MD719G2 - Способ изготовления переключающей структуры с S-образной вольтамперной характеристикой - Google Patents
Способ изготовления переключающей структуры с S-образной вольтамперной характеристикой Download PDFInfo
- Publication number
- MD719G2 MD719G2 MD94-0256A MD940256A MD719G2 MD 719 G2 MD719 G2 MD 719G2 MD 940256 A MD940256 A MD 940256A MD 719 G2 MD719 G2 MD 719G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- figurative
- volt
- switching structure
- ampere characteristic
- transition
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Contacts (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении переключающих структур с S-образной вольт-амперной характеристикой.В предлагаемом способе изготовления переключающей структуры с S-образной вольт-амперной характеристикой на базе кремния, включающей формирование анизотипного перехода p+-n и изотипного перехода n-n+, новым является формирование изотипного перехода на поверхности кремния путем нанесения слоя In2O3:SnO2 толщиной 0,3 mм в воздушном потоке.Технический результат заключается в создании фоточувствительного потенциального барьера на изотипном переходе n-n+, который при обратных смещениях характеризуется туннельным механизмом прохождения тока.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD94-0256A MD719G2 (ru) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | Способ изготовления переключающей структуры с S-образной вольтамперной характеристикой |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD94-0256A MD719G2 (ru) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | Способ изготовления переключающей структуры с S-образной вольтамперной характеристикой |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD719F2 MD719F2 (en) | 1997-04-30 |
| MD719G2 true MD719G2 (ru) | 1997-12-31 |
Family
ID=19738567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD94-0256A MD719G2 (ru) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | Способ изготовления переключающей структуры с S-образной вольтамперной характеристикой |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD719G2 (ru) |
-
1994
- 1994-07-22 MD MD94-0256A patent/MD719G2/ru active IP Right Grant
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| "Диоды и тиристоры", под общей редакцией А.А. Чернышева, 1980 г., изд-во "Энергия", М., с. 126. * |
| И.М. Викулин, В.И. Стафеев, "Физика полупроводниковых приборов", 1980 г., изд-во "Советское радио", М., с. 296. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD719F2 (en) | 1997-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW350135B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same the invention relates to a semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| TW363276B (en) | Thin-film semiconductor device, thin-film transistor and method for fabricating the same | |
| EP0342796A3 (en) | Thin-film transistor | |
| FR2738394B1 (fr) | Dispositif a semi-conducteur en carbure de silicium, et son procede de fabrication | |
| CA2052970A1 (en) | Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same | |
| TW283263B (en) | Fabrication method of semiconductor device and field effect transistor | |
| DE69635824D1 (de) | Graben-dmos-transistor mit vergrabener schicht für verminderten anschaltwiderstand und verbesserter robustheit | |
| DE3574080D1 (en) | Silicon semiconductor substrate with an insulating layer embedded therein and method for forming the same | |
| EP0827208A3 (en) | Hydrogen-terminated diamond misfet and its manufacturing method | |
| KR940006217A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| GB9925564D0 (en) | Method of forming silicon oxide layer and method of manufacturing thin film transistor thereby | |
| DE69311174D1 (de) | Piezoelektrisches/elektrostriktives Element mit Hilfselektrode zwischen einer piezoelektrischen/elektrostriktiven Schicht und dem Substrat | |
| ATE143531T1 (de) | Halleffekt-fühler | |
| SE9500152D0 (sv) | A method of producing an ohmic contact and a semiconductor device provided with such ohmic contact | |
| TW370677B (en) | Semiconductor memory device and manufacturing method | |
| FR2708142B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un transistor en technologie silicium sur isolant. | |
| SE9600199D0 (sv) | A semiconductor device with a low resistance ohmic contact between a metal layer and a SiC-layer | |
| MD719G2 (ru) | Способ изготовления переключающей структуры с S-образной вольтамперной характеристикой | |
| DK0869156T3 (da) | Fotokatalytisk fremgangsmåde til at gøre en overflade hydrofil, og kompositmateriale med en fotokatalytisk hydrofil overflade | |
| DE69416462D1 (de) | Schichtstruktur mit isolierender Dünnschicht und Oxydsupraleiter-Dünnschicht | |
| SG66275A1 (en) | Semiconductor device containing electrostatic capacitive element and method for manufacturing same | |
| JPS6418278A (en) | Mis structure photosensor | |
| CA2051048A1 (en) | Superconducting device having a reduced thickness of oxide superconducting layer and method for manufacturing the same | |
| CA2054644A1 (en) | Superconducting device having an extremely short superconducting channel formed of extremely thin oxide superconductor film and method for manufacturing same | |
| TW331656B (en) | The produce of wafer and its devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG3A | Granted patent for invention | ||
| IF99 | Valid patent on 19990615 |
Free format text: EXPIRES: 20140722 |