NL138893B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL138893B NL138893B NL60255823A NL255823A NL138893B NL 138893 B NL138893 B NL 138893B NL 60255823 A NL60255823 A NL 60255823A NL 255823 A NL255823 A NL 255823A NL 138893 B NL138893 B NL 138893B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semiconductor device
- transistor
- procedure
- manufacture
- aluminum containing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/16—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers between a solid phase and a liquid phase
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/50—Alloying conductive materials with semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0065818 | 1959-11-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL138893B true NL138893B (nl) | 1973-05-15 |
Family
ID=7498329
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL60255823A NL138893B (nl) | 1959-11-13 | 1960-09-12 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze. |
| NL255823D NL255823A (https=) | 1959-11-13 | 1960-09-12 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL255823D NL255823A (https=) | 1959-11-13 | 1960-09-12 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE596820A (https=) |
| CH (1) | CH427037A (https=) |
| GB (1) | GB917727A (https=) |
| NL (2) | NL138893B (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3390024A (en) * | 1965-03-11 | 1968-06-25 | Texas Instruments Inc | Flux for fusing tin to gallium arsenide and method of making and using same |
-
1960
- 1960-09-12 NL NL60255823A patent/NL138893B/xx unknown
- 1960-09-12 NL NL255823D patent/NL255823A/xx unknown
- 1960-11-07 BE BE596820A patent/BE596820A/fr unknown
- 1960-11-08 CH CH1246260A patent/CH427037A/de unknown
- 1960-11-11 GB GB38837/60A patent/GB917727A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE596820A (fr) | 1961-03-01 |
| GB917727A (en) | 1963-02-06 |
| NL255823A (https=) | |
| CH427037A (de) | 1966-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL122728C (nl) | Werkwijze voor het stabiliseren van polypropeen | |
| NL139912B (nl) | Werkwijze en inrichting voor de vervaardiging van doorzichtige foelies. | |
| NL101353C (nl) | Inrichting voor het bepalen van en vervolgens corrigeren van de afwijking van een walsrol | |
| BE594804A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het opstapelen van voorwerpen. | |
| NL138893B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze. | |
| NL120258C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van heparamine | |
| NL122951C (nl) | Lagen-transistor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan | |
| NL280224A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderbouwsteen en volgens de werkwijze vervaardigde halfgeleiderbouwsteen | |
| NL141709B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| BE588928A (nl) | Werkwijze voor het zuiveren van een kristalmassa. | |
| FR1244736A (fr) | Organe semi-conducteur, en particulier transistor | |
| NL270339A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met breedbandelectrode | |
| CA571703A (en) | Semiconductor transistor device | |
| AU241133B2 (en) | Transistor semiconductor device and method of making same | |
| BE573183R (nl) | Werkwijze en toestel voor het thermisch behandelen van halfgeleider produkten. | |
| AU5216659A (en) | Transistor semiconductor device and method of making same | |
| CH389693A (de) | Selektiver Transistorwechselstromverstärker | |
| BE611121A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidende inrichting. | |
| CA539245A (en) | Device for discontinuous integration | |
| AU236799B2 (en) | Novel method for fabricating transistor and article | |
| FR1228332A (fr) | Dispositif bistable à transistors | |
| CA579039A (en) | Contacting arrangement for semiconductor device, and method for the fabrication thereof | |
| CA576085A (en) | Transistor reactance device | |
| CA588788A (en) | Transistor reactance device | |
| AU261051B2 (en) | Process and device for sectioning the borders of soft work - pieces of leather and the like |