MX2010013267A - Estructura de diseño, estructura y metodo para proporcionar una linea de transmision con retardo variable en la microplaqueta con impedancia caracteristica fija. - Google Patents

Abstract

Una estructura de diseño, una estructura y un método para proporcionar una línea de transmisión con retardo variable en la microplaqueta con una impedancia característica fija. Una estructura de la línea de transmisión incluye una línea de la señal (50) (por ejemplo, S), una primera estructura de retorno a tierra (55) (por ejemplo, G1), que causa un primer retardo (ti) y una primera impedancia característica (Zo1) en la estructura de la línea de transmisión, y una segunda estructura de retorno a tierra (75) (por ejemplo, G2), que causa un segundo retardo (t2) y una segunda impedancia característica (Zo2) en la estructura de la línea de transmisión. El primer retardo (t1) es diferente del segundo retardo (t2), y la primera impedancia característica (Zo1) es sustancialmente la misma que la segunda impedancia característica (Zo2).

Description

TRUCTURA DE DISEÑO, ESTRUCTURA Y MÉTODO PARA PROPO UNA LÍNEA DE TRANSMISIÓN CON RETARDO VARIABLE EN MICROPLAQUETA CON IMPEDANCIA CARACTERÍSTICA FI CAMPO DE LA INVENCIÓN La invención se relaciona con una l nsmisión, y más particularmente, con una estru eño, estructura, y método para proporcionar una nsmisión con retardo variable en la microplaqueta edancia característica fija.

ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN Las estructuras de la línea de transmisió roplaqueta convencionales, generalmente tien edancia fija y un retardo fijo. Usualmente, el r biar las características de la impedancia, y/o inc área requerida (por ejemplo, huella) de un dispos ea de transmisión.

El cambiar el retardo de una línea de tran embargo, es deseable para varias aplicacione mplo, las líneas de retardo se utilizan en operac cesamiento de la señal para ajustar el tiempo de una señal con relación a aquél de una segunda señ eas de retardo pueden fabricarse para circuitería circuitería análoga, y el retardo puede ser iable. Con respecto a retardar una señal que t ma de onda sinusoidal, esto es una situación frec icaciones de microondas, el efecto de la línea de impartir un desplazamiento de fase; así, uación, la línea de retardo puede considerarse plazador de la fase.

Una pluralidad de líneas ajustables en fa enas individuales, determinan el patrón de r ctivo del arreglo. Los arreglos en fase se utili ucir electrónicamente la dirección de la sens ima de un receptor, proporcionando selectividad es ganancia de la antena equivalentemente mayor egios en fase encuentran uso en muchas di icaciones inalámbricas, incluyendo, de man lusiva, el RADAR y las comunicaciones de dat ducción del haz se logra desplazando primero la a señal recibida por cantidades progresiva pensar las diferencias sucesivas entre las f gada. Estas señales se combinan entonces, en d ales se agregan de manera constructiva para la d eada, y de manera destructiva para otras direccion Una manera convencional para controlar la a elemento en un arreglo en fase, es proporció mento con una pluralidad de lineas de transmisi lia) , fabricación, etc. También, el cambio yectoria de la señal de cada elemento causa una at la señal, lo que es indeseable en tales aplicacion Además, como se describió anteriormen temas convencionales son incapaces de cambiar el una linea de transmisión sin incrementar la pérdi al, cambiar la impedancia característica, y/o inc área requerida (por ejemplo, huella) del dispositi ea de transmisión. Así, los sistemas que ardos (por ejemplo, sistemas de antenas con ar e), sufren de estas desventajas.

En consecuencia, existe la necesidad en la superar las deficiencias y limitaciones descri eriormente .

SUMARIO DE LA INVENCIÓN erente del segundo retardo, y la primera im acterística es sustancialmente la misma que la edancia característica.

En las modalidades, la línea de la se mera estructura de retorno a tierra y la ructura de retorno a tierra se forman en una es iconductora . La línea de la señal puede formars mer nivel de cableado de la estructura semiconduc mera estructura de retorno a tierra se forma .en un el de cableado de la estructura semiconductor unda estructura de retorno' a tierra se forma en u el de la estructura semiconductora. Además, e el de cableado puede ser diferente del segundo leado, y una porción de la primera estructura de r rra también se forma en el primer nivel de cable modalidades adicionales, la línea de la señal se primer nivel de cableado de la estructura semicon otra ele la segunda y primera estructuras de r rra, respectivamente. , Además, la primera estru orno a tierra puede comprender un primer riel de r rra y una primera estructura de capacitancia, y la ructura de retorno a tierra puede comprender un l de retorno a tierra y una segunda estruc acitancia. Además, el primer riel de retorno de estar más lejos de la linea de la señal que el l de retorno a tierra, y la primera estruc acitancia puede estar más cerca de la linea de l segunda estructura de capacitancia. El undo retardos pueden ser retardos de una señal en la señal.

En un segundo aspecto de la invención, ex ructura semiconductora que comprende: una line al; un primer riel de retorno a tierra y una ructura de capacitancia; y un segundo riel de r En un tercer aspecto de la invención, ex ructura de diseño incorporada de manera tangibl io legible por una máquina para diseñar, fabricar circuito integrado, la estructura de diseño compre ea de la señal; una primera estructura de retorno causa un primer retardo y una primera im acterística en la estructura de la linea de transm segunda estructura de retorno a tierra que c undo retardo y una segunda impedancia caracteristi ructura de la línea de transmisión. El primer re erente del segundo retardo, y la primera im acterística es sustancialmente la misma que la edancia característica.

En un cuarto aspecto de la invención, ex ructura de diseño de lenguaje de descripción mentos físicos (HDL) codificada por un me iacenamiento de datos legible por la máquina, la es os de la linea de la señal que el segundo riel de ierra, y la primera estructura de capacitancia ea de la linea de la señal que la segunda estru acitancia.

BREVE DESCRIPCION DE LAS VARIAS VISTAS DE LOS DIB La presente invención se describe en la des allada que sigue, con referencia a la pluralidad dibujos por medio de ejemplos no limitantes alidades ejemplares de la presente invención.

Las Figuras 1-5 muestran estructuras de acu aspectos de la invención; Las Figuras 6-8 muestran estructuras interm os pasos del proceso de acuerdo con los aspecto ención; Las Figuras 9-14 muestran estructuras de DESCRIPCION DETALLADA DE LA INVENCION La invención se relaciona con una l nsmisión, y más particularmente, con una estru eño, estructura y método para proporcionar una nsmisión con retardo variable en la microplaqueta, edancia característica fija. En las modalida ructura de la línea de transmisión se proporciona ralidad de trayectorias 'de retorno a eccionables . De manera más específica, las tray retorno a tierra respectivas se forman con di metrías y a diferentes distancias lejos de la lín al, de manera que cada trayectoria de retorno sa que la estructura de la línea de transmisión ardo diferente. Además, las trayectorias a tier eñadas de manera que, sin importar cual traye rra se utilice, la impedancia característica la cual el retardo puede variarse mientras edancia característica se mantiene relat stante .

La Figura 1 muestra una vista esquemática ructura de acuerdo con los aspectos de la invenc ructura comprende una linea de la señal 10 y una orno a tierra 15, que pueden formarse en ni leado de un dispositivo semiconductor, como se mayor detalle a continuación. El dis iconductor puede comprender, por ejemplo, una es la linea de transmisión.

Como se sabe, de manera que la exp cional no se considera necesaria, la im acteristica de una estructura de la linea de tra de aproximarse a la raiz cuadrada de la relació uctancia ("L") a la capacitancia ("C") , por T(L/C). Además, el retardo de una estructura de J Por lo tanto, si la línea de retorno a tier e más cerca de la linea de la señal 10, la capa la estructura de la línea de transmisión se increm inductancia de la estructura de la línea de tra minuirá. De manera alterna, conforme la línea de ierra 15 se mueve más lejos de la línea de la seña acitancia de la estructura de la línea de tra minuye, mientras que la inductancia de la estructu ea de transmisión se incrementa. Debido a esta esta de la capacitancia y la inductancia con respe tancia entre la línea de la señal y la línea de r rra, . no es posible utilizar estructuras conven a variar el retardo' de la estructura de la 1 nsmisión sin también variar la impedancia caract la estructura de la línea de transmisión.

Sin embargo, de acuerdo con los aspecto ención, . la estructura mostrada en la Figura 1 in ea de la señal 10 y la linea de retorno a tierra modalidad mostrada en la Figura 1, el blindaj acitancia 20 se hace de un trazo 25 formado en pentin con espacios 30 entre las porciones del son perpendiculares a la linea de la señal 10. era, el blindaje de la capacitancia 20 puede ut a afectar la capacitancia de la estructura de la nsmisión, mientras que es sustancialmente invis era inductiva.

Todavía refiriéndose a la Figura 1, cu ndaje de la capacitancia 20 se conecta a tierra a retorno a tierra 15, la capacitancia de la estru línea de transmisión será un primer valor, y c ndaje de la capacitancia 20 está flotando (por eje á conectado a tierra a la línea de retorno a tie capacitancia de la estructura de la línea de tra á un segundo valor diferente al primer valor.

La diferencia en la capacitancia entre los ectado a tierra y flotante del blindaje de la capa dependerá de parámetros tales como, por eje tancia vertical entre la linea de la señal 10 y blindaje de la capacitancia 20, el ancho del tra ancho del espacio 30. En las modalidades, cua ores adecuados pueden utilizarse para estos par ejemplo, la Tabla 1 muestra una comparación ores de la capacitancia y la inductancia para los ectado a tierra y flotante de dos arreglos ejempla primer arreglo, el ancho del trazo 25 oximadamente 1 µp?, y el ancho del espacio 3 oximadamente 1 µp?. En el segundo arreglo, el a zo 25 es de aproximadamente 2 µp?, y el ancho del es de aproximadamente 2 µ??. reglo Estado del Blindaje Capacitancia Induc aspectos ele la invención. De manera similar a l la estructura comprende una linea de la señal ea de retorno a tierra 15, y un blindaje acitancia 20, que puede formarse de metal en los cableado de un dispositivo semiconductor, tal ea de transmisión. La estructura de la Figura 2 segundo blindaje de la capacitancia 35 colocado mer blindaje de la capacitancia 20 y la linea de r rra 15. Al menos un conmutador (no mostrado ectado de manera operativa a la linea de retorno el primer blindaje de la capacitancia 20, y el ndaje de la capacitancia 35, de manera que uno ndajes puede conectarse a tierra a la linea de r rra, mientras que el otro blindaje está flotando.

La Tabla 2 muestra valores de la capacitan uctancia para una estructura de la linea de transm erdo con la Figura 2. Los valores de la tabla 2 ativamente constante. ados de blindaje de la capacitancia Capacitancia Induc (femtofarad) (pico Primer blindaje (20) Flotante 6.553 24. Segundo blindaje (35) Flotante Primer blindaje (20) Flotante 7.211 24. ndo blindaje (35) Conectado a Tierra mer blindaje (20) Conectado a Tierra 8.013 24.

Segundo blindaje (35) Flotante er blindaje (20) Conectado a Tierra 8.018 24. ndo blindaje (35) Conectado a Tierra Tabla 2 La Figura 3 muestra otra estructura de la nsmisión de acuerdo con los aspectos de la invenc iiconductor por debajo del nivel de la línea de como se describe con mayor detalle a continuación En las modalidades, la estructura de re rra 55 comprende los rieles de retorno a tierra án sustancialmente paralelos a la línea de la s bién, la estructura de retorno a tierra 55 c mentos de peine de la capacitancia 65 que se form rieles de retorno a tierra 60 y sustanc ogonales a la línea de la señal 50. En tal estru línea de transmisión, la capacitancia de la estru línea de transmisión es igual a la capacitanci ea de la señal al plano de los elementos de pei acitancia 65, y la inductancia de la estructur ea de transmisión se forma en la trayectoria de re corriente de la línea de la señal 50 y los r orno a tierra 60.

La Figura 4 muestra otra estructura de la rra 75 (referida en ésta y otras Figuras como G ne rieles de retorno a tierra 80 y elementos de p segunda estructura de retorno a tierra 7 prender, por ejemplo, una estructura de metal fo nivel de cableado de un dispositivo semicondu ajo del nivel de la primera estructura de retorno como se describe con mayor detalle a continuaci os un conmutador (no mostrado) , puede proporciona biar la primera y segunda estructuras de retorno 75 entre los estados conectado a tierra y flot era que la trayectoria de retorno a tierra ructura de la linea de transmisión sigue ya sea la egunda estructura de retorno a tierra.

En las modalidades, los peines de la capa 85 se forman perpendiculares a la linea de la se de tal tamaño y forma, que son sustancialmente in manera inductiva a la linea de la señal 50. Por l rra 55 está flotando y la segunda estructura de r rra 75 está conectada a tierra, la inductanci ructura de la linea de transmisión se forma yectoria de retorno de la corriente de la line al 50 y los rieles de retorno a tierra 80, con la ructura de retorno a tierra 55 que tiene poco cto en la inductancia de la estructura de la nsmisión .

De manera similar, la capacitancia de la es la linea de transmisión mostrada en la Figur ionada de manera predominante por cualquier estru orno a tierra (por ejemplo, 55 ó 75) que esté con rra. Es decir, en un estado cuando la primera es retorno a tierra 55 está flotando y la segunda es retorno a tierra 75 está conectada a tie acitancia de la estructura de la linea de transm tancialmente igual a la capacitancia de la line ructuras de retorno a tierra 55, 75, se forman metrías y distancias de la linea de la señal 50, endiendo de cual de las dos estructuras de re rra está conectada a tierra, la estructura de la nsmisión tendrá un retardo diferente (por T(L*C)). Sin embargo, las geometrías y las ubi ativas de la primera y segunda estructuras de r rra 55, 75, también están diseñadas de manera edancia característica de la estructura de la nsmisión (por ejemplo, SQRT(L/C)), es sustanc stante, sin importar cual de las dos estruct orno a tierra está conectada a tierra. De esta trolando cual estructura de retorno a tierra (por ó 75) está conectada a tierra y cual está flot ardo de la estructura de la línea de transmisi biarse sin cambiar sustancialmente la im acterística de la estructura de la línea de tran que los rieles de retorno a tierra 80. Esto re primera estructura de retorno a tierra 55 (por , que proporciona una inductancia mayor que la ructura de retorno a tierra 75 (por ejemplo, G2). peines 65 están dimensionados y separados más cer ea de la señal 50 que los peines 85, lo que resul mera estructura de retorno a tierra 55 que proporc acitancia mayor que la segunda estructura de r rra 75. Al seleccionar de manera apropiada los t caciones de las características (por ejemplo, 50, 85), pueden lograrse las siguientes relaciones: = SQRT(L1*C1) > t2 = SQRT (L2*C2) = SQRT (Ll/Cl) = Zo2 = SQRT(L2/C2) en donde: ti = retardo de la estructura de la 1 * 21 Zo2 = impedancia característica de la estru línea de transmisión cuando Gl está conectado a está flotando; Ll = inductancia de la estructura de la nsmisión cuando Gl está conectado a tierra y tando; Cl = capacitancia de la estructura de la nsmisión cuando Gl está conectado a tierra y tando; L2 = inductancia de la estructura de la nsmisión cuando G2 está conectado a tierra y tando; y C2 = capacitancia de la estructura de la nsmisión cuando G2 está conectado a tierra y tando .

La Figura 5 muestra otra estructura de acu aspectos de la invención. La estructura descri erior (por ejemplo, nivel N) de una es iconductora análoga, y que tiene un an oximadamente 10 µp? en la dirección "x" y una lon oximadamente 50 µp? en la dirección "y", alidades, la primera estructura de retorno a tier ma en el nivel de cableado N-l, y tiene la misma la dirección "y" que la linea de la señal 50. Lo tienen cada uno una longitud en la dirección oximadamente 100 µp?, y los rieles de retorno a t nen cada uno un ancho en la dirección oximadamente 8 µp?. También, la segunda estru orno a tierra 75 se forma en el nivel de cablead ne la misma longitud en la dirección "y" que la señal 50. Los peines 85 tienen cada uno una lon dirección "x" de aproximadamente 50 µp\, y los r orno a tierra 80 tienen cada uno un ancho en la d de aproximadamente 12 ym.

Estado 1: Estado 2 Gl conectado a tierra Gl flota G2 flotando G2 conectado apacitancia (fF) 10.659 8.6977 Inductancia (pH) 25.781 23.402 Impedancia 49.18 51.87 acterística (Ohms) Retardo (pS) 16.577 14.267 Tabla 3 Como se observa en la Tabla 3, un cambi ardo de la estructura de la linea de transmi oximadamente 16.1% se logra entre los' dos ntras que la impedancia característica de la estru linea de transmisión cambia sólo aproximadamen re los mismos dos estados. Aunque se han desc pueden utilizarse en las implementaciones ención. Por ejemplo, pueden utilizarse estruc erente tamaño y forma (por ejemplo, 50, 55, 75) de anee de la invención para proporcionar una estru linea de transmisión que tiene retardos diferent tienen la misma o sustancialmente la misma im acterística para diferentes trayectorias de re rras (por ejemplo, Gl, G2) .

Las Figuras 6-8 muestras estructuras interm os pasos del procesamiento respectivos para fo ructuras de la linea de transmisión de acuerdo ectos de la invención. De manera especifica, la stra una sección transversal de una es iconductora ejemplar que comprende un sustrato 1 el de cableado 105 formado en el mismo. El sust de formarse utilizando técnicas de proce vencionales, y pueden incluir, por ejemplo, un sus retorno a tierra 110 se forma en el nivel de cable estructura de retorno a tierra 75 puede estar comp lquier material conductor adecuado, incluyendo, d exclusiva: cobre, aluminio, aleaciones, etc./ marse utilizando procesos convencionales. La es retorno a tierra 110 puede ser similar en fori ructura de retorno a tierra 75 descrita anteriorm pecto a las Figuras 4 y 5, o puede tener un érente. Por ejemplo, la estructura de retorno puede incluir porciones de riel de retorno a ti r ejemplo, similares a los rieles de retorno a ti orciones de peine 120 (por ejemplo, similares a lo .

La Figura 7 muestra la estructura de la F la cual se han formado los niveles de cableado adí , 135 y 140. Formada en el nivel de cableado 140, ructura de retorno a tierra 145, que puede ne 155 (por ejemplo, similares a los peines 65) .

La Figura 8 muestra la estructura de la F la cual se forma el nivel de cableado 160 ad lizando, por ejemplo, materiales y vencionales . Además., la linea de la señal 165 se nivel de cableado 160. La linea de la señal 165 p ilar a la linea de la señal 50 descrita anteriorm pecto a las Figuras 4 y 5, o puede tener u érente. La linea de la señal 165 puede ha lquier material conductor adecuado, incluyendo, d exclusiva: cobre, aluminio, aleaciones, etc., marse utilizando procesos convencionales.

Las características de las Figuras 6 mplo, 100, 105, 110, 130, 135, 140, 145, 160, 165) marse utilizando técnicas convencionales, tale cesos de extremo posterior de la línea estándar ejemplo, estas características pueden formarse ut barrera puede emplearse como revestimientos, tap más, los niveles de via pueden interponers lquiera de los niveles de cableado.

Además, los niveles de cableado puede lquier espesor adecuado, y pueden ser de di esores unos con relación a otros. Por ejemp eles de cableado 105, 130, 135 pueden tener un es oximadamente 0.5 µt? a 0.6 µp?, mientras que el leado 140 puede ser de aproximadamente 3 µp? de es nivel de cableado 160 puede ser de aproximadamente esor. Sin embargo, la invención no está limitada ores, y pueden emplearse cualesquier espesores ad más, la invención no está limitada al número de ni leado mostrados. En su lugar, los aspectos ención pueden utilizarse con un dispositivo semic tiene cualquier número de niveles de cablea mplo, dispositivos análogos, dispositivos di ontinuación con respecto a las Figuras 9-12. Ad ención no está limitada a dos estructuras de r rra 110, 145 como se muestra en la Figura 8. En s lquier número de estructuras de retorno a tierra den utilizarse para proporcionar cualquier número diferentes retardos para la estructura de la nsmisión.

En las modalidades, al menos un conmuta de proporcionarse en la región del disposit trato 100. El conmutador 170 puede ser " opera éctar de manera selectiva ya sea la estructura de ierra (por ejemplo, 110 ó 145) a tierra, causando to, que la estructura de retorno a tierra esté con rra (por ejemplo, 110 ó 145) sea la trayectoria de ierra para la linea de la señal 165. El conmut áe comprender cualquier dispositivo de con cuado, tal como, por ejemplo, un diodo PIN, FET, bruto {esto es, como una placa de contacto única q tiples microplaquetas no empacadas) , como una cubierta o en forma empacada. En el último roplaqueta se monta en un empaque de u roplaqueta (tal como un portador de plásti ductores que están fijos al tablero madre u otro nivel superior) , o en un empaque con rr roplaquetas {tal como un portador de cerámica q lquiera o ambas interconexiones superfici erconexiones enterradas) . En cualquier ca roplaqueta se integra entonces con otras micropl mentos de circuitos discretos y/u otros disposi cesamiento de la señal como parte de (a) un ermediario, tal como un tablero madre, o (b) un al. El producto final puede ser cualquier prod luya microplaquetas de circuitos integrados.

Las Figuras 9 y 10 muestran una estructur orno a tierra 210, que puede ser similar en ma ricación a los rieles de retorno a tierra, por 80, etc. La primera estructura de retorno a ti bién incluye peines de capacitancia 215, que se e de el riel de retorno a tierra 210, y que se ext vés de una pluralidad de niveles de cable trados) , y que terminan en los elementos de capa formados en el mismo nivel de cableado que la ??? al 200.

Todavía refiriéndose a la Figura 9, la ructura de retorno a tierra 225 incluye un solo orno a tierra 230, que puede ser similar al orno a tierra 210. La segunda estructura de r rra 225 también incluye peines de capacitancia 23 ienden desde el riel de retorno a tierra 230, ienden a través de una pluralidad de niveles de mostrados), y que terminan en los eleme la capacitancia de la primera estructura de r rra 205 esta dominada por los elementos 220, marc " en la Figura 10. La contribución de la capacit segunda estructura de retorno a tierra 225 está los elementos 240, marcados con "C2" en la Figura tribuyente , de la inductancia primaria de la ructura de retorno a tierra 205 es el riel de r rra 210, marcado con "Ll" en la Figura 1 tribuyente de la inductancia primaria de la ructura de retorno a tierra 225 es el riel de r rra 230, marcado con "L2" en la Figura 10.

Las Figuras 11 y 12 muestran una estructu ea de transmisión alterna de acuerdo con los asp invención. De manera especifica, la Figura 11 mué estructura de la linea de transmisión incluye una señal 300, primera estructura de retorno a tierra mplo, Gl) , y segunda estructura de retorno a ti mostrados) , y que terminan en los eleme acitancia 320 formados en el mismo nivel de cabl linea de la señal 300.

Todavía refiriéndose a la Figura 11, la ructura de retorno a tierra 325 incluye dos ri orno a tierra 330, que pueden ser similares al orno a tierra 310. Los rieles de retorno a tierr man en el mismo nivel de cableado que la linea de , constituyendo una linea de transmisión coplan unda estructura de. retorno a tierra 325 no inc nes de capacitancia. Al menos un . conmuta trado) , puede proporcionarse para colocar ' de ectiva una de las estructuras de retorno a pectivas 305 y 325 en un estado conectado a ntras que la otra flota.

La Figura 12 muestra una vista en nsversal de la estructura de la Figura 11 " en la Figura 10. El contribuyente de la ind maria de la segunda estructura de retorno a tierra rieles de retorno a tierra 330, marcados con "L ura 10.

Las Figuras 13 y 14 muestran una estructu ea de transmisión alterna de acuerdo con los asp invención. De manera especifica, la Figura 13 mu ructura de la linea de transmisión que incluye u la señal 400, primera estructura de retorno a ti r ejemplo, Gl) , y segunda estructura de retorno (por ejemplo, G2 ) , todas las cuales pueden for manera descrita anteriormente. La primera estru orno a tierra 405 incluye dos rieles de retorno alelos 410, que se forman en el mismo nivel de la linea de la señal 400. La primera estru orno a tierra 405 también incluye peines 415 ienden entre los rieles de retorno a tierra 410 . Al menos un conmutador (no mostrado), porcionarse para colocar de manera selectiva una ructuras de retorno a tierra respectivas 405 y 4 ado conectado a tierra, mientras que la otra flota La Figura 14 muestra una vista en nsversal de la estructura de la Figura 13 tribución de la capacitancia de la primera estru orno a tierra 405 está dominada por los pein cados con "Cl" en la Figura 14. La contribuci acitancia de la segunda estructura de retorno a ti á dominada por los peines 435, marcados con "C2 ura 14. El contribuyente de la inductancia primar mera estructura de retorno a tierra 405 es los r orno a tierra 410, marcados con Ll" en la Figura tribuyente de la inductancia primaria de la ructura de retorno a tierra 425 es los rieles de r rra 430, marcados con "L2" en la Figura 14. el retardo de la estructura de la linea de tra iere dependiendo de cual estructura de retorno r ejemplo, Gl o G2) está conectada a tierra, mien impedancia característica de la estructura de la¦ nsmisión permanece sustancialmente constante sin l estructura de retorno a tierra está conectada a las modalidades, la impedancia característica se oximadamente 50 ohms, aunque la invención no está este valor, y cualquier impedancia característi lizarse con la invención.

Las estructuras de la línea de tra critas hasta ahora, tienen cada una inclui ructuras de retorno. a tierra conmutables. Sin emb ención no está limitada a una estructura de la nsmisión que tiene sólo dos estructuras de re rra conmutables. En su lugar, pueden utilizarse (por ejemplo, tres, cuatro, etc.) estructuras de l una linea de transmisión 500 se extiende e tos 501, 502. La linea de transmisión 500 se pro tres secciones respectivas de impedancia fija, stáble 510, 515, 520, que pueden formarse ut ructuras similares a aquéllas descritas anteriorm pecto a las Figuras 1-14.

De manera más especifica, la primera sec de comprender una estructura de la linea de tra tiene tres valores de retardo controlables d ectiva ti, t2, t3, y una impedancia caract ativamente constante Zo. De manera similar, la ción 515 puede comprender una estructura de la nsmisión que tiene tres valores de retardo control era selectiva t4, t5, t6, y una impedancia caract ativamente constante Zo. De manera similar, la ción 520 puede comprender una estructura de la nsmisión que tiene tres valores de retardo control erdo con otro aspecto de la invención, las secció y 520 son todas diferentes, de mane t2?t3?t4?t5?t6?t7?t8?t9. En tal modalida ntisiete diferentes permutaciones de retardo para transmisión 500, cada permutación tiene sustancial ma impedancia característica Zo.

La Figura 16 es un diagrama de flujo que im pasos de acuerdo con los aspectos de la invenci grama de flujo puede representar igualmente un dia ques de alto nivel de la invención. Los pa grama de flujo pueden controlarse y ejecutarse vidor, en una relación cliente-servidor, positivos de computación y en una red ad hoc, rerse en una estación de trabajo del usuario ormación operativa transportada a la estación de usuario. Además, la invención puede con lizando una modalidad completamente con elementos lizarse por, o en conexión con una computadora o c tema de ejecución de instrucciones. Para los pr esta descripción, un medio utilizable por la compu ible por la computadora puede ser un aparato q tener, almacenar, comunicar, propagar o transpo grama para utilizarse por, o en conexión con el rato o dispositivo que ejecuta las instruccion io puede ser un sistema electrónico, magnético, ctromagnético, infrarrojo o semiconductor (o ap positivo) o un medio de propagación. Los ejempl io legible por computadora incluyen una iconductora o de estado sólido, cinta magnética a computadora retirable, una memoria de acceso a M) , una memoria de sólo lectura (ROM) , un disco m ido y un disco óptico. Los ejemplos actuales d icos incluyen un disco compacto - memoria de sólo -ROM) , disco compacto - lectura/escritura (CD-R/W) éllas descritos anteriormente con respecto a las 5 (por ejemplo, Gl ) . En las modalidades, la con a operando un conmutador integrado en la reg positivo semiconductor de la estructura de la nsmisión. La operación del conmutador puede reali lquier manera adecuada, tal como, por ejemplo, un computadora. Como resultado del paso 610, la ructura de retorno a tierra se proporciona c yectoria de retorno a tierra para la linea de la estructura de la linea de transmisión.

En el paso 620, una segunda estructura de r rra integrada en la misma estructura de la 1 nsmisión, está desconectada eléctricamente del pot rra. La segunda estructura de retorno a tierra p ilar a aquella descrita anteriormente con respec uras 4-15 (por ejemplo, G2), de manera tal que el iere dependiendo de cual estructura de retorno lizando un conmutador diferente de la conexión en .

En el paso 630, una señal se transmite en la señal de la estructura de la linea de transmis modalidades, la trasmisión de la señal puede re cualquier manera adecuada. Debido a la conexió o 610, la transmisión tendrá un retardo dét ncipalmente por la primera estructura de retorno a En el paso 640, la primera estructura de r rra se desconecta del potencial a tierra, y la ructura de retorno a tierra se conecta al pot rra. Esto puede realizarse de una manera simil os 610 y 620, sustituyendo la primera estruc orno a tierra por la segunda estructura de re rra, y viceversa. Como resultado del paso 640, la ructura de retorno a tierra se proporciona c yectoria de retorno a tierra para la linea de la es diferente del retardo en el paso 630; sin emb edancia característica de la estructura de la nsmisión es la misma en ambos pasos de transmisi .

La Figura 17 muestra un diagrama de bloqu jo de diseño ejemplar 900 utilizado, por ejemplo eño, simulación, prueba, disposición y fabrica ico IC semiconductor. El flujo de diseño 900 inc cesos y mecanismos para procesar las estruc positivos de diseño para generar lógicamente o era funcionalmente, representaciones equivalentes ructuras y/o dispositivos de diseño d eriormente, y mostrados en las Figuras 1-5 y 8-1 ructuras de diseño procesadas y/o generadas por diseño 900 pueden codificarse en un medio de trans acenamiento legible por la máquina para incluir l instrucciones que, cuando se ejecutan o procesan componente estándar o de un flujo de diseño 9 mplificar concretamente el diseño en un gramable, por ejemplo, un arreglo de compuerta pro A) o un arreglo de compuerta programable de camp ecido por Altera® Inc., o Xilinx® Inc.

¦ La Figura 17 ilustra múltiples de tales est diseño, incluyendo una estructura de diseño de , que se procesa de manera preferida por un pro eño 910. La estructura de diseño 920 puede ructura de diseño de simulación lógica gen cesada por el proceso de diseño 910 para prod resentación lógicamente equivalente funcional positivo de elementos físicos. La estructura d también puede, o de manera alterna, comprender d trucciones de programa que, cuando se procesan ceso de diseño 910, generan una representación f la estructura física de un dispositivo de e ulos de elementos físicos y/o programas dentro del diseño 910 para simular o de representar funcional a manera un componente, circuito, módulo elect ico aparato, dispositivo o sistema electrónico, éllos mostrados en las Figuras 1-5 y 8-15. Por l estructura de diseño 920 puede comprender archivos ructuras de datos, incluyendo un código de fuent legible por la máquina, estructuras compi ructuras del código ejecutable por la computad ndo se procesan por un sistema de procesamiento diseño o de simulación, simulan funcional resentan de otra manera los circuitos u otros niv eño lógico de elementos físicos. Tales estruc os pueden incluir entidades de diseño del len cripción de los elementos físicos (HDL) , ructuras de datos que se conforman a, y/o compati lenguajes de diseño del HDL de nivel más bajo, ta ructuras ele diseño, tales como la estructura d . La netlist 980 puede comprender, por ructuras de datos compilados o procesados de otr representan una lista de cables, componentes di puertas lógicas, circuitos de control, dispositi los, etc., que describen las conexiones a otros e ircuitos en un diseño de circuito integrado. La puede sintetizarse utilizando un proceso iterati l, la netlist 980 se resintetiza una o má endiendo de las especificaciones y parámetros d a el dispositivo. Como con otros tipos de es critos en la presente, la netlist 980 puede regist medio de almacenamiento de datos legible por la m gramarse en un arreglo de compuerta programable. de ser un medio de almacenamiento no volátil, tal dad de disco magnético u óptico, un arreglo de c gramable, una memoria instantánea compacta u otra tipos de estructuras de datos de entrada inclu list 980. Tales tipos de estructuras de dato idir, por ejemplo, dentro de los elementos lioteca 930 e incluir un conjunto de elementos, c ispositivos comúnmente, incluyendo modelos, dispo representaciones simbólicas, para una tecnol ricación dada (por ejemplo, diferentes no nología, 32 nm, 45 nm, 90 nm, etc.). Los t ructuras de datos pueden incluir además, especifi diseño 940, datos de caracterización 950, d ificación 960, reglas de diseño 970, y archivos prueba 985, que pueden incluir patrones de p rada, resultados de prueba de salida, y otra inf prueba. El proceso de diseño 910 puede incluir ejemplo, procesos de diseño mecánico estándar, ta lisis de esfuerzos, análisis térmicos, simula ntos mecánicos, simulación de procesos tal ificación, comprobación de la regla del raciones de lugar y ruta, etc.

El proceso de diseño 910 emplea e i ramientas de diseño lógicas y físicas, tal opiladores HDL y herramientas de construcción de u simulación para la estructura del diseño del pro to con algunas o todas de las estructuras de orte descritas, junto con cualquier diseño d ánico adicional (si es aplicable), para gene unda estructura de diseño 990. La estructura d reside en un medio de almacenamiento o un ar puerta programable en un formato de datos utiliz intercambio de datos utilizado para el interc os de los dispositivos y estructuras mecánic mplo, información almacenada en un formato IG asolid XT, JT, DRG, o cualquier otro formato adecú acenar o interpretar tales estructuras de 5. En una modalidad, la estructura de diseño 9 prender un modelo de simulación del HDL eje opilado, que simula funcionalmente los disp trados en las Figuras 1-15.

La estructura de diseño 990 también puede formato de datos utilizado para el intercambio de disposición de los circuitos integrados y/o un fo os simbólicos (por ejemplo, información almacena il (GDS2), GL1, OASIS, archivos de mapa o cualqu mato adecuado para almacenar tales estructuras de eño) . La estructura de diseño 990 puede co ormación tal como, por ejemplo, datos simbólicos, mapas, archivos de datos de prueba, archivos del c diseño, datos de fabricación, parámetros posición, cables, niveles de metal, vias, forma a encaminar a través de la linea de fabric lesquier otros datos requeridos por un fabricant La terminología utilizada en la presente es pósito de describir las modalidades part camente, y no pretende ser limitante de la in o se utiliza en la presente, las formas singula " y "el, la", pretenden incluir las formas bién, a menos que el contexto lo indique clara a manera. Se entenderá además que los mprende" y/o "que comprende", cuando se utilizan ecificación, especifican la presencia de car cter eros, pasos, operaciones, elementos y/o coi icados, pero no excluyen la presencia o adición de otras características, enteros, pasos, oper mentos, componentes y/o grupos de los mismos .

Las estructuras, materiales, actos y equi respondientes de todos los medios o pasos más elem ción, si los hay, en las reivindicaciones sig tenden incluir cualquier estructura, material o a alidades se eligieron y describieron con el licar mejor los principios de la invención y la ap ctica, y para permitir a otros de experiencia ordi técnica entender la invención para variar modalida ias modificaciones, que son adecuadas para ticular contemplado.

Claims (1)

1. REIVINDICACIONES : 1. Una estructura de la línea de transmis prende: una linea de la señal; una primera estructura de retorno a tie sa un primer retardo y una primera im acterística en la estructura de la línea de transm una segunda estructura de retorno a tie sa un segundo retardo y una segunda im acterística en la estructura de la línea de transm en donde el primer retardo es diferente del ardo y la primera . impedancia característ tancialmente la misma que la segunda ir acterística . 2. La estructura ' de conformidad vindicación 1, caracterizada porque la línea de l cableado de la estructura semiconductora, y la segunda estructura de retorno a tierra un tercer nivel de la estructura semiconductora. 4. La estructura de conformidad vindicación 3, caracterizada porque: el primer nivel de cableado es difere undo nivel de cableado, y una porción de la primera estructura de r rra también se forma en el primer nivel de cablead 5. La estructura de conformidad vindicación 4, caracterizada porque: la linea de la señal se forma en un primer leado de la estructura semiconductora, la ructura de retorno a tierra se forma en el primer leado, y las porciones de la segunda estructura de r rra se forman en el primer nivel de cableado y un vindicación 2, caracterizada porque: la primera estructura de retorno a tierra c primer riel de retorno a tierra y una primera es capacitancia, y la segunda estructura de retorno a tierra c segundo riel de retorno a tierra y una segunda es capacitancia . 8. La estructura de conformidad vindicación 7, caracterizada porque: el primer riel de retorno a tierra está m la linea de la señal que el segundo riel de r rra, y la primera estructura de capacitancia e ea de la linea de la señal que la segunda estru acitancia . 9. La estructura de conformidad vindicación 1, caracterizada porque el primer y . lejos de la línea de la señal que el segundo orno a tierra, la primera estructura de capacitancia e ea de " la línea de la señal que la segunda estru acitancia, y la conexión a tierra de la línea de la señ mutarse de manera selectiva entre el primer orno a tierra y el segundo riel de retorno a tierr 11. La estructura de conformidad vindicación 10, caracterizada porque la línea de l primera estructura de retorno a tierra, y la ructura de retorno a tierra están comprendidas ructura de la línea de transmisión. 12. La estructura de conformidad vindicación 11, caracterizada porque: la primera estructura de retorno a tierra mer retardo y la primera impedancia característi ardo y una tercera impedancia característica, en cer retardo es sustancialmente diferente del p undo retardos, y la tercera impedancia caracterí tancialmente igual a la primera y segunda imp acterísticas . 14. La estructura de conformidad vindicación 11, caracterizada porque la línea de l primera estructura de retorno a tierra, y la ructura de retorno a tierra se forman en niv leado por encima de un sustrato. 15. Una estructura de diseño incorporada d gible en un medio legible por una máquina para ricar o probar un circuito integrado, la estru eño comprende: una línea de la señal; una primera estructura de retorno a tie sa un primer retardo y una primera im 16. La estructura de diseño de conformida vindicación 15, caracterizada porque la estruc eño comprende una netlist. 17. La estructura de diseño de conformida vindicación 15, caracterizada porque la .estruc eño reside en un medio de almacenamiento como un datos utilizado para el intercambio de los dato posición de los circuitos integrados. 18. La estructura de diseño de conformida vindicación 15, caracterizada porque la estruc eño reside en un arreglo de compuerta programable. 19. Una estructura de diseño de leng cripción de los elementos físicos (HDL) codifica io de almacenamiento de datos legible por la máq ructura de diseño de la HDL comprende elementos qu procesan en un sistema de diseño auxili putadora, genera una representación ejecutable lejos de la línea de la señal que el segundo orno a tierra, la primera estructura de capacitancia e ea de la línea de la señal que la segunda estru acitancia . 20. Un método para fabricar una estructu ea de transmisión, que comprende: formar una línea de la señal de la estructu ea de transmisión; formar una primera estructura de retorno causa un primer retardo y una primera ir acterística en la estructura de la línea de transm formar una segunda estructura de retorno causa un segundo retardo y una segunda im acterística en la estructura de la línea de transm en donde el primer retardo es diferente del ardo, y la primera impedancia característ la línea de la señal se forma en un primer leado de la estructura semiconductora, la ructura de retorno a tierra se forma en un segun cableado de la estructura semiconductora, y la segunda estructura de retorno a tierra un tercer nivel de la estructura semiconductora. 23. El método de conformidad con la reivin caracterizado porque: el. primer nivel de cableado es difere undo nivel de cableado, y una porción de la primera estructura de r rra también se forma en el primer nivel de cablead 24. El método de conformidad con la reivin caracterizado porque: la línea de la señal se forma en un primer leado de la estructura semiconductora, la ructura de retorno a tierra se forma en el primer ructuras ele retorno a tierra, respectivamente. 26. El método de conformidad con la reivin caracterizado porque: la primera estructura de retorno a tierra c primer riel de retorno a tierra y una primera es capacitancia, y la segunda estructura de retorno a tierra c segundo riel de retorno a tierra y una segunda es capacitancia. 27. El método de conformidad con la reivin caracterizado porque: el primer riel de retorno a tierra está más linea de la señal que el segundo riel de retorno a t la primera estructura de capacitancia e ea de la linea de la señal que la segunda estru acitancia . 28. El método de conformidad con la reivin edancia característica. 31. El método de conformidad con la reivin caracterizado porque el primera impedancia caract de aproximadamente 50 ohms . 32. Un método para fabricar una es iconductora, que comprende: formar una línea de la señal, formar un primer riel de retorno a tierr mera estructura de capacitancia; y formar un segundo riel de retorno a tierr unda estructura de capacitancia, en donde el primer riel de retorno a tierr os de la línea de la señal que el segundo riel de ierra, la primera estructura de capacitancia e ea de la línea de la señal que la segunda estru acitancia, y 34. El método de conformidad con la reivin caracterizado porque: la primera estructura de retorno a tierra mer retardo y una primera impedancia característi ructura de la línea de transmisión, la segunda estructura de retorno a tierra undo retardo diferente del primer retardo y una edancia característica sustancialmente igual a la edancia característica. 35. El método de conformidad con la reivin caracterizado porque comprende además formar una ructura de retorno a tierra que crea un tercer r tercera impedancia característica, en donde el tercer retardo es sustanc erente del primer y segundo retardos, y la edancia característica es sustancialmente igua mera y segunda impedancias características. " ierra que causa un primer retardo y una primera im acteristica de la estructura de la linea de transm hacer flotar una segunda estructura de r rra que causa un segundo retardo diferente del ardo y una segunda impedancia caract tancialmente igual que la primera im acteristica; y transmitir una señal en una linea de la señ ructura de la linea de transmisión. 38. El método de conformidad con la reivin caracterizado porque la linea de la señal, la ructura de retorno a tierra y la segunda estru orno a tierra se forman en una estructura semicond 39. El método de conformidad con la reivin caracterizado porque la conexión a tierra y tar, comprenden operar al menos un conmutador ructura semiconductora. V caracterizado porque: el primer retardo es al menos aproximadam erente del segundo retardo, y la primera impedancia característica es oximadamente 5% diferente de la segunda im acterística, y 42. Un método, que comprende: conmutar una estructura de la línea de tra re: (i) una primera estructura de retorno a ti a un primer retardo y una primera im acterística en la estructura de la línea de transm ) una segunda estructura de retorno a tierra que undo retardo y una segunda impedancia característi ructura de la línea de transmisión, en donde e ardo es sustancialmente diferente del segundo re primera impedancia característica es sustancialmen a segunda impedancia característica.