MD2223C2 - Фотоэлектромагнитный датчик - Google Patents

Фотоэлектромагнитный датчик Download PDF

Info

Publication number
MD2223C2
MD2223C2 MDA20010363A MD20010363A MD2223C2 MD 2223 C2 MD2223 C2 MD 2223C2 MD A20010363 A MDA20010363 A MD A20010363A MD 20010363 A MD20010363 A MD 20010363A MD 2223 C2 MD2223 C2 MD 2223C2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
onto
layer
deposited
semiconductor
active
Prior art date
Application number
MDA20010363A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD2223B1 (en
Inventor
Валериан ДОРОГАН
Татьяна ВИЕРУ
Виталие СЕКРИЕРУ
Original Assignee
Валериан ДОРОГАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Валериан ДОРОГАН filed Critical Валериан ДОРОГАН
Priority to MDA20010363A priority Critical patent/MD2223C2/ru
Publication of MD2223B1 publication Critical patent/MD2223B1/xx
Publication of MD2223C2 publication Critical patent/MD2223C2/ru

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для детектирования магнитных и электромагнитных полей в современных электронных и оптоэлектронных системах.Фотоэлектромагнитный датчик включает нанесенный на полуизолирующую полупроводниковую подложку активный полупроводниковый слой типа n0(p0), на котором нанесены омические контакты питания и контакты для регистрации напряжения Холла. На активном слое n0(p0) локально нанесен полупроводниковый слой p+(n+), на котором сформирован омический контакт с возможностью освещения слоя p+(n+).
MDA20010363A 2001-11-07 2001-11-07 Фотоэлектромагнитный датчик MD2223C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20010363A MD2223C2 (ru) 2001-11-07 2001-11-07 Фотоэлектромагнитный датчик

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20010363A MD2223C2 (ru) 2001-11-07 2001-11-07 Фотоэлектромагнитный датчик

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD2223B1 MD2223B1 (en) 2003-07-31
MD2223C2 true MD2223C2 (ru) 2004-02-29

Family

ID=29267986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20010363A MD2223C2 (ru) 2001-11-07 2001-11-07 Фотоэлектромагнитный датчик

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD2223C2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD172Z (ru) * 2009-11-05 2010-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Оптоволоконный датчик для регистрации инфракрасного излучения
MD340Z (ru) * 2010-04-23 2011-09-30 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Болометр

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578814A (en) * 1993-09-29 1996-11-26 Intronix, Inc. Sensor device for storing electromagnetic radiation and for transforming such into electric signals
US5627398A (en) * 1991-03-18 1997-05-06 Iskra Stevci--Industrija Merilne in Upravljalne Tehnike Kranj, D.O.O. Hall-effect sensor incorporated in a CMOS integrated circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5627398A (en) * 1991-03-18 1997-05-06 Iskra Stevci--Industrija Merilne in Upravljalne Tehnike Kranj, D.O.O. Hall-effect sensor incorporated in a CMOS integrated circuit
US5578814A (en) * 1993-09-29 1996-11-26 Intronix, Inc. Sensor device for storing electromagnetic radiation and for transforming such into electric signals

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Eгиазарян Г. Ф., Стафеев В. И.. Магнитодиоды, магнитотранзисторы и их применение. «Радио и связь», 1987, с. 55. *
А. Н., Свечников С. В., Смовж А. К.. Полупроводниковые сенсоры потенциометрические элементы. М., «Радио и связь», 1988, с. 192. *
Викулин И. М., Викулина Л. Ф., Стафеев В. И., Гальваномагнитные приборы. М., «Радио и связь», 1983, с. 104. *
Г. Ф., Стафеев В. И.. Магнитодиоды б магнитотранзисторы и их применение. «Радио и связь», 1987, с. 55ю *
И. М., Викулина Л. Ф., Стафеев В. И., Гальваномагнитные приборы. М., «Радио и связь», 1983, с. 104. *
Марченко А. Н., Свечников С. В., Смовж А. К.. Полупроводниковые сенсоры, потенциометрические элементы. М., «Радио и связь», 1988, с. 192. *
О. К. Полупроводниковые преобразователи магнитного поля. М., «Энергоатомиздат», 1986, с. 136. *
Хомерики О. К. Полупроводниковые преобразователи магнитного поля. М., «Энергоатомиздат», 1986, с. 136. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD172Z (ru) * 2009-11-05 2010-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Оптоволоконный датчик для регистрации инфракрасного излучения
MD340Z (ru) * 2010-04-23 2011-09-30 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Болометр

Also Published As

Publication number Publication date
MD2223B1 (en) 2003-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200740642A (en) Proximity sensor with an edge connection, and method for manufacturing the same
ATE233434T1 (de) Optoelektronisches sensor-bauelement
AU2002323125A1 (en) Providing current control over wafer borne semiconductor devices using trenches
TW200419831A (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
DE60134839D1 (de) Hall-effekt element mit integrierter abweichungsregelung und verfahren zum betreiben eines solchen elements zur reduzierung der nullpunktabweichung
ATE333443T1 (de) Verfahren zur behandlung keramischer substrate und dünnfilm-magnetkopf
TWI318753B (en) Method and system for manufacturing an electrically conductive metal foil structure
EP1191590A3 (en) Semiconductor device and semiconductor module
ATE319201T1 (de) Kontakt für elektrische komponente
EP1094319A3 (en) Wear-resistant spring contacts
EP1109226A3 (en) Semiconductor device and its manufacturing method capable of reducing low frequency noise
WO2002009484A3 (en) Electrical component assembly and method of fabrication
WO2007001790A3 (en) Probe for use in determining an attribute of a coating on a substrate
ATE224040T1 (de) Hall-sensor mit reduziertem offset-signal
WO2001093310A3 (fr) Dispositif semiconducteur a injection electronique verticale et son procede de fabrication
TW200601410A (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
GB2483180A (en) Integrated circuit package having security feature and method of manufacturing same
TW237545B (en) Magnetoresistive current sensor having high sensitivity
WO2003028044A3 (de) Nicht-leitendes, ein band oder einen nutzen bildendes substrat, auf dem eine vielzahl von trägerelementen ausgebildet ist
ES2119381T3 (es) Metalizacion de mini-encendedores por serigrafia con metales activos.
MD2223C2 (ru) Фотоэлектромагнитный датчик
AU8779101A (en) Hall-effect sensor
ATE543190T1 (de) Materialabscheidung aus einer verflüssigten gaslösung
ATE341799T1 (de) Datenträger mit transponderspule
ATE348504T1 (de) Einrichtung zur reduzierung des elektromagnetischen rauschens