MD3693G2 - Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя - Google Patents
Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователяInfo
- Publication number
- MD3693G2 MD3693G2 MDA20070122A MD20070122A MD3693G2 MD 3693 G2 MD3693 G2 MD 3693G2 MD A20070122 A MDA20070122 A MD A20070122A MD 20070122 A MD20070122 A MD 20070122A MD 3693 G2 MD3693 G2 MD 3693G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- thermoelectrode
- thermoelectric converter
- wire
- thermoelectrodes
- stannum
- Prior art date
Links
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления термоэлектродов для термоэлектрических преобразователей.Термоэлектрод изготовлен из полупроводникового анизотропного материала в виде нити в стеклянной изоляции. При этом нить изготовлена из висмута, легированного оловом, в соотношении 0,01…0,08 at. %.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20070122A MD3693G2 (ru) | 2007-04-28 | 2007-04-28 | Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MDA20070122A MD3693G2 (ru) | 2007-04-28 | 2007-04-28 | Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
MD3693F1 MD3693F1 (en) | 2008-08-31 |
MD3693G2 true MD3693G2 (ru) | 2009-03-31 |
Family
ID=39740110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
MDA20070122A MD3693G2 (ru) | 2007-04-28 | 2007-04-28 | Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
MD (1) | MD3693G2 (ru) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD323Z (ru) * | 2009-12-29 | 2011-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции |
MD542Z (ru) * | 2012-01-13 | 2013-03-31 | ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ | Термоэлектрический анизотропный материал на основе висмута |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU463008A1 (ru) * | 1972-05-10 | 1975-03-05 | Кишиневский Научно-Исследовательский Институт Электроприборостроения | Термоэлектрический преобразователь |
SU1253358A1 (ru) * | 1984-09-18 | 1996-01-10 | Ереванский политехнический институт им.К.Маркса | Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления |
EA002073B1 (ru) * | 1998-10-06 | 2001-12-24 | Исаак Аронович Орентлихерман | Пьезопреобразователь |
EA004668B1 (ru) * | 2000-06-07 | 2004-06-24 | Эндресс+Хаузер Гмбх+Ко.Кг | Электромеханический преобразователь |
-
2007
- 2007-04-28 MD MDA20070122A patent/MD3693G2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU463008A1 (ru) * | 1972-05-10 | 1975-03-05 | Кишиневский Научно-Исследовательский Институт Электроприборостроения | Термоэлектрический преобразователь |
SU1253358A1 (ru) * | 1984-09-18 | 1996-01-10 | Ереванский политехнический институт им.К.Маркса | Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления |
EA002073B1 (ru) * | 1998-10-06 | 2001-12-24 | Исаак Аронович Орентлихерман | Пьезопреобразователь |
EA004668B1 (ru) * | 2000-06-07 | 2004-06-24 | Эндресс+Хаузер Гмбх+Ко.Кг | Электромеханический преобразователь |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MD3693F1 (en) | 2008-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2008054854A3 (en) | Thermoelectric nanotube arrays | |
JP2011243976A5 (ja) | 半導体装置 | |
WO2009125317A3 (en) | Seebeck/peltier bidirectional thermo- electric conversion device using nanowires of conductor or semiconductor material | |
JP2011100995A5 (ja) | 半導体装置 | |
DE602008005773D1 (de) | Oxidhalbleitervorrichtung mit isolierungsschicht und anzeigevorrichtung unter benutzung derselben | |
JP2011029635A5 (ja) | 半導体装置 | |
TW200636994A (en) | Vertical field effect transistor | |
JP2011123986A5 (ja) | 半導体装置 | |
TW200731406A (en) | Methods of forming SiC MOSFETs with high inversion layer mobility | |
WO2011113885A3 (de) | Materialzusammensetzung, deren herstellung und verwendung als dichtungs - und oxidationschutzschicht | |
JP2012114421A5 (ja) | 半導体装置 | |
WO2008147433A3 (en) | Methods and devices employing metal layers in gates to introduce channel strain | |
WO2012058340A3 (en) | HEAVILY DOPED PbSe WITH HIGH THERMOELECTRIC PERFORMANCE | |
EA201171084A1 (ru) | Гели, образующиеся при сдвиговой деформации, и композиции, содержащие гели, образующиеся при сдвиговой деформации | |
MD3692G2 (ru) | Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя | |
WO2009055570A3 (en) | Semiconductor structure and method of manufacture | |
RU2016125633A (ru) | Электротехническая листовая сталь с изоляционным покрытием | |
MD3693G2 (ru) | Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя | |
MD3580G2 (ru) | Tермоэлектрод для термоэлектрического преобразователя | |
TW200700323A (en) | Semiconductive bismuth sulfides having novel combinations of properties and their use in thermoelectrics and photovoltaics | |
IN2014DN09646A (ru) | ||
MD323Y (en) | Thermoelectric microwire in glass insulation | |
WO2014200985A3 (en) | Chemical compositions for semiconductor manufacturing processes and/or methods, apparatus made with same | |
EP2386532A3 (en) | Silicon nitride-melilite composite sintered body and substrate, member, device, and probe card utilizing the same | |
Lu | Production of 12-inch two-dimensional semiconductors: bridging the gap between Lab and Fab |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FG4A | Patent for invention issued | ||
KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |