NL138893B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze.

Info

Publication number
NL138893B
NL138893B NL60255823A NL255823A NL138893B NL 138893 B NL138893 B NL 138893B NL 60255823 A NL60255823 A NL 60255823A NL 255823 A NL255823 A NL 255823A NL 138893 B NL138893 B NL 138893B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor device
transistor
procedure
manufacture
aluminum containing
Prior art date
Application number
NL60255823A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of NL138893B publication Critical patent/NL138893B/xx

Links

Classifications

    • H10D64/011—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
    • H10P32/16—
    • H10P95/00—
    • H10P95/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
NL60255823A 1959-11-13 1960-09-12 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze. NL138893B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0065818 1959-11-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL138893B true NL138893B (nl) 1973-05-15

Family

ID=7498329

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL60255823A NL138893B (nl) 1959-11-13 1960-09-12 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze.
NL255823D NL255823A (OSRAM) 1959-11-13 1960-09-12

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL255823D NL255823A (OSRAM) 1959-11-13 1960-09-12

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE596820A (OSRAM)
CH (1) CH427037A (OSRAM)
GB (1) GB917727A (OSRAM)
NL (2) NL138893B (OSRAM)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3390024A (en) * 1965-03-11 1968-06-25 Texas Instruments Inc Flux for fusing tin to gallium arsenide and method of making and using same

Also Published As

Publication number Publication date
CH427037A (de) 1966-12-31
GB917727A (en) 1963-02-06
NL255823A (OSRAM)
BE596820A (fr) 1961-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL122728C (nl) Werkwijze voor het stabiliseren van polypropeen
NL140166B (nl) Inrichting voor het met vloeistof behandelen van baanvormig materiaal.
FR1246041A (fr) Dispositif semi-conducteur et procédé pour sa fabrication
NL101353C (nl) Inrichting voor het bepalen van en vervolgens corrigeren van de afwijking van een walsrol
BE594804A (nl) Werkwijze en inrichting voor het opstapelen van voorwerpen.
NL138893B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze.
NL120258C (nl) Werkwijze voor het bereiden van heparamine
NL154867B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor.
NL122951C (nl) Lagen-transistor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan
NL280224A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderbouwsteen en volgens de werkwijze vervaardigde halfgeleiderbouwsteen
NL141709B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
BE588928A (nl) Werkwijze voor het zuiveren van een kristalmassa.
FR1244736A (fr) Organe semi-conducteur, en particulier transistor
FR1214352A (fr) Dispositif semi-conducteur et procédé pour le fabriquer
CA571703A (en) Semiconductor transistor device
AU241133B2 (en) Transistor semiconductor device and method of making same
BE573183R (nl) Werkwijze en toestel voor het thermisch behandelen van halfgeleider produkten.
AU5216659A (en) Transistor semiconductor device and method of making same
BE611121A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidende inrichting.
CA539245A (en) Device for discontinuous integration
BE577908A (nl) Inrichting voor het nemen van een bad.
AU236799B2 (en) Novel method for fabricating transistor and article
CA588788A (en) Transistor reactance device
CA576085A (en) Transistor reactance device
AU261051B2 (en) Process and device for sectioning the borders of soft work - pieces of leather and the like