NL138893B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze.

Info

Publication number
NL138893B
NL138893B NL60255823A NL255823A NL138893B NL 138893 B NL138893 B NL 138893B NL 60255823 A NL60255823 A NL 60255823A NL 255823 A NL255823 A NL 255823A NL 138893 B NL138893 B NL 138893B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor device
transistor
procedure
manufacture
aluminum containing
Prior art date
Application number
NL60255823A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of NL138893B publication Critical patent/NL138893B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/228—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
NL60255823A 1959-11-13 1960-09-12 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze. NL138893B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0065818 1959-11-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL138893B true NL138893B (nl) 1973-05-15

Family

ID=7498329

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL60255823A NL138893B (nl) 1959-11-13 1960-09-12 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze.
NL255823D NL255823A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) 1959-11-13 1960-09-12

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL255823D NL255823A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) 1959-11-13 1960-09-12

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE596820A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
CH (1) CH427037A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
GB (1) GB917727A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
NL (2) NL138893B (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3390024A (en) * 1965-03-11 1968-06-25 Texas Instruments Inc Flux for fusing tin to gallium arsenide and method of making and using same

Also Published As

Publication number Publication date
NL255823A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
BE596820A (fr) 1961-03-01
CH427037A (de) 1966-12-31
GB917727A (en) 1963-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL124744C (nl) Werkwijze voor het stabiliseren van polypropeen
NL140166B (nl) Inrichting voor het met vloeistof behandelen van baanvormig materiaal.
NL139912B (nl) Werkwijze en inrichting voor de vervaardiging van doorzichtige foelies.
FR1246041A (fr) Dispositif semi-conducteur et procédé pour sa fabrication
NL101353C (nl) Inrichting voor het bepalen van en vervolgens corrigeren van de afwijking van een walsrol
BE594804A (nl) Werkwijze en inrichting voor het opstapelen van voorwerpen.
NL138893B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, in het bijzonder een transistor, door het inlegeren van een aluminiumbevattende elektrode in een germaniumkristal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassen van deze werkwijze.
NL120258C (nl) Werkwijze voor het bereiden van heparamine
NL122951C (nl) Lagen-transistor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan
NL280224A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderbouwsteen en volgens de werkwijze vervaardigde halfgeleiderbouwsteen
NL141709B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
FR1244736A (fr) Organe semi-conducteur, en particulier transistor
BE588928A (nl) Werkwijze voor het zuiveren van een kristalmassa.
CA571703A (en) Semiconductor transistor device
AU241133B2 (en) Transistor semiconductor device and method of making same
AU5216659A (en) Transistor semiconductor device and method of making same
CH389693A (de) Selektiver Transistorwechselstromverstärker
BE611121A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidende inrichting.
CA539245A (en) Device for discontinuous integration
BE577908A (nl) Inrichting voor het nemen van een bad.
AU236799B2 (en) Novel method for fabricating transistor and article
FR1228332A (fr) Dispositif bistable à transistors
CA579039A (en) Contacting arrangement for semiconductor device, and method for the fabrication thereof
CA588788A (en) Transistor reactance device
BE574795A (nl) Werkwijze, alsmede inrichting voor het behandelen van deeg.