedienen van een meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens de voorgaande conclusie, waarin het snelle autofocuscorrectielenssysteem (824) een elektrostatische lens omvat.
50. De werkwijze voor bedienen van een meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens claim 48 of 49, waarin het snelle autofocuscorrectielenssysteem (824) een magnetische lens omvat.
51. De werkwijze voor bedienen van een meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van conclusies 48 tot en met 50, verder omvattende de volgende stappen van: genereren van een telecentriciteitregelsignaal op basis van de werkelijke autofocusdata; en regelen van het snelle telecentriciteitmiddel (825).
52. De werkwijze voor bedienen van een meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de conclusies 48 tot en met 51, verder omvattende de stappen van: generen van een rotatiecorrectieregelsignaal op de basis van de werkelijke autofocusdata; en regelen van het snelle rotatiecorrectiemiddel (826).
53. De werkwijze voor bedienen van een meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de conclusies 48 tot en met 52, verder omvattende de volgende stappen van: orthogonaliseren van effecten van de optische-deeltjescomponenten welke gebruikt worden voor de correctie of correcties.
54. De werkwijze voor bedienen van een meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de conclusies 48 tot en met 53, verder omvattende de volgende stappen van: generen van projectiepadmeetdata voor karakteriseren van de optische-deeltjes-beeldvorming in het tweede pad; bepalen van een projectiepadregelsignaal op de basis van de projectiepadmeetdata; en regelen van het snelle projectiepadcorrectiemiddel (844), welke een meerdelige uitvoeringsvorm kan hebben, door middel van het projectiepadregelsignaal of door middel van een set projectiepadregelsignalen, waarin de scherpstelling, de gripopstelling en de landingshoek van de tweede individuele deeltjesbundels (9) na incidentie op het detectievlak (211) constant gehouden worden op het eerste werkpunt.
55. De werkwijze voor bedienen van een meerdere-deeltjesbundelsysteem (1) volgens een van de conclusies 48 tot en met 54, regelen van een snel contrastcorrectiemiddel door middel van een contrastcorrectieregelsignaal of een set van contrastcorrectieregelsignalen en constant houden van het contrast in het detectievlak (211).
56. Een computerprogrammaproduct omvattende een programmacode voor utvoeren van de werkwijze zoals geclaimd in een van de conclusies 48 tot en met 55.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102020125534.9A DE102020125534B3 (de) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop und zugehöriges Verfahren mit schnellem Autofokus um einen einstellbaren Arbeitsabstand |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL2029294A NL2029294A (en) | 2022-06-01 |
| NL2029294B1 true NL2029294B1 (en) | 2023-09-27 |
Family
ID=78509364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL2029294A NL2029294B1 (en) | 2020-09-30 | 2021-09-30 | Multiple particle beam microscope and associated method with fast autofocus around an adjustable working distance |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102020125534B3 (nl) |
| NL (1) | NL2029294B1 (nl) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102021200799B3 (de) | 2021-01-29 | 2022-03-31 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren mit verbesserter Fokuseinstellung unter Berücksichtigung eines Bildebenenkipps in einem Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop |
| DE102021205394B4 (de) | 2021-05-27 | 2022-12-08 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Betrieb eines Vielstrahlmikroskops mit an eine Inspektionsstelle angepassten Einstellungen |
| WO2023237225A1 (en) | 2022-06-10 | 2023-12-14 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Multi-beam charged particle imaging system with improved imaging of secondary electron beamlets on a detector |
| DE102022114923A1 (de) | 2022-06-14 | 2023-12-14 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop |
| WO2023247067A1 (en) | 2022-06-23 | 2023-12-28 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Multi-beam system and multi-beam forming unit with reduced sensitivity to secondary radiation |
| WO2024099587A1 (en) | 2022-11-10 | 2024-05-16 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Multi-beam charged particle imaging system with reduced charging effects |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007019033A (ja) * | 2001-01-10 | 2007-01-25 | Ebara Corp | 電子線による検査装置、検査方法、及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
| US6852982B1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-02-08 | Fei Company | Magnetic lens |
| EP2579273B8 (en) | 2003-09-05 | 2019-05-22 | Carl Zeiss Microscopy GmbH | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| DE102004055149B4 (de) | 2004-11-16 | 2007-07-19 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Abbilden eines Mehrfach-Partikelstrahls auf ein Substrat |
| JP2007087639A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Ebara Corp | 電子線装置及びパターン評価方法 |
| ATE545147T1 (de) | 2005-09-06 | 2012-02-15 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Untersuchungsverfahren und system für geladene teilchen |
| ATE464647T1 (de) | 2005-11-28 | 2010-04-15 | Zeiss Carl Smt Ag | Teilchenoptische komponente |
| WO2010082451A1 (ja) | 2009-01-15 | 2010-07-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置 |
| CN103069536B (zh) | 2010-04-09 | 2016-04-06 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 带电粒子探测系统和多小波束检查系统 |
| CN103688333B (zh) | 2011-02-18 | 2016-10-19 | 应用材料以色列公司 | 聚焦带电粒子成像系统 |
| EP2629317B1 (en) * | 2012-02-20 | 2015-01-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device with dynamic focus and method of operating thereof |
| DE102013014976A1 (de) | 2013-09-09 | 2015-03-12 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenoptisches System |
| DE102013016113B4 (de) | 2013-09-26 | 2018-11-29 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Detektieren von Elektronen, Elektronendetektor und Inspektionssystem |
| DE102014008383B9 (de) | 2014-06-06 | 2018-03-22 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben einer Teilchenoptik |
| DE102015202172B4 (de) | 2015-02-06 | 2017-01-19 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts |
| DE102015013698B9 (de) | 2015-10-22 | 2017-12-21 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops |
| US9922796B1 (en) | 2016-12-01 | 2018-03-20 | Applied Materials Israel Ltd. | Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device |
| EP3602600A1 (en) | 2017-03-20 | 2020-02-05 | Carl Zeiss Microscopy GmbH | Charged particle beam system and method |
| TWI664649B (zh) | 2017-07-31 | 2019-07-01 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 電感裝置 |
| DE102018202421B3 (de) | 2018-02-16 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
| DE102018115012A1 (de) | 2018-06-21 | 2019-12-24 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem |
| DE102020107738B3 (de) | 2020-03-20 | 2021-01-14 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System mit einer Multipol-Linsen-Sequenz zur unabhängigen Fokussierung einer Vielzahl von Einzel-Teilchenstrahlen, seine Verwendung und zugehöriges Verfahren |
| DE102020123567A1 (de) | 2020-09-09 | 2022-03-10 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Vielzahl-Teilchenstrahl-System mit Kontrast-Korrektur-Linsen-System |
-
2020
- 2020-09-30 DE DE102020125534.9A patent/DE102020125534B3/de active Active
-
2021
- 2021-09-30 NL NL2029294A patent/NL2029294B1/en active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102020125534B3 (de) | 2021-12-02 |
| NL2029294A (en) | 2022-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL2029294B1 (en) | Multiple particle beam microscope and associated method with fast autofocus around an adjustable working distance | |
| US11562880B2 (en) | Particle beam system for adjusting the current of individual particle beams | |
| EP3408829B1 (en) | Apparatus of plural charged-particle beams | |
| US9953805B2 (en) | System for imaging a secondary charged particle beam with adaptive secondary charged particle optics | |
| TWI650550B (zh) | 用於高產量電子束檢測（ｅｂｉ）的多射束裝置 | |
| KR101556236B1 (ko) | 분산 보상을 갖는 전자 빔 디바이스, 및 이의 동작 방법 | |
| TW201833968A (zh) | 用於檢查試樣之方法以及帶電粒子多束裝置 | |
| KR102207766B1 (ko) | 이차 전자 광학계 ＆ 검출 디바이스 | |
| US8866102B2 (en) | Electron beam device with tilting and dispersion compensation, and method of operating same | |
| WO2014115708A1 (ja) | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における軌道修正方法 | |
| CN115699245A (zh) | 具有动态控制的高通过量多束带电粒子检查系统 | |
| NL2031161B1 (en) | Multiple particle beam microscope and associated method with fast autofocus with special embodiments | |
| KR20240065304A (ko) | 멀티빔 시스템에서 이미징 해상도의 전역적 및 국부적 최적화 방법 | |
| US20230245852A1 (en) | Multiple particle beam microscope and associated method with fast autofocus around an adjustable working distance | |
| TWI737146B (zh) | 用於操作具有多個細束的帶電粒子裝置的裝置和方法 | |
| KR20230018523A (ko) | 다중 소스 시스템을 갖는 입자 빔 시스템 및 다중 빔 입자 현미경 |