MD3688C2 - Полупроводниковый тензочувствительный резистор - Google Patents

Полупроводниковый тензочувствительный резистор

Info

Publication number
MD3688C2
MD3688C2 MDA20070060A MD20070060A MD3688C2 MD 3688 C2 MD3688 C2 MD 3688C2 MD A20070060 A MDA20070060 A MD A20070060A MD 20070060 A MD20070060 A MD 20070060A MD 3688 C2 MD3688 C2 MD 3688C2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
sensing resistor
semiconductor strain
measuring
sensibility
thallium
Prior art date
Application number
MDA20070060A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD3688B1 (en
Inventor
Валериу КАНЦЕР
Ефим ЗАСАВИЦКИЙ
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20070060A priority Critical patent/MD3688C2/ru
Publication of MD3688B1 publication Critical patent/MD3688B1/xx
Publication of MD3688C2 publication Critical patent/MD3688C2/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к полупроводниковому тензочувствительному резистору, который может быть применен для измерения деформаций и усталостных повреждений конструкций в электронике, атомной энергетике, машиностроении, авиации.Полупроводниковый тензочувствительный резистор изготовлен в форме нити из теллурида свинца, легированного таллием, при следующем соотношении компонентов, масс. %:Результат изобретения состоит в повышении чувствительности и в расширении диапазона измерений величин деформаций типа одноосного растяжения.
MDA20070060A 2007-03-14 2007-03-14 Полупроводниковый тензочувствительный резистор MD3688C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070060A MD3688C2 (ru) 2007-03-14 2007-03-14 Полупроводниковый тензочувствительный резистор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070060A MD3688C2 (ru) 2007-03-14 2007-03-14 Полупроводниковый тензочувствительный резистор

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD3688B1 MD3688B1 (en) 2008-08-31
MD3688C2 true MD3688C2 (ru) 2009-03-31

Family

ID=39740086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20070060A MD3688C2 (ru) 2007-03-14 2007-03-14 Полупроводниковый тензочувствительный резистор

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD3688C2 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4002C2 (ru) * 2008-03-19 2010-07-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Устройство для измерения напряженности магнитного поля
MD174Z (ru) * 2009-05-19 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый материал
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU101524A1 (ru) * 1954-07-06 1954-11-30 Е.М. Шулик Приспособление дл автоматического клеймени листов
RU2002101129A (ru) * 2000-04-20 2003-09-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl) Носитель оптической записи
SU1828725A3 (ru) * 1990-07-09 2006-12-27 Институт электроники АН БССР Способ получения пленочного многоэлементного термоэлектрического преобразователя

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU101524A1 (ru) * 1954-07-06 1954-11-30 Е.М. Шулик Приспособление дл автоматического клеймени листов
SU1828725A3 (ru) * 1990-07-09 2006-12-27 Институт электроники АН БССР Способ получения пленочного многоэлементного термоэлектрического преобразователя
RU2002101129A (ru) * 2000-04-20 2003-09-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl) Носитель оптической записи

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. *
Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. Москва, Наука, 1968, с. 354 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4002C2 (ru) * 2008-03-19 2010-07-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Устройство для измерения напряженности магнитного поля
MD174Z (ru) * 2009-05-19 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый материал
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Also Published As

Publication number Publication date
MD3688B1 (en) 2008-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SG151317A1 (en) Magnetoresistance effect device
WO2012116227A3 (en) Measuring seebeck coefficient
WO2009016594A3 (en) Humidity sensor based on progressive corrosion of exposed material
GB0521076D0 (en) Measurement of micromovements
MD3688C2 (ru) Полупроводниковый тензочувствительный резистор
Mejri et al. Characterization of the thermo-mechanical properties of p-type (MnSi1. 77) and n-type (Mg2Si0. 6Sn0. 4) thermoelectric materials
WO2013149065A8 (en) Force gauge for pliable material
WO2009041631A1 (ja) ＺｎＯ系半導体及びＺｎＯ系半導体素子
WO2010052032A8 (en) Thermal conductivity of thin films
CN103673835A (zh) 一种简易间隙测量工具
Kayama et al. Pressure induced insulator-to-metal transition at 170 GPa of Kondo semiconductor YbB12
Przewodnik et al. Hyperfine fields in ZnO studied under uni-and biaxial pressure
Ueno et al. Magnetic circuit for stress-based magnetic force control using iron-gallium alloy
李秋柱 et al. Pressure effect study on the Ⅰ-Ⅴ property of the GaAs-based resonant tunnelling structure by photoluminescence measurement
He et al. Measurement of foil bonded strain gauges with 3 wire quarter bridge
Zeng et al. Effect of Sample Shape and Size on the Thermal Shock Resistance for Ultra-High Temperature Ceramics
Liu et al. Evaluation of seven ductile fracture criteria for failure prediction of AZ31 sheet in warm forming
Cho et al. Error analysis in stress measurement induced by the strain effects on (111) silicon
ZHENG et al. Sensitivity temperature coefficient compensation based on pressure sensor integrated constant current
Mascarenhas et al. Electronic Raman Scattering as an Ultra-Sensitive Probe of Strain Effects in Semiconductors
Kurahashi et al. Measurement of Displacement and Strain Fields near Interface of Bonded Structure Based on Digital Image Correlation Method Using Surface Configuration Data
Nakakoji et al. High Precision Measurements of Temperature Dependence of Creep Rate of Polycrystalline Forsterite
Holroyd et al. Characterization of CaMn 2 O 4 By X-Ray Magnetic Linear Dichroism
Mysore Uncertainty Analysis
Ni et al. Stress coefficient extractions on MOSFET micro-sensors

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees