MX2012005267A - Amplificador de energia de montaje superficial y red de adaptacion de impedancias. - Google Patents

Amplificador de energia de montaje superficial y red de adaptacion de impedancias.

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Abstract

Se divulgan modalidades de circuitos, aparatos, y sistemas para un amplificador de energía de montaje superficial y red de adaptación de impedancias. Otras modalidades pueden ser descritas y reivindicadas.

Description

AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE MONTAJE SUPERFICIAL Y RED DE ADAPTACIÓN DE IMPEDANCIAS CAMPO DE LA INVENCIÓN Las modalidades de la presente divulgación se refieren generalmente al campo de circuitos, y más particularmente a un amplificador de energía de montaje superficial (flip-chip) y red de adaptación de impedancias.
ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN Se requieren redes de adaptación de impedancias con grandes relaciones de transformación en una salida de un amplificador de energía dados voltajes de suministro práctico e impedancias de antenas. Estas relaciones de transformación típicamente exceden 12:1. Tal red de adaptación de impedancias se implementa mediante una combinación de dispositivos montados en superficie (SMDs, Surface Mounted Devices), p.ej., condensadores, y elementos conductivos, p.ej., inductores, en un portador laminado. Los SMDs en el portador laminado y los elementos conductivos en el portador laminado tienen variabilidad importante en producción y ocupan una porción importante del espacio del amplificador de energía .
BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS Las modalidades se ilustran a manera de ejemplo y no a manera de limitación en las figuras de los dibujos de acompañamiento, en los que las referencias similares indican elementos similares y en los que: La Figura 1 ilustra una vista en sección transversal de un módulo amplificador de energía de radiofrecuencia de acuerdo con algunas modalidades.
La Figura 2 ilustra una vista de la parte superior de módulo amplificador de energía de radiofrecuencia de acuerdo con algunas modalidades.
La Figura 3 ilustra una vista de la parte superior de un módulo amplificador de energía de radiofrecuencia de acuerdo con algunas modalidades.
La Figura 4 es un diagrama de circuito del módulo amplificador de energía de radiofrecuencia de acuerdo con algunas modalidades.
La Figura 5 es un diagrama de flujo que representa un proceso de ensamble de un módulo amplificador de energía de radiofrecuencia de acuerdo con algunas modalidades.
La Figura 6 es un dispositivo de comunicación inalámbrica ejemplar de acuerdo con algunas modalidades de la presente divulgación.
DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN Varios aspectos de las modalidades ilustrativas serán descritos utilizando términos que se emplean comúnmente por aquellos experimentados en la materia para transmitir la substancia de su trabajo a otros experimentados en la materia. Sin embargo, será aparente para aquellos experimentados en la materia que se pueden practicar modalidades alternas con solamente algunos de los aspectos descritos. Para propósitos de explicación, se establecen dispositivos específicos y configuraciones con el fin de proporcionar un entendimiento completo de las modalidades ilustrativas. Sin embargo, será aparente para alguien experimentado en la materia que se pueden practicar modalidades alternas sin los detalles específicos. En otros casos, las características bien conocidas se omiten o se simplifican para no oscurecer las modalidades ilustrativas.
Además, varias operaciones serán descritas como operaciones discretas múltiples, a su vez, en una manera que sea más útil en el entendimiento de la presente divulgación; sin embargo, el orden de la descripción no se debe interpretar como que implique que estas operaciones necesariamente dependen del orden. En particular, no se necesita que estas operaciones se lleven a cabo en el orden de presentación.
La frase "en una modalidad" se utiliza repetidamente. La frase no se refiere generalmente a la misma modalidad; sin embargo, puede. Los términos "que comprende", "que tiene", y "que incluye" son sinónimos, a menos que el contexto dicte lo contrario.
Al proporcionar algún contexto de aclaración al lenguaje que se puede utilizar en relación con las diversas modalidades, las frases "A/B" y "A y/o B" significan (A) , (B) , o (A y B) ; y la frase "A, B, y/o C" significa (A) , (B) , (C) , (A y B), (A y C) , (B y C) o (A, B y C) .
El término "acoplado con", junto con sus derivados, se puede utilizar en este documento. "Acoplado" puede significar uno o más de los siguientes. "Acoplado" puede significar que dos o más elementos están en contacto físico o eléctrico directo. Sin embargo, "acoplado" puede también significar que dos o más elementos están en contacto indirectamente entre ellos, pero aun así cooperan o interactúa uno con el otro, y puede significar que uno o más de otros elementos están acoplados o conectados entre los elementos que se dicen están acoplados entre ellos.
La Figura 1 ilustra una vista en sección transversal de un módulo amplificador de energía (PA, Power Amplifier) de radiofrecuencia (RF, Radio Frequency) 100 de acuerdo con varias modalidades. El módulo de RF PA 100 incluye un dado activo 104 y un dado pasivo 108 acoplados con un sustrato portador 112. Un dado de activo, como se utiliza en este documento, se puede referir a un dado que incluye uno o más componentes activos integrados. Un componente activo es un componente capaz de proporcionar alguna ganancia de energía, tal como un transistor. Los componentes activos del dado activo 104 pueden formar un amplificador de energía de RF 116 que está diseñado para amplificar una señal de RF recibida en una entrada 118 del módulo de RF ?? 100. El dado activo 104 se puede realizar en, por ejemplo, un sustrato de silicón o arseniuro de galio (GsAs).
Un dado pasivo, como se utiliza en este documento, se puede referir a un dado que estrictamente incluye componentes pasivos integrados. Un componente pasivo es un componente reactivo que no es capaz de proporcionar una ganancia de energía, tal como inductores, condensadores, resistores, y/o componentes de líneas de transmisión. Los componentes pasivos del dado pasivo 108 pueden formar una red de adaptación de impedancias 120 que implementa al menos una mayoría de la adaptación de impedancias entre el amplificador de energía de RF 116 y una salida 122 del módulo de RF PA 100. En algunas modalidades, uno o más de los componentes pasivos de la red de adaptación de impedancias 120 puede estar colocado en el sustrato portador 112, con los componentes pasivos restantes colocados en el dado pasivo 108. El dado pasivo 108 se puede realizar en, por ejemplo, un sustrato de pérdida baja tal como silicio de alta resistividad, vidrio, o sustrato mecánico de GaAs .
Ambos el dado activo 104 y el dado pasivo 108 se pueden acoplar por montaje superficial con el sustrato portador 112 a través de una formación de postes de metal 124 y tapas de soldadura 128. En algunas modalidades, los postes de metal 124 pueden ser postes de cobre y las tapas de soldadura 128 pueden ser tapas de estaño y/o plata. Los postes de metal 124 y las tapas de soldadura 128 pueden acoplar mecánicamente y eléctricamente el dado activo 104 y el dado pasivo 108 con el sustrato portador 112. El sustrato portador 112 puede incluir trazas 132 que acoplan eléctricamente el amplificador de energía de RF 116 con la red de adaptación de impedancias 120. Las trazas 132 también pueden acoplar eléctricamente el amplificador de energía de RF 116 con la entrada 118; y la red de adaptación de impedancias 120 con la salida 122. El sustrato portador 112 puede ser un portador laminado, p.ej., una placa de circuito impreso (PCB, Printed Circuit Board) . En algunas modalidades, el sustrato portador 112 puede ser uno o más bastidores de plomo que están unidos a otro sustrato, más grande (p.ej., una PCB).
Todos los postes de metal 124 pueden tener una altura igual de al menos aproximadamente 50 micrómetros (µp?) , por ejemplo. Tal altura puede proporcionar un aislamiento eléctrico deseado entre los dado s, p.ej., el dado activo 104 y el dado pasivo 108, y el sustrato portador 112. Sin realizar este aislamiento eléctrico deseado, los campos eléctricos de los circuitos en los dado s se pueden ver afectados negativamente por un plano a tierra 134 en el sustrato portador 112.
Una altura de al menos aproximadamente 50 µp? puede también facilitar el flujo de una epóxica y partículas de relleno 136 alrededor y entre los postes de metal 124. La epóxica y las partículas de relleno 136 se pueden inyectar en un molde de tal manera que éste cubra y proteja los dados de la humedad y/o esfuerzos mecánicos. Si los postes de metal 124 son menores que aproximadamente 50 µ?t?, se puede restringir el flujo de la epóxica y las partículas de relleno 136 entre los dados y el sustrato portador 112 debido a los tamaños de las partículas dentro de la epóxica y las partículas de relleno 136.
Al implementar la red de adaptación de impedancias 120 en el dado pasivo 108 y acoplar por montaje superficial tanto el dado pasivo 108 como el dado activo 104 al sustrato portador 112 se puede proporcionar un número de ventajas. Una de esas ventajas es la realización de resistencias parasitarias relativamente bajas en una trayectoria eléctrica desde el amplificador de energía de RF 116 a la red de adaptación de impedancias 120 a través del sustrato portador 112, comparado con un módulo de RF PA del arte actual.
Un módulo de RF PA del arte actual puede tener un dado activo acoplado con una red de adaptación de impedancias fuera del dado a través de uniones de alambre. Las uniones de alambre que acoplan el dado activo a la red de adaptación de impedancias fuera del dado tendrán longitudes de circuito variables que agregan resistencia parasitaria a las trayectorias eléctricas en el mismo e incrementarán la variabilidad de fabricación. Debido a la baja impedancia en una salida de un amplificador de energía de RF, p.ej., 2 ohms, la resistencia parasitaria excesiva en las trayectorias eléctricas está asociada con un costo de desempeño importante .
El acoplamiento por montaje superficial (flip-chip) de los dados en la presente divulgación, por el otro lado, se puede hacer con precisión muy alta de colocación de dado. Esta precisión muy alta de colocación de dado, junto con la baja resistencia e inductancia de los postes de metal 124, puede resultar en la baja resistencia parasitaria de las trayectorias eléctricas entre el amplificador de energía de RF 116 y la red de adaptación de impedancias 120. Esto, a su vez, facilita la implementación de la red de adaptación de impedancias 120 en el dado pasivo 108, incluso con la impedancia de salida relativamente baja del amplificador de energía de RF 116 del dado activo 104. Los rendimientos de fabricación también se mejoran por la variabilidad reducida en el proceso de ensamble.
Al implementar ambos inductores y condensadores de la red de adaptación de impedancias 120 en el dado pasivo 108, en lugar de confiar en SMDs, puede también disminuir la necesidad de trayectorias de interconexión y almohadillas de montaje. Esto puede reducir la pérdida de enrutamiento y el espacio total del módulo de RF PA 100.
Además, el módulo de RF PA 100, estructuras críticas de línea magnética o de transmisión en el sustrato portador 112, evita la variabilidad importante en la producción y las dimensiones críticas grandes asociadas con los procesos por lotes. En su lugar, los componentes pasivos integrados de la red de adaptación de impedancias 120 se pueden construir de manera confiable utilizando procesos fotolitográficamente controlados .
Integrar componentes pasivos en el dado pasivo 108 puede también proporcionar una ventaja de costo importante comparada con proporcionar componentes pasivos en cualquiera del dado activo 104, el sustrato portador 112, o unos S Ds unidas a la superficie del sustrato portador 112.
Integrar componentes pasivos en el dado pasivo 108 puede además proporcionar una ventaja de desempeño debido a las variaciones de componentes que se rastrean entre ellos en el dado pasivo 108 (p.ej., la capacitancia de todos los condensadores se mueve en la misma dirección) . Esto lleva a rendimientos mayores que si un componente está en el extremo superior de su rango de tolerancia y otro componente está en el extremo inferior, lo que ocurre frecuentemente con SMDs.
La Figura 2 es una vista de la parte superior del módulo de RF PA 100 de acuerdo con algunas modalidades. El módulo de RF PA 100 se muestra en la Figura 2 sin epóxica y las partículas de relleno 136. Además del dado activo 104 y el dado pasivo 108, el módulo de RF PA 100 puede incluir un número de condensadores de desacoplo 204. Los condensadores de desacoplo 204 a través de líneas de energía y pueden operar para reducir el ruido que puede estar presente en un sistema de entrega de energía.
Mientras que el módulo de RF PA 100 se muestra con un amplificador de energía de RF, esto es, el amplificador de energía de RF 116, acoplado con una red de adaptación de impedancias, esto es, la red de adaptación de impedancias 120, otras modalidades pueden tener otros números de amplificadores de energía de RF y/o redes de adaptación de impedancias incluidas en un módulo de RF PA. La Figura 3 ilustra un ejemplo así.
La Figura 3 es una vista de la parte superior de un módulo de RF PA 300 de acuerdo con algunas modalidades. El módulo de RF PA 300 puede ser similar al módulo de RF PA 100, con componentes nombrados de manera similar siendo sustancialmente intercambiables. Sin embargo, el módulo de RF PA 300 puede incluir dos dados activos, p.ej., el dado activo 304, y el dado activo 308, y dos dados pasivos, p.ej., el dado pasivo 312 y el dado pasivo 316. El módulo de RF PA 300 puede ser un módulo de RF PA de banda dual que tiene un primer amplificador de energía de RF 320, implementado en el dado activo 304, para su operación en una primera banda de frecuencias, p.ej., una banda de frecuencias relativamente altas. El módulo de RF PA 300 puede también incluir un segundo amplificador de energía de RF 324, implementado en el dado activo 308, para su operación en una segunda ronda de frecuencias, p.ej., una banda de frecuencias relativamente bajas. El primer amplificador de energía de RF 320 puede estar acoplado eléctricamente con una primera entrada 328, mientras que el segundo amplificador de energía de RF 324 puede estar acoplado eléctricamente con una segunda entrada 322.
El primer amplificador de energía de RF 320 puede también estar acoplado eléctricamente con una primera red de adaptación de impedancias 336 implementada en el dado pasivo 312. De manera similar, el segundo amplificador de energía de RF 324 puede también estar acoplado eléctricamente con una segunda red de adaptación de impedancias 340 implementada en el dado pasivo 316. La primera red de adaptación de impedancias 336 puede también estar acoplada eléctricamente con una primera salida 344 y la segunda red de adaptación de impedancias 340 puede también estar acoplada eléctricamente con una segunda salida 348.
El módulo de RF PA 300 puede también incluir uno o más condensadores de desacoplo 352, similar al módulo de RF PA 100.
Mientras que la Figura 3 muestra que cada red de adaptación de impedancias se implementa en su propio dado pasivo, otras modalidades pueden incluir más de una red de rotación de impedancias implementadas en un dado pasivo. De manera similar, mientras que la Figura 3 muestra que cada amplificador de energía de RF se implementa en su propio dado activo, otras modalidades pueden incluir más de un amplificador de energía de RF implementado en un dado activo.
En algunas modalidades, la arquitectura de la red de adaptación de impedancias se puede seleccionar en una manera para facilitar la implementación mediante el uso de componentes pasivos integrados en un dado pasivo. Por ejemplo, una red de adaptación reticular puede proporcionar una arquitectura compacta que es particularmente adecuada para su implementación en un dado pasivo.
La Figura 4 es un diagrama de circuito de un módulo de RF PA 400 de acuerdo con diferentes modalidades. El módulo de RF PA 400 puede ser similar a, y sustancialmente intercambiable con, el módulo de RF PA 100 y/o el módulo de RF PA 300. El módulo de RF PA 400 incluye un amplificador de energía de RF de cuadratura 404 que tiene un primer PA 408 y un segundo PA 412 que operan en cuadratura, esto es, con un delta de fase de 90 grados. El primer PA 408 y el segundo PA 412 se pueden implementar en un dado activo 416.
El módulo de RF PA 400 puede también incluir una red de adaptación reticular de cuadratura 420 acoplada eléctricamente con el amplificador de energía de RF de cuadratura 404. La red de adaptación reticular de cuadratura 420 se puede implementar en un dado pasivo 422 y puede proporcionar combinación de fase de cuadratura y adaptación de impedancia en una red reactiva de tres puertos. La red de adaptación reticular de cuadratura 420 puede incluir una primera trayectoria 424, que tiene un inductor en serie 428 y un inductor de derivación 432, y una segunda trayectoria 436 que tiene un condensador en serie 440 y un condensador de derivación 444. Las salidas de las dos trayectorias paralelas 424 y 436 se pueden combinar en una salida de un solo extremo en el nodo de salida 448 como se ilustra. El resistor 452 puede representar una carga de salida. La arquitectura compacta de la red de adaptación reticular de cuadratura 420 se puede someter a la implementación completa en el dado pasivo 422 mientras que todavía proporciona un número de características deseables de adaptación de impedancias tales como insensibilidad de carga, baja pérdida de inserción, bajo costo, y relación de onda estacionaria de voltaje (VSWR, Voltage Standing Wave Ratio) reducida en el nodo de salida 448.
Mientras que la Figura 4 muestra una arquitectura de una red de adaptación reticular que puede ser particularmente efectiva en una modalidad de esta divulgación, esto es, la red de adaptación reticular de cuadratura 420, otras modalidades pueden utilizar otras redes de adaptación reticular, tales como cualquiera de las mostradas y descritas en el documento de Solicitud de Patente de los Estados Unidos 13/070,424, intitulado (QUADRATURE LATTICE MATCHING NETWORK", (Red de Adaptación Reticular de Cuadratura) , presentada el 23 de marzo de 2011, la cual se incorpora por referencia en la presente en su totalidad. En otras modalidades, se pueden emplear las redes de adaptación de impedancias que no sean las redes de adaptación reticular.
La Figura 5 es un diagrama de flujo 500 que representa un proceso de ensamble de un módulo de RF PA de acuerdo con varias modalidades. En el bloque 504, "Unir postes de metal al soporte semiconductor", el proceso de ensamble puede involucrar unir postes de metal al soporte semiconductor.
La unión de un componente con otro componente, como se utiliza en este documento, se puede conseguir mediante cualquiera de un número de procesos de micro fabricación posibles. Un proceso de micro fabricación particular se puede seleccionar a la luz de los materiales que serán unidos y otras variables de proceso. Tales procesos de micro fabricación pueden involucrar técnicas tales como, pero no limitadas a, la deposición (o crecimiento) , patrones, y grabado .
En el bloque 508, "Unir tapas de soldadura a los postes de metal", el proceso de ensamble puede involucrar unir una tapa de soldadura a cada uno de los postes de metal.
En el bloque 512, "Adelgazar el soporte semiconductor", el proceso de ensamble puede involucrar reducir el espesor del soporte semiconductor. Antes del bloque 512, puede ser deseable que el soporte semiconductor tenga un cierto espesor para incrementar la estabilidad mecánica y evitar el pandero durante los pasos del proceso de alta temperatura. En algunas modalidades, el espesor del soporte de silicio puede ser de aproximadamente 750 m para estos pasos del proceso. Sin embargo, las dimensiones del paquete final pueden ser sustancialmente más pequeñas y el espesor del soporte semiconductor puede, por lo tanto, reducirse en el bloque 512. En algunas modalidades, el espesor del soporte semiconductor se puede reducir a menos de 250 µ?t?.
En el bloque 516, "Separar los dados del soporte semiconductor", el proceso de ensamble puede involucrar la separación de los dados, la cual puede incluir dados activos y/o pasivos, del soporte semiconductor. En algunas modalidades, el soporte semiconductor puede estar montado en una cinta para dados que tiene un respaldo pegajoso para mantener los dados en su lugar una vez que se separan. La separación de los dados se puede llevar a cabo trazando y rompiendo, haciendo dados con una sierra para dados, o cortando con láser.
En el bloque 520, "Acoplar por montaje superficial los dados con el sustrato portador", el proceso de ensamble puede involucrar acoplar por montaje superficial (flip-chip) los dados, esto es, un dado activo y uno pasivo con el sustrato portador. Los dados, con los postes de metal y las tapas de soldadura unidas, se pueden colocar en la posición apropiada sobre el sustrato portador. La colocación de los dados se puede controlar estrechamente con precisión muy alta. Como se discutió anteriormente, la' colocación precisa de los dados puede contribuir al desempeño mejorado del módulo de RF PA comparado con los módulos de RF PA del arte actual que se basa en uniones de alambre y/o SMDs.
Una vez que los dados están colocados, el sustrato portador y los dados se pueden calentar a una temperatura que sea al menos una temperatura de reflujo asociada con las tapas de soldadura y menos que una temperatura de reflujo asociada con los postes de metal. Las tapas de soldadura refluirán entonces para acoplar mecánicamente y eléctricamente los dados con el sustrato portador.
En el bloque 524, "Sobremoldear los dados unidos", uno o más moldes se pueden colocar sobre los dados y se puede insertar la epóxica y las partículas de relleno en el (los) molde (s). La epóxica se puede curar y el (los) molde (s) se puede (n) remover. Como se discutió anteriormente, la epóxica curada puede servir para proteger los dados en el sustrato portador de la humedad y el esfuerzo mecánico.
En la Figura 6 se ilustra un diagrama de bloques de un dispositivo de comunicación inalámbrica 600 ejemplar que incorpora un módulo de RF PA 604, el cual puede ser similar a los módulos de RF PA 100, 300, y/o 400, de acuerdo con algunas modalidades. Además del módulo de RF PA 604, el dispositivo de comunicación inalámbrica 600 puede tener una estructura de antena 614, un duplexor 618, un transceptor 622, un procesador principal 626, y una memoria 630 acoplados uno con el otro al menos como se muestra. Mientras que el dispositivo de comunicación inalámbrica 600 se muestra con capacidades de transmisión y recepción, otras modalidades pueden incluir dispositivos con capacidades de transmisión solamente o capacidades de recepción solamente.
En varias modalidades, el dispositivo de comunicación inalámbrica 600 puede ser, pero no está limitado a, un teléfono móvil, un dispositivo localizador, un asistente digital personal, un dispositivo de mensajería de texto, una computadora portátil, una computadora de escritorio, una estación base, una estación de suscriptor, un punto de acceso, un radar, un dispositivo de comunicación satelital, o cualquier otro dispositivo capaz de transmitir/recibir inalámbricamente señales de RF.
El procesador principal 626 puede ejecutar un programa de sistema operativo básico, almacenado en la memoria 630, con el fin de controlar la operación general del dispositivo de comunicación inalámbrica 600. Por ejemplo, el procesador principal 626 puede controlar la recepción de señales y la transmisión de señales por el transceptor 622. El procesador principal 626 puede ser capaz de ejecutar otros procesos y programas residentes en la memoria 630 y puede mover datos hacia adentro o afuera de la memoria 630, como sea deseable por un proceso de ejecución.
El transceptor 622 puede recibir datos de salida (p.ej., datos de voz, datos web, correo electrónico, datos de señalización, etc.) del procesador principal 626, puede generar la(s) señal (es) de RFentrada para representar los datos de salida, y proporcionar la(s) señal (es) de RFentrada para el módulo de RF PA 604. El transceptor 622 puede también controlar el módulo de RF PA 604 para operar en bandas seleccionadas y en cualquiera de los modos de energía completa y energía de respaldo.
El módulo de RF PA 604 puede amplificar la(s) señal (s) de RFentrada para proporcionar señal (s) de RFsalida como se describe en este documento. La(s) señal (s) de RFsaiida se puede (n) reenviar duplexor 618 y luego a la estructura de antena 614 para una transmisión en el aire (OTA, Over The Air) .
En una manera similar, el transceptor 622 puede recibir una señal OTA entrante desde la estructura de antena 614 a través del duplexor 618. El transceptor 622 puede procesar y enviar la señal de entrada al procesador principal 626 para procesamiento adicional.
En diversas modalidades, la estructura de antena 614 puede incluir una o más antenas direccionales y/u omnidireccionales , incluyendo, p.ej., una antena de dipolo, una antena de monopolo, una antena de parche de conexiones, una antena de cuadro circular, una antena de microcinta o cualquier otro tipo de antena adecuada para la transmisión/recepción OTA de señales de RF.
Aquellos experimentados en la materia reconocerán que el dispositivo de comunicación inalámbrica 600 se proporciona a manera de ejemplo y que, por simplicidad y claridad, sólo se muestra y se describe parte de la construcción y operación del dispositivo de comunicación inalámbrica 600 como es necesario para un entendimiento de las modalidades. Diversas modalidades contemplan cualquier componente adecuado o combinación de componentes que desempeñen cualquier tarea adecuada en asociación con el dispositivo de comunicación inalámbrica 600, de acuerdo con las necesidades particulares. Además, se entiende que el dispositivo de comunicación inalámbrica 600 no se debe interpretar los tipos de dispositivos en los que se pueden implementar las modalidades .
Aunque la presente divulgación se ha descrito en términos de las modalidades ilustradas anteriormente, se apreciará por aquellos experimentados en la materia que se pueden sustituir una amplia variedad de implementaciones alternas y/o equivalentes calculadas para alcanzar los mismos propósitos para las modalidades especificas que se muestran y se describen sin apartarse del alcance de la presente divulgación. Aquellos experimentados en la materia apreciarán fácilmente que las enseñanzas de la presente divulgación se pueden implementar en una amplia variedad de modalidades. La descripción se pretende que se considere como ilustrativa en lugar de restrictiva.

Claims (21)

NOVEDAD DE LA INVENCIÓN Habiendo descrito la presente invención como antecede, se considera como una novedad y, por lo tanto, se reclama como propiedad lo contenido en las siguientes: REIVINDICACIONES
1. Un aparato que comprende: un sustrato portador; un primer dado que tiene una pluralidad de dispositivos activos integrados que forman un amplificador de energía de radiofrecuencia (RF) , en donde el primer dado se acopla por montaje superficial con el sustrato portador a través de una primera pluralidad de postes de metal; un segundo dado que tiene una pluralidad de dispositivos pasivos integrados que forman una red de adaptación de impedancias que está acoplado eléctricamente con el amplificador de energía de RF a través del sustrato portador, en donde el segundo dado ser acoplada por montaje superficial con el sustrato portador a través de una segunda pluralidad de postes de metal .
2. El aparato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque la primera y segunda pluralidades de postes de metal tienen una altura igual.
3. El aparato de acuerdo con la reivindicación 2 , caracterizado porque la altura igual es de aproximadamente 50 micrómetros o mayor.
4. El aparato de acuerdo con la reivindicación 3, caracterizado porque la primera y segunda pluralidades de postes de metal comprenden postes de cobre.
5. El aparato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque la primera y segunda pluralidades de postes de metal comprenden postes de cobre.
6. El aparato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque el primer dado se acopla por montaje superficial con el sustrato portador a través de una primera pluralidad de tapas de soldadura acopladas a los postes de metal respectivos de la primera pluralidad, y el segundo dado se acopla por montaje superficial con el sustrato portador a través de una segunda pluralidad de tapas de soldadura acopladas respectivamente con la segunda pluralidad de postes de metal.
7. El aparato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque el sustrato portador es un sustrato portador laminado.
8. El aparato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque el sustrato portador es uno o más bastidores de plomo.
9. El aparato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque el segundo dado no contiene ningún dispositivo activo.
10. El aparato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque la pluralidad de dispositivos pasivos integrados comprenden un inductor y un condensador.
11. El aparato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque la red de adaptación de impedancias además comprende uno o más dispositivos pasivos en el sustrato portador.
12. El aparato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque la red de adaptación de impedancias comprende una red de adaptación reticular.
13. El aparato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque el amplificador de energía de RF es un amplificador de energía de cuadratura, y la red de adaptación de impedancias es una red de adaptación reticular de cuadratura .
14. El aparato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque el amplificador de energía de RF es un primer amplificador de energía de RF configurado para operar en una primera banda de frecuencias, la red de adaptación de impedancias es una primera red de rotación de impedancias, y el aparato además comprende: un tercer dado que tiene un segundo amplificador de energía de RF configurado para operar en una segunda banda de frecuencias, en donde el tercer dado se acopla por montaje superficial con el sustrato portador a través de una tercera pluralidad de postes de metal; y una segunda red de adaptación de impedancias acoplado eléctricamente con el segundo amplificador de energía de RF a través del sustrato portador.
15. El aparato de acuerdo con la reivindicación 14, caracterizado porque la segunda red de adaptación de impedancias se coloca en el segundo dado o en un cuarto dado que se acopla por montaje superficial con el sustrato portador .
16. Un método que comprende: unir una primera formación de postes de metal a un dado activo, que tiene una pluralidad de dispositivos activos integrados que forman un amplificador de energía de radiofrecuencia (RF) ; unir una segunda formación de postes de metal a un dado pasivo, que tiene una pluralidad de dispositivos pasivos integrados que forman una red de adaptación de impedancias; unir tapas de soldadura a postes de metal individuales de la primera y segunda formaciones de postes de metal; y acoplar por montaje superficial el primer y segundo dados con un sustrato portador para acoplar eléctricamente el amplificador de energía de RF con la red de adaptación de impedancias .
17. El método de acuerdo con la reivindicación 16, además comprende: colocar uno o más moldes sobre el primer y segundo dados; e insertar una epóxica y partículas de relleno en dichos uno o más moldes.
18. El método de acuerdo con la reivindicación 16, caracterizado porque la primera y segunda formaciones de postes de metal tienen una altura igual que es aproximadamente de 50 micrómetros o mayor.
19. El método de acuerdo con la reivindicación 16, caracterizado porque la primera y segunda formaciones de postes de metal comprenden postes de cobre.
20. Un sistema que comprende: un transceptor configurado para generar una señal de radiofrecuencia (RF) ; un módulo amplificador de energía de radiofrecuencia (RF) , acoplado con el transceptor, y configurado para amplificar la señal de RF para proporcionar una señal de RF amplificada, en donde el módulo amplificador de energía de RF incluye: un sustrato portador; un dado activo que tiene un amplificador de energía de radiofrecuencia (RF) , en donde el dado activo se acopla por montaje superficial con el sustrato portador a través de una primera pluralidad de postes de metal; un dado pasivo que tiene una red de adaptación de impedancias que está acoplada eléctricamente con el amplificador de energía de RF a través del sustrato portador, en donde el dado pasivo se acopla por montaje superficial con el sustrato portador a través de una segunda pluralidad de postes de metal; y una antena para transmitir la señal de RF amplificada en el aire.
21. El sistema de acuerdo con la reivindicación 20, caracterizado porque la primera y segunda pluralidades de postes de metal comprenden postes de cobre.
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