NL2027189B1 - Substrate thining using temporary bonding processes - Google Patents
Substrate thining using temporary bonding processes Download PDFInfo
- Publication number
- NL2027189B1 NL2027189B1 NL2027189A NL2027189A NL2027189B1 NL 2027189 B1 NL2027189 B1 NL 2027189B1 NL 2027189 A NL2027189 A NL 2027189A NL 2027189 A NL2027189 A NL 2027189A NL 2027189 B1 NL2027189 B1 NL 2027189B1
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- substrate
- article
- support
- microns
- less
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/085—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining
- H10N30/086—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining by polishing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Claims (34)
1. Artikel, omvattende: een ondersteuningseenheid, omvattende: een ondersteuningssubstraat met een oppervlak; en een hechtlaag die aan het oppervlak van het ondersteuningssubstraat gehecht is, waarbij een totale diktevariatie TTV over een breedte van de ondersteunmgseenheid ongeveer 2,0 micron of minder is.
2. Artikel volgens conclusie 1, waarbij de totale diktevariatie TTV over de breedte van de ondersteuningseenheid ongeveer 1,0 micron of minder is.
3. Artikel volgens conclusie 1 of 2, waarbij de totale diktevariatie TTV over de breedte van de ondersteuningseenheid ongeveer 0,2 micron of minder is.
4. Artikel volgens een van de conclusies 1 tot en met 3, waarbij: een totale diktevariatie TTV over een breedte van het ondersteuningssubstraat ongeveer 1,0 micron of minder is, en een totale diktevariatie TTV over een breedte van de hechtlaag ongeveer 1,0 micron of minder is.
5. Artikel volgens een van de conclusies 1 tot en met 4, waarbij het ondersteuningssubstraat een oppervlakteruwheid heeft van ongeveer 1,0 nm of minder.
6. Artikel volgens cen van de conclusies 1 tot en met 5, waarbij het ondersteuningssubstraat glas, glaskeramiek, keramiek of silicium omvat.
7. Artikel volgens een van de conclusies 1 tot en met 6, voorts omvattende een eerste substraat, waarbij de hechtlaag het ondersteuningssubstraat met het eerste substraat koppelt.
8. Artikel volgens conclusie 7, waarbij het eerste substraat lithiumtantalaat (LiTaO), lithiumniobaat (LiNbO:3), aluminiumnitride (AIN), loodzirkonaattitanaat (PZT) (Pb[Zr Ti, ]O3 (0<x<1) of een combinatie daarvan omvat.
9. Artikel volgens conclusie 7 of 8, waarbij het eerste substraat een dikte heeft van ongeveer 2,0 micron of minder.
10. Artikel volgens een van de conclusies 7 tot en met 9, waarbij de dikte van het eerste substraat in het bereik van ongeveer 0,5 micron tot ongeveer 1,7 micron ligt.
11. Artikel volgens een van de conclusies 7 tot en met 10, waarbij de ondersteuningseenheid . . 2 met het eerste substraat verbonden is met een hechtenergie van ongeveer 500 mJ/m” of meer.
12. Artikel volgens cen van de voorgaande conclusies, waarbij de hechtlaag een dikte heeft van ongeveer 1,0 nm of minder.
13. Artikel volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de dikte van de hechtlaag in een bereik van ongeveer 0.1 nm tot ongeveer 0,5 nm ligt.
14. Artikel volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de hechtlaag een of meer kationogene oppervlakte-actieve stoffen, een of meer kationogene polymeren, een of meer anionogene polymeren, een of meer organische zouten of combinaties daarvan omvat.
15. Artikel volgens conclusie 14, waarbij de kationogene oppervlakte-actieve stof een hoofdgroep omvat die een geladen stikstof omvat die is gekozen uit de groep die bestaat uit primair, secundair, tertiair of quaternair ammonium, pyridinium en combinaties daarvan.
16. Artikel volgens conclusie 14 of 15, waarbij een structurele eenheid van het kationogene polymeer een of meer van een positief geladen stikstof, fosfor, zwavel, boor of koolstof omvat.
17. Artikel volgens cen van de conclusies 14 tot en met 16, waarbij cen structurele eenheid van het anionogene polymeer een negatief geladen zuurstof omvat.
18. Artikel volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij een dikte van het ondersteuningssubstraat in het bereik van ongeveer 0,3 mm tot ongeveer 1,0 mm ligt.
19. Artikel, omvattende: een ondersteuningseenheid, omvattende: een ondersteuningssubstraat met een oppervlak; en een hechtlaag die aan het oppervlak van het ondersteuningssubstraat gehecht is, waarbij een totale diktevariatie TTV over een breedte van de ondersteuningseenheid ongeveer 2,0 micron of minder is;
een eerste substraat, waarbij de hechtlaag het ondersteuningssubstraat met het eerste substraat koppelt; en een inrichtmgsondersteuningswalfer die verwijderbaar met het ondersteuningssubstraat is gekoppeld.
20. Artikel volgens conclusie 19, waarbij het ondersteuningssubstraat glas, glaskeramiek, keramiek of silicium omvat.
21. Artikel volgens conclusie 19 of 20, waarbij het eerste substraat lithiumtantalaat (LiTa0:), lithiumniobaat (LiNbO:), alumimiamnitride (AIN), loodzirkonaattitanaat (PZT) (Pb [Zr Ti, ]O: (0Z x<1) of een combinatie daarvan omvat.
22. Artikel volgens een van de conclusies 19 tot en met 21, waarbij de inrichtingsondersteuningswafer een halfgeleiderwafer is.
23. Werkwijze voor het vormen van een dun substraat met behulp van een ondersteuningseenheid, waarbij de werkwijze omvat: het aan een ondersteuningssubstraat met een hechtlaag hechten van een eerste substraat, waarbij het ondersteuningssubstraat en de hechtlaag een ondersteuningseenheid vormen met een totale diktevariatie TTV over een breedte van de ondersteuningseenheid van ongeveer 2,0 micron of minder.
24. Werkwijze volgens conclusie 23, voorts omvattende, na het hechten van het eerste substraat aan het ondersteuningssubstraat, het verminderen van de dikte van het eerste substraat van een eerste dikte naar een tweede dikte, waarbij de tweede dikte kleiner is dan de eerste dikte.
25. Werkwijze volgens conclusie 23 of 24, waarbij de eerste dikte in een bereik van ongeveer 10 micron tot ongeveer 1000 micron ligt.
26. Werkwijze volgens conclusie 24 of 25, waarbij de tweede dikte ongeveer 2,0 micron of minder is.
27. Werkwijze volgens een van de conclusies 24 tot en met 26, voorts omvattende, na het verminderen van de dikte van het eerste substraat, het aan een inrichtingsondersteuningswafer hechten van het eerste substraat.
28. Werkwijze volgens conclusie 27, voorts omvattende het van het eerste substraat losmaken van het ondersteuningssubstraat.
29. Werkwijze volgens conclusie 28, waarbij de stap van het losmaken het uitoefenen van een zuigkracht op de inrichtingsondersteuningswafer omvat.
30. Werkwijze volgens conclusie 28 of 29, waarbij het ondersteuningssubstraat niet breekt tijdens de stap van het losmaken.
31. Werkwijze volgens conclusie 23, voorts omvattende het thermisch uitgloeien van de hechtlaag na het hechten van het eerste substraat aan het ondersteuningssubstraat.
32. Werkwijze volgens een van de conclusies 23 tot en met 31, waarbij het ondersteuningssubstraat glas, glaskeramiek, keramiek of silicium omvat.
33. Werkwijze volgens een van de conclusies 23 tot en met 32, waarbij het eerste substraat lithiumtantalaat (LiTa03), lithiumniobaat (LiNbO), ahiminiumnitride (AIN), loodzirkonaattitanaat (PZT) (Pb [Zr Ti JO: (0=x<1) of een combinatie daarvan omvat.
34. Werkwijze volgens een van de conclusies 23 tot en met 33, waarbij het ondersteuningssubstraat een oppervlakterowheid heeft van ongeveer 1,0 nm of minder.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020237018285A KR20230096091A (ko) | 2020-11-03 | 2021-11-01 | 임시 결합 공정을 사용한 기판의 박형화 방법 |
| JP2023526933A JP2023550606A (ja) | 2020-11-03 | 2021-11-01 | 仮結合プロセスを使用する基板の薄化 |
| US17/515,630 US20220140227A1 (en) | 2020-11-03 | 2021-11-01 | Substrate thining using temporary bonding processes |
| PCT/US2021/057578 WO2022098607A1 (en) | 2020-11-03 | 2021-11-01 | Substrate thining using temporary bonding processes |
| EP21206000.8A EP3993074A1 (en) | 2020-11-03 | 2021-11-02 | Substrate thining using temporary bonding processes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202063109004P | 2020-11-03 | 2020-11-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL2027189B1 true NL2027189B1 (en) | 2022-06-27 |
Family
ID=82270834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL2027189A NL2027189B1 (en) | 2020-11-03 | 2020-12-21 | Substrate thining using temporary bonding processes |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL2027189B1 (nl) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009804A1 (en) * | 1996-09-04 | 1998-03-12 | Sibond L.L.C. | Flattening process for bonded semiconductor substrates |
| EP2862846A1 (en) * | 2006-05-05 | 2015-04-22 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Processing piezoelectric material |
| WO2017087745A1 (en) | 2015-11-19 | 2017-05-26 | Corning Incorporated | Glass articles and methods for bonding glass sheets with carriers |
| US10395974B1 (en) * | 2018-04-25 | 2019-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming a thin semiconductor-on-insulator (SOI) substrate |
| JP2020150488A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 日本電気硝子株式会社 | 複合基板、電子デバイス、複合基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
-
2020
- 2020-12-21 NL NL2027189A patent/NL2027189B1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009804A1 (en) * | 1996-09-04 | 1998-03-12 | Sibond L.L.C. | Flattening process for bonded semiconductor substrates |
| EP2862846A1 (en) * | 2006-05-05 | 2015-04-22 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Processing piezoelectric material |
| WO2017087745A1 (en) | 2015-11-19 | 2017-05-26 | Corning Incorporated | Glass articles and methods for bonding glass sheets with carriers |
| US10395974B1 (en) * | 2018-04-25 | 2019-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming a thin semiconductor-on-insulator (SOI) substrate |
| JP2020150488A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 日本電気硝子株式会社 | 複合基板、電子デバイス、複合基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI428956B (zh) | 基板硬化方法以及用於層轉換過程所產生之裝置 | |
| US20220140227A1 (en) | Substrate thining using temporary bonding processes | |
| DE112017001539B4 (de) | Verbindungsverfahren | |
| CN109417367A (zh) | 声表面波器件用复合基板的制造方法 | |
| KR102256902B1 (ko) | 복합 기판 및 그 제조방법 | |
| US6858517B2 (en) | Methods of producing a heterogeneous semiconductor structure | |
| US11128277B2 (en) | Method for producing composite wafer | |
| CN109671618B (zh) | 一种高平坦度异质集成薄膜结构的制备方法 | |
| JP6452743B2 (ja) | 携帯機器用カバーガラス、携帯機器用ガラス基板 | |
| CN104718599B (zh) | 具有改善的单晶材料使用效率的伪衬底 | |
| JP2013503366A (ja) | 超音波を利用した担体からのガラス基板の剥離 | |
| KR20010012507A (ko) | 제어된 분할 방법 | |
| US20210261836A1 (en) | Temporary bonding of substrates with large roughness using multilayers of polyelectrolytes | |
| EP3771099A1 (en) | Bonded body of piezoelectric material substrate and supporting substrate | |
| KR102659516B1 (ko) | 유리 적층체 | |
| NL2027189B1 (en) | Substrate thining using temporary bonding processes | |
| KR20110115570A (ko) | 절연체-상-실리콘 구조의 가공 방법 | |
| EP3993074A1 (en) | Substrate thining using temporary bonding processes | |
| US9550696B2 (en) | Method of producing lightweight structural elements | |
| CN116686427A (zh) | 使用临时结合工艺使基材变薄 | |
| US20240208198A1 (en) | Article and method for temporary bonding of substrates | |
| CN108292699A (zh) | 用于制造混合结构的方法 | |
| KR20220046140A (ko) | 레이저와 습식 식각을 이용한 박막 글라스 커팅 및 커팅면 형상 가공 방법 | |
| US20040226910A1 (en) | Bulk optical elements incorporating gratings for optical communications and methods for producing | |
| FR3073083A1 (fr) | Procede de fabrication d'un film sur un feuillet flexible |