MD1932G2 - Фотодиод высокой частоты - Google Patents
Фотодиод высокой частоты Download PDFInfo
- Publication number
- MD1932G2 MD1932G2 MDA20000107A MD20000107A MD1932G2 MD 1932 G2 MD1932 G2 MD 1932G2 MD A20000107 A MDA20000107 A MD A20000107A MD 20000107 A MD20000107 A MD 20000107A MD 1932 G2 MD1932 G2 MD 1932G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- junction
- area
- photodiode
- thickness
- space charge
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковым фотоприемникам, в частности к фотодиодам p -i - n, и может быть использовано в приемных оптоэлектронныхсистемах и при обработке оптических сигналов, передаваемых по оптическим волокнам, в атмосфере и т.д.Сущность изобретения состоит в том, что в фотодиоде высокой частоты переход p-n выполнен профилированным с чередующимися выступами и впадинами, ширина l которых определена соотношением 2Wo< l ≤ 2Wu, где Wo - толщина слоя пространственного заряда неполяризованного перехода, Wu - толщина слоя пространственного заряда при обратной поляризации перехода с возможностью преобразования площади p - n перехода в планарную при его обратной поляризации.Результат изобретения заключается в получении фотодиода с заданной емкостью, при изменении площади p - n перехода.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20000107A MD1932G2 (ru) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | Фотодиод высокой частоты |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20000107A MD1932G2 (ru) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | Фотодиод высокой частоты |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1932F1 MD1932F1 (en) | 2002-05-31 |
| MD1932G2 true MD1932G2 (ru) | 2002-11-30 |
Family
ID=19739612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20000107A MD1932G2 (ru) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | Фотодиод высокой частоты |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1932G2 (ru) |
-
2000
- 2000-06-23 MD MDA20000107A patent/MD1932G2/ru unknown
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Grave I., Shakouri A., Kruze N., Yariv A., Voltage-controlled tunable GaAs/AlGaAs multistack quantum well infra-red, Appl., Phys. Lett., no.19, 1992, P.2362-2364 * |
| Ho Wen-Jeng, Dai Ting-Arn, Chuang Zuon-Ming, Lin-Wei, Tu Yuan-Kuang, Wu Meng-Chyi, InGaAs PIN photodiodes on semiinsulating InP substrates with bandwidth exceeding 14 GHz, Solid-State Electron., 38(7), 1995, P.1295-1298 * |
| Rusu Emil, Nan Stelian, Purica Munizer, Budeanu Elena, Cobzarenco Vasile, Fotodiodă PIN pe InGaAs/InP pentru detecţia radiaţiei de 1.3 - 1.6 (m, Electrotehn. electron. şi automat. Automat. şi Electron., Nr.2, 1992,P. 69-71(II-VI) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1932F1 (en) | 2002-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1096432A3 (de) | Vorrichtung zum Zählen und/oder Sortieren von Münzen | |
| TW200419817A (en) | High speed photodiode with a barrier layer for blocking or eliminating slow photonic carriers and method for forming same | |
| WO2002027805A3 (en) | A theory of the charge multiplication process in avalanche photodiodes | |
| WO2003060599A3 (en) | An in-line waveguide photo detector | |
| EP1178535A3 (en) | Photodetector array and optical communication monitoring | |
| DE69518938D1 (de) | Lawinenphotodiode mit Übergitter | |
| SG120860A1 (en) | Semiconductor device having a light-receiving element, optical pickup device and method of manufacturing a semiconductor device having a light-receiving element | |
| ZA200000076B (en) | Detection of damage to the rope sheath of a synthetic fiber rope. | |
| EP0967663A3 (en) | Photodiode and photodiode module | |
| EP1339225A3 (en) | Image pickup apparatus | |
| EP1056139A3 (en) | Method for manufacturing photoelectric conversion device | |
| TW349174B (en) | Optical circulator | |
| MD1932G2 (ru) | Фотодиод высокой частоты | |
| EP1477775A3 (en) | Photoelectric encoder | |
| EP1608020A4 (en) | FOTODIODENARY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD AND RADIATION DETECTOR | |
| TW349175B (en) | Method to produce a beam-division-form-body and its arrangement in an opto-electronic module | |
| AU2003242372A1 (en) | Semiconductor photoelectric surface and its manufacturing method, and photodetecting tube using semiconductor photoelectric surface | |
| ATE308830T1 (de) | Empfänger für drahtlosekommunikation mit einem konzentrator mit totaler innerer reflektion | |
| EP1136797A3 (en) | Polarity-independent optical receiver and method for fabricating same | |
| EP0883186A3 (en) | Wavelength demultiplexing multiple quantum well photo-detector | |
| EP0240277A3 (en) | Photosensor | |
| WO2006014360A3 (en) | Optoelectronic fiber photodetector | |
| AU1754701A (en) | Flat surfaced title with solar energy collection capability | |
| WO2001078155A3 (de) | Wellenlängenselektive pn-übergangs-photodiode | |
| US7579668B2 (en) | Method for photo-detecting and apparatus for the same |