NL187546B - Meetinrichting voorzien van een veldeffekttransistor voor het meten van een de geleiding in het kanaal van de veldeffekttransistor beinvloedende uitwendige grootheid. - Google Patents

Meetinrichting voorzien van een veldeffekttransistor voor het meten van een de geleiding in het kanaal van de veldeffekttransistor beinvloedende uitwendige grootheid.

Info

Publication number
NL187546B
NL187546B NLAANVRAGE7811001,B NL187546DB NL187546B NL 187546 B NL187546 B NL 187546B NL 187546D B NL187546D B NL 187546DB NL 187546 B NL187546 B NL 187546B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
field effect
effect transistor
measuring
channel
guide
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7811001,B
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Publication of NL187546B publication Critical patent/NL187546B/xx

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C22/00—Alloys based on manganese
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
    • H01F1/04—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/047—Alloys characterised by their composition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Hard Magnetic Materials (AREA)
NLAANVRAGE7811001,B Meetinrichting voorzien van een veldeffekttransistor voor het meten van een de geleiding in het kanaal van de veldeffekttransistor beinvloedende uitwendige grootheid. NL187546B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL88889T

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL187546B true NL187546B (nl)

Family

ID=19759346

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL88889D NL88889C (forum.php)
NLAANVRAGE7811001,B NL187546B (nl) Meetinrichting voorzien van een veldeffekttransistor voor het meten van een de geleiding in het kanaal van de veldeffekttransistor beinvloedende uitwendige grootheid.

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL88889D NL88889C (forum.php)

Country Status (2)

Country Link
BE (1) BE528838A (forum.php)
NL (2) NL187546B (forum.php)

Also Published As

Publication number Publication date
NL88889C (forum.php) 1958-03-15
BE528838A (forum.php)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2565877A4 (en) SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE
Reddy et al. Analytical modelling for surface potential of dual material gate overlapped-on-drain TFET (DM-DMG-TFET) for label-free biosensing application
TW200706863A (en) Gated gas sensor
DE502006002308D1 (de) Sondeneinrichtung zur Messung von Prozessgrössen, insbesondere physikalisch-chemischer Messgrössen, in Fluiden
BRPI0701657A (pt) dispositivo medidor e veìculo
NL187546B (nl) Meetinrichting voorzien van een veldeffekttransistor voor het meten van een de geleiding in het kanaal van de veldeffekttransistor beinvloedende uitwendige grootheid.
EP3264416A3 (en) High speed sensing for advanced nanometer flash memory device
ATE510507T1 (de) Chirurgische portalvorrichtung mit zentriermechanismus
EP4262187A4 (en) SENSOR DRIVE DEVICE
EP4174449A4 (en) SENSOR DEVICE
ATE491960T1 (de) Radarvorrichtung
Lu et al. A unified charge model for symmetric double-gate and surrounding-gate MOSFETs
TW200632528A (en) Imaging device
ATE536799T1 (de) Tragbares körperfettmessgerät und optisches sensormodul für das gerät
NL152979B (nl) Inrichting voor het meten van de dikte van dunne films.
NL187546C (nl) Meetinrichting voorzien van een veldeffekttransistor voor het meten van een de geleiding in het kanaal van de veldeffekttransistor beinvloedende uitwendige grootheid.
EP4451341A4 (en) PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, LOW NOISE AMPLIFIER AND RELATED DEVICE
EP4443668A4 (en) GUIDE CONNECTION STRUCTURE AND ELECTRONIC DEVICE
EP4206432A4 (en) DOOR GUIDE DEVICE
EP4025960A4 (en) DECODEABLE FOCUS DISTANCE CONTROL AND INDICATOR
Fino et al. A Model-oriented Methodology for the Automatic Parameter Extraction of TFT Model
Macambira et al. Impact of process and device dimensions on Bio-TFET Sensitivity
Geng The development and characterisation of an integrated 1D-2D hybrid field-effect transistor for force-sensing applications
NL156237B (nl) Meettoestel voor het bepalen van inwendige afmetingen.
García-Sánchez et al. A continuous semi-empiric transfer characteristics model for surrounding gate undoped polysilicon nanowire MOSFETs