MD1994G2 - Способ создания исскуственной оптической анизотропии в оптически изотропных полупроводниках кристалах - Google Patents

Способ создания исскуственной оптической анизотропии в оптически изотропных полупроводниках кристалах Download PDF

Info

Publication number
MD1994G2
MD1994G2 MDA20000119A MD20000119A MD1994G2 MD 1994 G2 MD1994 G2 MD 1994G2 MD A20000119 A MDA20000119 A MD A20000119A MD 20000119 A MD20000119 A MD 20000119A MD 1994 G2 MD1994 G2 MD 1994G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
optical
creation
semicondustors
crystals
artificial
Prior art date
Application number
MDA20000119A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD1994F2 (en
MD20000119A (en
Inventor
Ион ТИГИНЯНУ
Валериан ДОРОГАН
Григоре СУРУЧАНУ
Original Assignee
Ион ТИГИНЯНУ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ион ТИГИНЯНУ filed Critical Ион ТИГИНЯНУ
Priority to MDA20000119A priority Critical patent/MD1994G2/ru
Publication of MD20000119A publication Critical patent/MD20000119A/xx
Publication of MD1994F2 publication Critical patent/MD1994F2/xx
Publication of MD1994G2 publication Critical patent/MD1994G2/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и структур и может быть использовано в области производства нелинейных оптических элементов.Cпособ включает создание текстурированной области, имплантацию ионов высокой энергии под углом 30? … 90? в оптически изотропный полупроводниковый кристалл и последующее электрохимическое растворение имплантированной области.Ï. ôîðìóëû: 1Ôèã.: 4
MDA20000119A 2000-07-17 2000-07-17 Способ создания исскуственной оптической анизотропии в оптически изотропных полупроводниках кристалах MD1994G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20000119A MD1994G2 (ru) 2000-07-17 2000-07-17 Способ создания исскуственной оптической анизотропии в оптически изотропных полупроводниках кристалах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20000119A MD1994G2 (ru) 2000-07-17 2000-07-17 Способ создания исскуственной оптической анизотропии в оптически изотропных полупроводниках кристалах

Publications (3)

Publication Number Publication Date
MD20000119A MD20000119A (en) 2002-07-31
MD1994F2 MD1994F2 (en) 2002-08-31
MD1994G2 true MD1994G2 (ru) 2003-02-28

Family

ID=19739622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20000119A MD1994G2 (ru) 2000-07-17 2000-07-17 Способ создания исскуственной оптической анизотропии в оптически изотропных полупроводниках кристалах

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD1994G2 (ru)

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Appl. Phys., V. 34, 1995, p. 177-178. *
J. S. Blakmore. Fizica corpului solid. Moscova, MIR, 1998, p. 57 *
Еijiro Kikuno, Marco Amiotti, Tshiyuki Takizawa and Shigehisa Arai. Anizotropic refractive index of porous InP fabricated by anodization of (111)A Surface. J. *
Еijiro Kikuno, Marco Amiotti, Tshiyuki Takizawa and Shigehisa Arai. Anizotropic refractive index of porous InP fabricated by anodization of (111)A Surface. J. Appl. Phys., V. 34, 1995, p. 177-178 *
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. Москва, МИР, 1998, с. 57 *
С. А. Медведев. Введение в технологию полупроводниковых материалов, Москва, Высшая школа, 1970, с. 65-70, 451-473 *

Also Published As

Publication number Publication date
MD1994F2 (en) 2002-08-31
MD20000119A (en) 2002-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK1343737T3 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et keramisk materiale med ringe tykkelse og med kontrolleret overfladeporositetsgradient, og det opnåede keramiske materiale
EP0977255A3 (en) A method of fabricating an SOI wafer and SOI wafer fabricated by the method
EP0833395A3 (en) Method of fabricating a device including compound semiconductor crystal and method of fabricating a compound semiconductor layer structure
AU2003249310A1 (en) Soft tissue implants and methods for making same
AU2002367356A1 (en) Method and apparatus to program a phase change memory
DK1581162T3 (da) Indretning til justering af polymerimplantater ved bløde overflader
DE60041332D1 (de) Implantat
SE9900519D0 (sv) A method for the preparation of UHMWPE doped with an antioxidant and an implant made thereof
DK0779807T3 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af en kappetablet med spids kerne
DK0703786T3 (da) Anvendelse af nona- og dekapeptider til fremstilling af et lægemiddel til behandling af AIDS
WO2004040670A3 (en) Solid oxide electrolyte with ion conductivity enhancement by dislocation
DK0697859T3 (da) Stabile, orale og absorberbare terapeutiske præparater af NADP og NADPH
WO2002073662A3 (en) Non-uniform power semiconductor and method for making
IL154204A0 (en) Mixed oxide active material, electrode and method of manufacturing the electrode and electrochemical cell comprising it
GB0110726D0 (en) Bone implant composition
EP1781350A4 (en) METHOD FOR PRODUCING COATED MEDICAL DEVICES
WO2004113422A3 (en) Drug delivery device comprising an active compound and method for releasing an active compound from a drug delivery device
WO2005045979A3 (de) Kathodenwerkstoff für eine hochtemperatur-brennstoffzelle (sofc) sowie eine daraus herstellbare kathode
WO2002037524A3 (en) Bi mode ion implantation with non-parallel ion beams
WO2006076354A3 (en) Diamond medical devices
MD1994G2 (ru) Способ создания исскуственной оптической анизотропии в оптически изотропных полупроводниках кристалах
WO2010042494A3 (en) Reduced implant voltage during ion implantation
ATE254851T1 (de) Iod-herstellungszusammensetzung
DE60131334D1 (de) Halbleiterbauelement mit zweifachem gate und dessen herstellungsverfahren
BRPI0415004A (pt) implante bioartificial e seu uso e método de redução do risco de formação de tecido conjuntivo após o implante