MD4002C2 - Устройство для измерения напряженности магнитного поля - Google Patents

Устройство для измерения напряженности магнитного поля Download PDF

Info

Publication number
MD4002C2
MD4002C2 MDA20080080A MD20080080A MD4002C2 MD 4002 C2 MD4002 C2 MD 4002C2 MD A20080080 A MDA20080080 A MD A20080080A MD 20080080 A MD20080080 A MD 20080080A MD 4002 C2 MD4002 C2 MD 4002C2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
intensity
measuring
magnetic fields
magnetic field
measurement
Prior art date
Application number
MDA20080080A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD4002B1 (ro
Inventor
Ефим ЗАСАВИЦКИЙ
Валериу КАНЦЕР
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20080080A priority Critical patent/MD4002C2/ru
Publication of MD4002B1 publication Critical patent/MD4002B1/xx
Publication of MD4002C2 publication Critical patent/MD4002C2/ru

Links

Landscapes

  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для измерения напряженности магнитных полей и может быть использовано в геологоразведке, медицине, научных исследованиях и других областях науки и техники, требующих измерения напряженности слабых магнитных полей.Устройство для измерения напряженности магнитного поля содержит подключенные последовательно регулируемый источник электрического тока (2), сверхпроводящий чувствительный элемент (1) с системой охлаждения и регистрирующее устройство (3). Сверхпроводящий чувствительный элемент (1) выполнен из полупроводника группы A4B6, например, из теллурида свинца, допированного таллием Pb1-xTlxTe, где x = 0,01...0,0225.Результат изобретения состоит в повышении точности измерения напряженности слабых магнитных полей.
MDA20080080A 2008-03-19 2008-03-19 Устройство для измерения напряженности магнитного поля MD4002C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20080080A MD4002C2 (ru) 2008-03-19 2008-03-19 Устройство для измерения напряженности магнитного поля

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20080080A MD4002C2 (ru) 2008-03-19 2008-03-19 Устройство для измерения напряженности магнитного поля

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD4002B1 MD4002B1 (ro) 2009-12-31
MD4002C2 true MD4002C2 (ru) 2010-07-31

Family

ID=43568863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20080080A MD4002C2 (ru) 2008-03-19 2008-03-19 Устройство для измерения напряженности магнитного поля

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD4002C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1527524A1 (ru) * 1988-03-22 1989-12-07 МГУ им.М.В.Ломоносова Датчик давлени
US6191581B1 (en) * 1996-07-05 2001-02-20 Thomson-Csf Planar thin-film magnetic field sensor for determining directional magnetic fields
WO2004072672A1 (en) * 2003-02-11 2004-08-26 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor
UA72826C2 (en) * 2003-03-31 2005-04-15 Inesa Antonivna Bolshakova Magnetic field strength transducer
WO2006042839A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-27 Commissariat A L'energie Atomique A method and apparatus for magnetic field measurements using a magnetoresistive sensor
MD3436C2 (ru) * 2005-04-25 2008-06-30 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Болометр
MD3688C2 (ru) * 2007-03-14 2009-03-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый тензочувствительный резистор

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1527524A1 (ru) * 1988-03-22 1989-12-07 МГУ им.М.В.Ломоносова Датчик давлени
US6191581B1 (en) * 1996-07-05 2001-02-20 Thomson-Csf Planar thin-film magnetic field sensor for determining directional magnetic fields
WO2004072672A1 (en) * 2003-02-11 2004-08-26 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor
UA72826C2 (en) * 2003-03-31 2005-04-15 Inesa Antonivna Bolshakova Magnetic field strength transducer
WO2006042839A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-27 Commissariat A L'energie Atomique A method and apparatus for magnetic field measurements using a magnetoresistive sensor
MD3436C2 (ru) * 2005-04-25 2008-06-30 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Болометр
MD3688C2 (ru) * 2007-03-14 2009-03-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый тензочувствительный резистор

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Чечерников В. И. Магнитные измерения. Москва, МГУ, 1969, − с. 62-67 *
Чечерников В. И. Магнитные измерения. Москва, МГУ, 1969, с. 62-67 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Also Published As

Publication number Publication date
MD4002B1 (ro) 2009-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI365989B (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
Janssen et al. Precision comparison of the quantum Hall effect in graphene and gallium arsenide
US20150212166A1 (en) Magnetoresistive sensor and gradiometer
CN101387675B (zh) 一种超导带材交流损耗测试方法
Ciavatti et al. Charged-particle spectroscopy in organic semiconducting single crystals
Zhu et al. Self-powered silicon PIN neutron detector based on triboelectric nanogenerator
CN103454602B (zh) 一种基于拓扑绝缘体的磁场测量计及其测量方法
MD4002C2 (ru) Устройство для измерения напряженности магнитного поля
Abdulkhaev et al. Features of the temperature properties of a field-effect transistor in a current-limiting mode
CN104297703B (zh) 超导量子干涉传感器及所适用的磁探测器
CN203259636U (zh) 微弱磁场测量装置
CN103308872B (zh) 组合式磁场传感器及微弱磁场测量装置
CN101813723A (zh) 一种非接触式测量直流电流的方法
MD340Z (ru) Болометр
Lindemuth Variable temperature Hall measurements on low-mobility materials
CN203658567U (zh) 一种应用于测试亚锰酸盐磁电阻的装置
CN206832912U (zh) 一种光电材料与器件多场耦合测试系统
CN103954927B (zh) 体积电阻与方块电阻转换校准装置及其校准方法
Allison et al. Temperature Dependence of the Hall Coefficients in Some Silver Palladium Alloys
CN207067267U (zh) 一种光电功能材料多场耦合输运测试集成联机系统
RU2553740C1 (ru) Способ повышения показателя чувствительности магниторезистивных датчиков
THOMAS DETERMINATION OF HALL COEFFICIENT AND BAND GAP OF SEMICONDUCTOR
Chakraborty et al. Bolometric measurement of ac loss in HTS tapes: a novel approach ofmicrowatt sensitivity
Feng et al. A research about the temperature compensation of Hall sensor
CN104776932B (zh) 用于燃气表的温度检测系统

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees