LU87988A1

LU87988A1 - METHOD FOR PRODUCING A TI-B-N COATING ON A SUBSTRATE BY SPUTTING

Info

Publication number: LU87988A1
Application number: LU87988A
Authority: LU
Inventors: Wolfram Gissler; Justus Haupt; Thomas Friesen
Original assignee: Europ Communities
Priority date: 1991-08-08
Filing date: 1991-08-08
Publication date: 1993-03-15
Also published as: WO1993003195A1

Description

Verfahren zur Herstellung einer Ti-BN-Beschichtung auf einem Substrat mittels SputternProcess for producing a Ti-BN coating on a substrate by means of sputtering

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung aus Titan und Bornitrid auf einem metalli-schen oder nicht-metallischen Substrat mittels Sputtern.The invention relates to a method for producing a coating of titanium and boron nitride on a metallic or non-metallic substrate by means of sputtering.

Schichten aus den genannten Materialien zeichnen sich durch hohe Abriebfestigkeit aus und dienen zunehmend als Beschichtung zur Verschleißminderung von Werkzeugen. Nach dem Stand der Technik werden derartige Schichten mittels CVD (Chemical Vapour Deposition), plasma-unterstütztem CVD oder mittels reaktivem Sputtern von TiB2-Targets hergestellt (siehe z.B. Coatings Technology, vol. 41 (1990), Sexten 351-363). Bekannt-geworden ist auch ein ionengestütztes Beschichtungsverfahren mit alternativer Abscheidung von Titan- und Borschichten bei gleichzeitiger oder alternativer Implantation von Stickstoff-ionen. Jedoch ist der zusätzliche Aufwand der Ionenimplanta-tion erheblich.Layers made of the materials mentioned are characterized by high abrasion resistance and are increasingly used as a coating to reduce wear on tools. According to the prior art, such layers are produced by means of CVD (Chemical Vapor Deposition), plasma-assisted CVD or by means of reactive sputtering of TiB2 targets (see e.g. Coatings Technology, vol. 41 (1990), Sexten 351-363). An ion-supported coating process with alternative deposition of titanium and boron layers with simultaneous or alternative implantation of nitrogen ions has also become known. However, the additional effort of ion implantation is considerable.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren an-zugeben, mit dem auf der Basis der Sputtertechnik auf einfache Weise harte Schichten vom Ti-BN-Typ hergestellt werden können.The invention is based on the object of specifying a method with which hard layers of the Ti-BN type can be produced in a simple manner based on the sputtering technique.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelost, daß von mindestens einem Ti-Target und von mindestens einem BN-Target in einer Ar/N2-Atmosphäre auf das Substrat gleichzeitig gesput-tert wird.This object is achieved in that at least one Ti target and at least one BN target are sputtered onto the substrate in an Ar / N2 atmosphere.

Vorzugsweise liegen ein Ti-Target und ein BN-Target nebenein-ander in einer Targetebene während das Substrat in einer dazu parallelen Ebene diesen gegenüberliegt.A Ti target and a BN target preferably lie next to one another in a target plane, while the substrate lies opposite them in a plane parallel to them.

Es ist auch môglich, mehrere Targets der beiden Arten in einer gemeinsamen Targetebene abwechselnd nebeneinander anzuordnen und dieser Anordnung das Substrat in einer dazu parallelen Ebene gegenüberzulegen.It is also possible to arrange several targets of the two types alternately next to one another in a common target plane and to place the substrate in a plane parallel to this arrangement.

In an sich bekannter Weise kann das Substrat auf einem Dreh-teller angeordnet werden, um eine gleichmäßigere Zusammenset- zung der Schicht zu gewährleisten. <In a manner known per se, the substrate can be arranged on a turntable in order to ensure a more uniform composition of the layer. <

Vorzugsweise betrâgt der Partialdruck von N2 zwischen 10'5 und 10"4mbar und der des Argon zwischen 10"3 und 10'2mbar.The partial pressure of N2 is preferably between 10'5 and 10 "4mbar and that of argon is between 10" 3 and 10'2mbar.

Die Erfindung wird nun anhand einiger bevorzugter Ausführungs-beispiele näher erlâutert.The invention will now be explained in more detail with the aid of some preferred exemplary embodiments.

In einer einfachsten Ausführungsform des Verfahrens verwendet man ein Titantarget und ein Bornitridtarget, die nebeneinander in einer Targetebene angeordnet werden. Das zu beschichtende Substrat, beispielsweise eine Glasplatte, wird in geeignetem Abstand zur Targetebene parallel zu dieser so angeordnet, daß ein Teil des Substrats dem Titantarget und ein anderer Teil dem Bornitridtarget gegenüberliegt. Auf diese Weise bilden sich in einer handelsüblichen mit einem Argon-Stickstoff-Ge-misch betriebenen Sputteranordnung zwei Sputterwolken vor den Targets aus, die sich mehr oder minder durchdringen und einen Niederschlag auf dem Substrat erzeugen, der am einen Ende überwiegend aus Titan und am anderen Ende überwiegend aus Bornitrid besteht, wâhrend dazwischen kontinuierliche Über-gangszonen gebildet werden. In einer solchen Versuchsanordnung zeigt sich eine große Abhängigkeit der Härte der Beschichtung und überraschenderweise ein deutliches Maximum der Harte zwischen den beiden Enden. Größte Härtewerte ergeben sich in einem Bereich, in dem der Titananteil der Schicht etwa doppelt so hoch wie der des Bornitrids ist. Es wurden Vickers-Härte-werte von 3600 in diesem Bereich gemessen.In a simplest embodiment of the method, a titanium target and a boron nitride target are used, which are arranged next to one another in a target plane. The substrate to be coated, for example a glass plate, is arranged at a suitable distance from the target plane parallel to it so that part of the substrate is opposite the titanium target and another part is opposite the boron nitride target. In this way, in a commercial sputter arrangement operated with an argon-nitrogen mixture, two sputter clouds form in front of the targets, which penetrate more or less and produce a precipitate on the substrate, which is predominantly titanium on one end and the other End mainly consists of boron nitride, while in between continuous transition zones are formed. Such a test arrangement shows a great dependence on the hardness of the coating and, surprisingly, a clear maximum of the hardness between the two ends. The greatest hardness values result in an area in which the titanium content of the layer is approximately twice that of boron nitride. Vickers hardness values of 3600 were measured in this area.

Mit diesem einfachen Verfahren lassen sich also in schmalen Bereichen des Substrats sehr hohe Härtewerte erzielen. Will man diese Bereiche vergrößern, dann kann man entweder in der Targetebene abwechselnd eine Vielzahl von Targets der beiden Typen nebeneinander anordnen, urn eine intensive Durchdringung der Sputterwolken der beiden Typen zu erreichen, oder man kann auch das Substrat während des Sputterns durch die Wolken bewegen, indem man es beispielsweise auf einen Drehteller mon-tiert.With this simple method, very high hardness values can be achieved in narrow areas of the substrate. If you want to enlarge these areas, you can either alternately arrange a multitude of targets of the two types next to each other in order to achieve an intensive penetration of the sputtering clouds of the two types, or you can also move the substrate through the clouds during sputtering, for example by mounting it on a turntable.

Die Dicke der so erzielbaren Schichten wird durch die zuneh-mend wirksamen Druckspannungen in der Schicht begrenzt. Diese werden jedoch wesentlich reduziert, wenn als Arbeitsgas ein Argon/Stickstoff Gemisch benutzt wird - allerdings unter ge-ringfügiger Einbuße an Härte. Betragen die Partialdrücke des Stickstoffs cl.lO'^mbar und die des Argon 5.10"3mbar, können Schichten einer Dicke von 6 pm und mehr und einer Härte von über HV 3000 hergestellt werden. % >The thickness of the layers that can be achieved in this way is limited by the increasingly effective compressive stresses in the layer. However, these are significantly reduced if an argon / nitrogen mixture is used as the working gas - albeit with a slight loss of hardness. If the partial pressures of the nitrogen are cl.lO '^ mbar and those of the argon 5.10 "3mbar, layers with a thickness of 6 pm and more and a hardness of over HV 3000 can be produced.%>

Claims

1. A process for producing a Ti-BN coating on a substrate by means of sputtering, characterized in that at least one Ti target and at least one BN target are sputtered onto the substrate in an Ar / N2 atmosphere at the same time.

2. The method according to claim 1, characterized in that a Ti target and a BN target lie side by side in a target plane and that the substrate lies opposite them in a plane parallel thereto.

3. The method according to claim 1, characterized in that alternately a plurality of Ti targets and a plurality of BN targets lie in a common target plane and that the substrate lies opposite them in a plane parallel thereto.

4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the substrate is attached to a turntable.