MD4002C2 - Устройство для измерения напряженности магнитного поля - Google Patents

Устройство для измерения напряженности магнитного поля

Info

Publication number
MD4002C2
MD4002C2 MDA20080080A MD20080080A MD4002C2 MD 4002 C2 MD4002 C2 MD 4002C2 MD A20080080 A MDA20080080 A MD A20080080A MD 20080080 A MD20080080 A MD 20080080A MD 4002 C2 MD4002 C2 MD 4002C2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
intensity
measuring
magnetic fields
magnetic field
measurement
Prior art date
Application number
MDA20080080A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD4002B1 (ro
Inventor
Ефим ЗАСАВИЦКИЙ
Валериу КАНЦЕР
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20080080A priority Critical patent/MD4002C2/ru
Publication of MD4002B1 publication Critical patent/MD4002B1/xx
Publication of MD4002C2 publication Critical patent/MD4002C2/ru

Links

Landscapes

  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)

Abstract

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для измерения напряженности магнитных полей и может быть использовано в геологоразведке, медицине, научных исследованиях и других областях науки и техники, требующих измерения напряженности слабых магнитных полей.Устройство для измерения напряженности магнитного поля содержит подключенные последовательно регулируемый источник электрического тока (2), сверхпроводящий чувствительный элемент (1) с системой охлаждения и регистрирующее устройство (3). Сверхпроводящий чувствительный элемент (1) выполнен из полупроводника группы A4B6, например, из теллурида свинца, допированного таллием Pb1-xTlxTe, где x = 0,01...0,0225.Результат изобретения состоит в повышении точности измерения напряженности слабых магнитных полей.
MDA20080080A 2008-03-19 2008-03-19 Устройство для измерения напряженности магнитного поля MD4002C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20080080A MD4002C2 (ru) 2008-03-19 2008-03-19 Устройство для измерения напряженности магнитного поля

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20080080A MD4002C2 (ru) 2008-03-19 2008-03-19 Устройство для измерения напряженности магнитного поля

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD4002B1 MD4002B1 (ro) 2009-12-31
MD4002C2 true MD4002C2 (ru) 2010-07-31

Family

ID=43568863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20080080A MD4002C2 (ru) 2008-03-19 2008-03-19 Устройство для измерения напряженности магнитного поля

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD4002C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1527524A1 (ru) * 1988-03-22 1989-12-07 МГУ им.М.В.Ломоносова Датчик давлени
US6191581B1 (en) * 1996-07-05 2001-02-20 Thomson-Csf Planar thin-film magnetic field sensor for determining directional magnetic fields
WO2004072672A1 (en) * 2003-02-11 2004-08-26 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor
UA72826C2 (en) * 2003-03-31 2005-04-15 Inesa Antonivna Bolshakova Magnetic field strength transducer
WO2006042839A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-27 Commissariat A L'energie Atomique A method and apparatus for magnetic field measurements using a magnetoresistive sensor
MD3436C2 (ru) * 2005-04-25 2008-06-30 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Болометр
MD3688C2 (ru) * 2007-03-14 2009-03-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый тензочувствительный резистор

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1527524A1 (ru) * 1988-03-22 1989-12-07 МГУ им.М.В.Ломоносова Датчик давлени
US6191581B1 (en) * 1996-07-05 2001-02-20 Thomson-Csf Planar thin-film magnetic field sensor for determining directional magnetic fields
WO2004072672A1 (en) * 2003-02-11 2004-08-26 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor
UA72826C2 (en) * 2003-03-31 2005-04-15 Inesa Antonivna Bolshakova Magnetic field strength transducer
WO2006042839A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-27 Commissariat A L'energie Atomique A method and apparatus for magnetic field measurements using a magnetoresistive sensor
MD3436C2 (ru) * 2005-04-25 2008-06-30 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Болометр
MD3688C2 (ru) * 2007-03-14 2009-03-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый тензочувствительный резистор

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Чечерников В. И. Магнитные измерения. Москва, МГУ, 1969, − с. 62-67 *
Чечерников В. И. Магнитные измерения. Москва, МГУ, 1969, с. 62-67 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Also Published As

Publication number Publication date
MD4002B1 (ro) 2009-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10247789B2 (en) Magnetoresistive sensor and gradiometer
ATE386949T1 (de) Hochempfindlicher magnetischer eingebauter stromsensor
CN102426285A (zh) 一种用于双向电流采样的电流传感器
CN103901362B (zh) 基于多通道squid磁传感器的三轴磁探测模块
Wu et al. Performance of a 4H-SiC Schottky diode as a compact sized detector for neutron pulse form measurements
Abdulkhaev et al. Features of the temperature properties of a field-effect transistor in a current-limiting mode
Zhu et al. Self-powered silicon PIN neutron detector based on triboelectric nanogenerator
CN106646278B (zh) 一种利用高分辨力磁场探测的低噪声mems前置放大器件
MD4002C2 (ru) Устройство для измерения напряженности магнитного поля
CN203259636U (zh) 微弱磁场测量装置
CN101813723A (zh) 一种非接触式测量直流电流的方法
MD340Z (ru) Болометр
CN103308872B (zh) 组合式磁场传感器及微弱磁场测量装置
Lindemuth Variable temperature Hall measurements on low-mobility materials
Filippov et al. Measurement of helium temperatures by TVO-sensors under magnetic fields
Zhang et al. An alternating current calibration method for Helmholtz coil constant based on orthogonal calculation principle
Allison et al. Temperature Dependence of the Hall Coefficients in Some Silver Palladium Alloys
RU2553740C1 (ru) Способ повышения показателя чувствительности магниторезистивных датчиков
CN103954927B (zh) 体积电阻与方块电阻转换校准装置及其校准方法
THOMAS DETERMINATION OF HALL COEFFICIENT AND BAND GAP OF SEMICONDUCTOR
CN104776932B (zh) 用于燃气表的温度检测系统
Feng et al. A research about the temperature compensation of Hall sensor
Chakraborty et al. Bolometric measurement of AC loss in HTS tapes: a novel approach of microwatt sensitivity
Ma et al. Design and experimental study of fast response α-particle energy spectrum readout system based on 4H-SiC detector
Вікулин et al. DETECTORS BASED ON FIELD EFFECT TRANSISTORS

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees