Institutul De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova
Universitatea Tehnica A Moldovei
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institutul De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova, Universitatea Tehnica A MoldoveifiledCriticalInstitutul De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova
Priority to MDA20050232ApriorityCriticalpatent/MD3060G2/ro
Publication of MD3060F1publicationCriticalpatent/MD3060F1/ro
Publication of MD3060G2publicationCriticalpatent/MD3060G2/ro
Inventia se refera la optoelectronica, in particular la procedeele de obtinere a cristalului fotonic pe semiconductor. Procedeul de obtinere a cristalului fotonic pe semiconductor include decaparea electrochimica a cel putin uneia din suprafetele lui. Noutatea inventiei consta in aceea ca decaparea electrochimica are loc la aplicarea tensiunii periodic variabile, caracterizata de semnale dreptunghiulare cu frontul sub forma de trepte.
MDA20050232A2005-08-102005-08-10Procedeu de obţinere a cristalului fotonic pe semiconductor
MD3060G2
(ro)