NL159231B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met twee overgangen tussen halfgeleidende materialen met verschillende bandafstand. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met twee overgangen tussen halfgeleidende materialen met verschillende bandafstand.

Info

Publication number
NL159231B
NL159231B NL7104888.A NL7104888A NL159231B NL 159231 B NL159231 B NL 159231B NL 7104888 A NL7104888 A NL 7104888A NL 159231 B NL159231 B NL 159231B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
transitions
procedure
manufacture
semiconductor device
semiconductive materials
Prior art date
Application number
NL7104888.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7104888A (en:Method
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7104888A publication Critical patent/NL7104888A/xx
Publication of NL159231B publication Critical patent/NL159231B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02293—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process formation of epitaxial layers by a deposition process
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/063—Sliding boat system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02395—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02581—Transition metal or rare earth elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
NL7104888.A 1970-04-14 1971-04-13 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met twee overgangen tussen halfgeleidende materialen met verschillende bandafstand. NL159231B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2836570A 1970-04-14 1970-04-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7104888A NL7104888A (en:Method) 1971-10-18
NL159231B true NL159231B (nl) 1979-01-15

Family

ID=21843047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7104888.A NL159231B (nl) 1970-04-14 1971-04-13 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met twee overgangen tussen halfgeleidende materialen met verschillende bandafstand.

Country Status (11)

Country Link
JP (1) JPS5118152B1 (en:Method)
KR (1) KR780000760B1 (en:Method)
BE (1) BE765553A (en:Method)
CH (1) CH584061A5 (en:Method)
DE (1) DE2117472B2 (en:Method)
ES (1) ES390473A1 (en:Method)
FR (1) FR2086052B1 (en:Method)
GB (1) GB1332942A (en:Method)
IE (1) IE35057B1 (en:Method)
NL (1) NL159231B (en:Method)
SE (1) SE362986B (en:Method)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE443583B (sv) * 1982-11-12 1986-03-03 Ericsson Telefon Ab L M Anordning vid vetskefasepitaxi
CN112518153B (zh) * 2020-11-12 2022-12-06 金成技术股份有限公司 一种钢管下料辅助装置及钢管激光打孔切割机

Also Published As

Publication number Publication date
FR2086052B1 (en:Method) 1977-01-28
DE2117472A1 (de) 1971-10-28
CH584061A5 (en:Method) 1977-01-31
GB1332942A (en) 1973-10-10
NL7104888A (en:Method) 1971-10-18
DE2117472B2 (de) 1975-11-06
IE35057L (en) 1971-10-14
IE35057B1 (en) 1975-10-29
BE765553A (fr) 1971-08-30
SE362986B (en:Method) 1973-12-27
FR2086052A1 (en:Method) 1971-12-31
KR780000760B1 (en) 1978-12-30
JPS5118152B1 (en:Method) 1976-06-08
ES390473A1 (es) 1974-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL148540B (nl) Inrichting voor het van een profiel voorzien van een luchtband.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL161302B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL7409252A (nl) Inrichting voor het vormen van luchtbanden.
NL162246B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderweerstand en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7606929A (nl) Inrichting voor het geleiden van drukknoop- elementen.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL177255B (nl) Inrichting voor het hersporen van een bandeenheid.
NL7414007A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL159321B (nl) Inrichting voor het vervaardigen van geextrudeerde buis.
BR7207323D0 (pt) Dispositivo anti-derrapante para veiculos
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL174918C (nl) Inrichting voor het opbouwen en vormen van een luchtband.
NL7413791A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL158022B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL153680B (nl) Drager met inrichting voor het automatisch begrenzen van de afmeting van een roentgenstraalbundel ten opzichte van de afmetingen van een cassette.
NL180290C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van biaxiaal gestrekte krimpfoelies.
NL163297C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van een ondergrondse doorgang.
NL163760C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van een glasband.
NL147201B (nl) Inrichting voor de vervaardiging van een pooltapijt.
BE791485A (nl) Inrichting voor het centreren van een
NL146128B (nl) Verbetering van een inrichting voor de vervaardiging van vlak drijfglas.

Legal Events

Date Code Title Description
NL80 Information provided on patent owner name for an already discontinued patent

Owner name: WEST ELECTRIC

V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent