MD1932G2 - Fotodiodă de frecvenţă înaltă - Google Patents

Fotodiodă de frecvenţă înaltă Download PDF

Info

Publication number
MD1932G2
MD1932G2 MDA20000107A MD20000107A MD1932G2 MD 1932 G2 MD1932 G2 MD 1932G2 MD A20000107 A MDA20000107 A MD A20000107A MD 20000107 A MD20000107 A MD 20000107A MD 1932 G2 MD1932 G2 MD 1932G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
junction
area
photodiode
thickness
space charge
Prior art date
Application number
MDA20000107A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Other versions
MD1932F1 (ro
Inventor
Валериан ДОРОГАН
Ион ТИГИНЯНУ
Ганс ХАРТНАГЕЛ
Татьяна ВИЕРУ
Михаил МАНОЛЕ
Original Assignee
Валериан ДОРОГАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Валериан ДОРОГАН filed Critical Валериан ДОРОГАН
Priority to MDA20000107A priority Critical patent/MD1932G2/ro
Publication of MD1932F1 publication Critical patent/MD1932F1/ro
Publication of MD1932G2 publication Critical patent/MD1932G2/ro

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Invenţia se referă la fotoreceptoare cu semiconductori, în special la fotodiodep - i - n, şi poate fi utilizată în sisteme optoelectronice de recepţie şi prelucrare a semnalelor optice transmise prin fibre optice, în atmosferă etc.Esenţa invenţiei constă în aceea că în fotodioda de frecvenţă înaltă joncţiunea p-n este executată profilată cu proeminenţe şi adâncituri alternante, lăţimea l a cărora este determinată de relaţia 2Wo< l ≤ 2Wu, unde Wo - este grosimea stratului de sarcină spaţială în lipsa polarizării, Wu este grosimea stratului de sarcină spaţială la polarizarea inversă a joncţiunii, cu posibilitatea transformării suprafeţei joncţiunii p-n în suprafaţă planară la aplicarea polarizării inverse.Rezultatul invenţiei constă în obţinerea fotodiodei cu capacitate prestabilită, modificând aria joncţiunii p-n.
MDA20000107A 2000-06-23 2000-06-23 Fotodiodă de frecvenţă înaltă MD1932G2 (ro)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20000107A MD1932G2 (ro) 2000-06-23 2000-06-23 Fotodiodă de frecvenţă înaltă

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20000107A MD1932G2 (ro) 2000-06-23 2000-06-23 Fotodiodă de frecvenţă înaltă

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD1932F1 MD1932F1 (ro) 2002-05-31
MD1932G2 true MD1932G2 (ro) 2002-11-30

Family

ID=19739612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20000107A MD1932G2 (ro) 2000-06-23 2000-06-23 Fotodiodă de frecvenţă înaltă

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD1932G2 (ro)

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Grave I., Shakouri A., Kruze N., Yariv A., Voltage-controlled tunable GaAs/AlGaAs multistack quantum well infra-red, Appl., Phys. Lett., no.19, 1992, P.2362-2364 *
Ho Wen-Jeng, Dai Ting-Arn, Chuang Zuon-Ming, Lin-Wei, Tu Yuan-Kuang, Wu Meng-Chyi, InGaAs PIN photodiodes on semiinsulating InP substrates with bandwidth exceeding 14 GHz, Solid-State Electron., 38(7), 1995, P.1295-1298 *
Rusu Emil, Nan Stelian, Purica Munizer, Budeanu Elena, Cobzarenco Vasile, Fotodiodă PIN pe InGaAs/InP pentru detecţia radiaţiei de 1.3 - 1.6 (m, Electrotehn. electron. şi automat. Automat. şi Electron., Nr.2, 1992,P. 69-71(II-VI) *

Also Published As

Publication number Publication date
MD1932F1 (ro) 2002-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1096432A3 (de) Vorrichtung zum Zählen und/oder Sortieren von Münzen
TW200419817A (en) High speed photodiode with a barrier layer for blocking or eliminating slow photonic carriers and method for forming same
WO2002027805A3 (en) A theory of the charge multiplication process in avalanche photodiodes
WO2003060599A3 (en) An in-line waveguide photo detector
EP1178535A3 (en) Photodetector array and optical communication monitoring
DE69518938D1 (de) Lawinenphotodiode mit Übergitter
SG120860A1 (en) Semiconductor device having a light-receiving element, optical pickup device and method of manufacturing a semiconductor device having a light-receiving element
ZA200000076B (en) Detection of damage to the rope sheath of a synthetic fiber rope.
EP0967663A3 (en) Photodiode and photodiode module
EP1339225A3 (en) Image pickup apparatus
EP1056139A3 (en) Method for manufacturing photoelectric conversion device
TW349174B (en) Optical circulator
MD1932G2 (ro) Fotodiodă de frecvenţă înaltă
EP1477775A3 (en) Photoelectric encoder
EP1608020A4 (en) FOTODIODENARY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD AND RADIATION DETECTOR
TW349175B (en) Method to produce a beam-division-form-body and its arrangement in an opto-electronic module
AU2003242372A1 (en) Semiconductor photoelectric surface and its manufacturing method, and photodetecting tube using semiconductor photoelectric surface
ATE308830T1 (de) Empfänger für drahtlosekommunikation mit einem konzentrator mit totaler innerer reflektion
EP1136797A3 (en) Polarity-independent optical receiver and method for fabricating same
EP0883186A3 (en) Wavelength demultiplexing multiple quantum well photo-detector
EP0240277A3 (en) Photosensor
WO2006014360A3 (en) Optoelectronic fiber photodetector
AU1754701A (en) Flat surfaced title with solar energy collection capability
WO2001078155A3 (de) Wellenlängenselektive pn-übergangs-photodiode
US7579668B2 (en) Method for photo-detecting and apparatus for the same