LT6888B - Polimetilmetakrilato (PMMA) šalinimo nuo grafeno paviršiaus būdas naudojant foto-apšvitinimą - Google Patents

Polimetilmetakrilato (PMMA) šalinimo nuo grafeno paviršiaus būdas naudojant foto-apšvitinimą Download PDF

Info

Publication number
LT6888B
LT6888B LT2020535A LT2020535A LT6888B LT 6888 B LT6888 B LT 6888B LT 2020535 A LT2020535 A LT 2020535A LT 2020535 A LT2020535 A LT 2020535A LT 6888 B LT6888 B LT 6888B
Authority
LT
Lithuania
Prior art keywords
pmma
graphene
layer
irradiated
substrate
Prior art date
Application number
LT2020535A
Other languages
English (en)
Other versions
LT2020535A (lt
Inventor
Natalia ALEXEEVA
Alexeeva Natalia
Irmantas KAŠALYNAS
KAŠALYNAS Irmantas
Original Assignee
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras filed Critical Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
Priority to LT2020535A priority Critical patent/LT6888B/lt
Priority to EP21169747.9A priority patent/EP3936476B1/en
Publication of LT2020535A publication Critical patent/LT2020535A/lt
Publication of LT6888B publication Critical patent/LT6888B/lt

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
    • H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/194—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4418—Methods for making free-standing articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

Išradimas priklauso techninei medžiagotyros sričiai. Valymo būdas susideda iš šių etapų: PMMA sluoksnis, kuris yra kaip palaikomasis arba kaukės sluoksnis ant grafeno, kuris uždėtas ant padėklo, (PMMA/grafenas/padėklas), yra apšvitinamas DUV šviesa, apšvitintas PMMA sluoksnis ryškinamas alkoholio ir vandens mišinyje, iki atsilaisvina grafeno paviršius; grafenas/padėklas išdžiovinamas azoto dujų sraute.

Description

Polimetilmetakrilato (PMMA) šalinimo nuo grafeno paviršiaus būdas naudojant foto-apšvitinimą
Technikos sritis, kuriai priklauso išradimas
Būdas priklauso techninei medžiagotyros sričiai, būtent PMMA šalinimo nuo grafeno paviršiaus būdui, naudojant apšvitinimą gilia ultravioletine šviesa ir ryškinimą.
Technikos lygis
Grafenas yra dvimatė (2D) puslaidininkinė medžiaga, sudaryta iš vieno anglies mono-sluoksnio, kuris pasižymi unikaliomis savybėmis, reikalingomis naujoms elektrinėms grandinėms ir prietaisams sukurti.
Dėl įvairių priežasčių (CVD grafeno perkėlimas arba struktūrizavimas) grafenas dažniausiai padengiamas polimero polimetilmetakrilato (PMMA) sluoksniu.
Po pernešimo arba atlikus grafeno sluoksnio struktūrizavimą, likęs PMMA dažniausiai yra tirpinamas panardinant į įvairius organinius tripiklius, tokius kaip acetonas, toluenas, ksilenas, di- ir trichlormetanas, chlorbenzenas, etilo laktatas, etilo acetatas ir kt., kurie įprastai yra toksiški ir kancerogeniški. Vėliau po apdirbimo tirpiklyje grafeną reikia kelais valandas atkaitinti argono (Ar) dujų sraute tam, kad nuvalyti likučius (dervos/polimero ir tirpiklio), kurie keičia grafeno fizikines savybes, pavyzdžiui laidumo pokytis dėl priemaišų grafene.
E-pluošto litografijoje naudojamas kitas būdas, kuris leidžia ištirpinti polimerą (PMMA), kuris čia naudojamas kaip apsauginis sluoksnis ir kuris leidžia gauti labai mažas detales rezisto sluoksnyje, pasiekant struktūrų dydžius iki 10 nm eilės. Epluoštelio litografijoje naudojamas sufokusuotas elektronų pluoštelis, kuriuo yra skenuojamas rezisto sluoksnis, ir taip sukuriamas jame piešinys. Apšvitinus rezistą epluošteliu, pakeičiamas rezisto tirpumas, kas leidžia selektyviai tik apšviestose arba neapšviestose vietose pašalinti rezistą, nardinant PMMA į tirpiklį ir atliekant ryškinimą. Yra didelis kiekis tinkamų PMMA tirpiklių arba tirpiklių mišinių.
Ryškinimas izopropanolio/vandens (IPA/H2O) mišinyje, būtent etanolis arba izopropanolis sumaišytas su vandeniu, atskleidė (L. Ocola, M. Costales ir D Gosztola, Development characteristics of PMMA in alcohol/water mixtures: a lithography and Raman spectroscopy study, Nanotechnology 27 (2016) p.035302) tokių mišinių pranašumą, lyginant su komerciškai prieinamais mišiniais (pavyzdžiui, MIBK, „LIGA“ mišiniai). Nors izopropanolio/vandens mišinys yra perspektyvus tirpiklis grafeno valymui, nes nepalieka valymo produktų likučių, tačiau pagrindinis e-pluošto litografijos trūkumas tas, kad šis būdas yra skirtas tik selektyviam PMMA pašalinimui mažame plote, dėl to šis būdas nėra tinkamas grafeno valymui.
Kinijos patento paraiškoje CN106647183A, paskelbtoje 2017-05-10, aprašytas PMMA nuvalymo nuo grafeno paviršiaus būdas, kur naudojant gilaus ultravioletinio (DUV) spektro šviesos šaltinį, apšvitinamas ant grafeno esantis PMMA sluoksnis per litografinę kaukę. Apšvitintos PMMA sritys yra išryškinamos (tirpinamos) tirpale tokiame, kaip metilo izobutilo ketono (MIBK) ir izopropanolio (IPA) ryškalai. Po to grafenas plaunamas izopropanolio tirpalu ir dejonizuotu vandeniu, džiovinamas azoto garais.
Be to, šiame patente nurodoma, kad grafeno fotolitografijai atlikti naudojama HgXe lempa, kaip DUV šaltinis, kurio šviesos spektras yra ruože nuo 180 nm iki 400 nm. Vėliau, apšvitintas grafenas yra ryškinamas MIBK ir IPA tirpale, kuriame tūrinis medžaigų santykis yra 1:4 ir ryškinimo trukmė 3 minutės.
Naudojant šiuos ryškalus PMMA valymui nuo grafeno paviršiaus po valymo ant paviršiaus lieka dervų ir kitokių likučių, kurie pakeičia grafeno savybes.
Artimiausiame analoge Kinų patento paraiškoje CN107867683A, paskelbtoje 2018-04-03, aprašytas didelio ploto ir aukštos kokybės grafeno pernešimo būdas, kuriame ant grafeno esantis PMMA sluoksnis yra apšvitinamas gilaus ultravioletinio spektro šviesa 1-3 vai. naudojant DUV šaltinį ir nenaudojant foto-kaukės tam, kad PMMA sluoksnį būtų lengviau pašalinti nuo grafeno paviršiaus.
Atlikus foto-apšvitinimą PMMA sluoksnis suskilinėja, po to jis skaidomas ir tirpinamas acetono garais, siekiant pašalinti PMMA sluoksnį nuo grafeno paviršiaus. Po to PMMA likučiams pašalinti grafenas mirkomas panardinant iš eilės į bevandenį etanolį ir dejonizuotą vandenį, o vėliau džiovinamas azoto dujų sraute.
Šis būdas neišnaudoja visų PMMA foto-jautrumo savybių, jo valymas panaudojant tirpiklį yra nepakankamai efektyvus. Be to, būdas turi daugiau operacijų, nes po valymo tirpiklio garais reikalingas dviejų pakopų plovimas bevandeniu etanoliu ir dejonizuotu vandeniu, todėl yra sudėtingesnis ir reikalauja daugiau medžiagų.
Sprendžiama techninė problema
Išradimu siekiama pagerinti PMMA pašalinimo nuo grafeno efektyvumą, supaprastinti, o tuo pačiu ir atpiginti pasiūlyto valymo būdą, padidinti patikimumą.
Išradimo esmės atskleidimas
Uždavinio sprendimo esmė pagal pasiūlytą išradimą yra ta, kad polimetilmetakrilato (PMMA) šalinimo nuo grafeno paviršiaus būde, apimančiame šią operacijų seką:
PMMA sluoksnį, esantį ant grafenas/padėklas pagrindo, apšvitina giliaultravioletine šviesa (DUV), siekiant palengvinti PMMA sluoksnio pašalinimą nuo grafeno paviršiaus, foto-apšvitintą PMMA sluoksninį ant grafenas/padėklas apdoroja siekiant jį pašalinti, nuvalytą pagrindą grafenas/padėklas džiovina azoto dujų sraute, kuriame apšvitinimą atlieka UV-C spektro ruožo šviesa, o minėtą apdorojimą atlieka ryškinant apšvitintą PMMA sluoksninį ant grafenas/padėklas pagrindo alkoholio/dejonizuoto vandens mišinyje.
Visas PMMA sluoksnio plotas priklausomai nuo sluoksnio storio yra apšvitinamas 2-6 valandas su žemo slėgio gyvsidabrio garų UV-C lempa, kurios spinduliavimo spektras yra ribose nuo 100 iki 280 nm, geriausiai ties λ=253.7 nm.
Apšvitintas PMMA sluoksnis ryškinamas izopropanolis/vanduo mišinyje, kuriame santykis izopropanolis/vanduo yra ribose nuo 70:30 iki 75:25 (tūrio).
Apšvitintas PMMA sluoksnis ryškinamas alkoholio/dejonizuoto vandens mišinyje, kuris gali būti pasirinktas iš grupės apimančios šiuo mišinius: metanolis:vanduo, etanolis:vanduo, izoproponolis:vanduo.
Išradimo naudingumas
Pasiūlytas PMMA valymo nuo grafeno paviršiaus būdas pagerina valymo efektyvumą, nes valant šiuo būdu grafeno savybės nepakinta, ryškinimui naudojamas izopropanolio ir dejonizuoto vandens mišinys, šis mišinys veikia kaip tirpiklis, kuris sparčiai tirpdo apšvitintą PMMA polimerą, nėra toksiškas arba kancerogeniškas, nesukuria jokių papildomų likučių, todėl po ryškinimo nebereikalingas papildomas plovimas. Valymo technologija paprasta, po kurios nereikia grafeno atkaitinti. Apšvitinimui naudojamas žemo slėgio gyvsidabrio garų lempa kaip UV-C spektro šaltinis, kuris yra pigus, paprastas naudoti ir prižiūrėti.
Detaliau išradimas paaiškinamas brėžiniais, kur
Fig. 1 pavaizduotas sluoksninis pagrindas PMMA/grafenas/padėklas pradiniame etape.
Fig. 2 pavaizduotas sluoksninis pagrindas PMMA/grafenas/padėklas po apšvitinimo DUV šviesa.
Fig. 3 pavaizduotas sluoksninis pagrindas PMMA/grafenas/padėklas po apšvitinimo panardintas į ryškalus, sudarytus iš alkoholis/vanduo mišinio.
Fig. 4 pavaizduotas gautas sluoksninis pagrindas grafenas/padėklas po ryškinimo kai PMMA sluoksnis ryškinant buvo ištirpintas ir pašalintas.
Fig. 5 parodo optinio mikroskopo nuotrauką grafenas/SiO2 padėklas po to, kai nuo grafeno nauju būdu buvo pašalintas PMMA.
Fig. 6 parodo Ramano spektrą grafeno, nuo kurio nauju būdu buvo pašalintas PMMA.
Išradimo realizavimo aprašymas
Pasiūlytam būdui realizuoti padėklas, gali būti pasirinktas iš tokių medžiagų kaip silicis, silicio dioksidas, safyru, arba silicio karbidas su grafeno sluoksniui, kuris buvo padengtas PMMA derva. Aptariami sluoksniai PMMA/grafenas/padėklas gali būti rezultatas, pavyzdžiui, šlapio grafeno pernešimo nuo Cu folijos, ant kurio kaip padėklo auginamas grafenas, arba struktūrinimas grafeno prietaisų gamyboje, kuomet PMMA naudojamas kaip kaukės sluoksnis.
Fig.1 parodytas 60 nm storio PMMA sluoksniu 1, padengtas grafeno sluoksnis 2, kuris perkeltas ant pasirinkto padėklo 3. Šiuo atveju panaudotas komercinis CVD grafenas, padengtas 60 nm storio 495 K molekulinės masės PMMA sluoksniu. Metodas taip pat buvo išbandytas ir su kitokio storio 950 K molekulinės masės PMMA, naudojamu šlapiam grafeno pernešimui nuo varinės folijos, kuri grafeno sintezės metu naudojama kaip padėklas.
Fig.2 parodytas sluoksninis pagrindas PMMA/grafenas/padėklas kuriame PMMA sluoksnis 1 yra veikiamas dvi valandas DUV spinduliuote 4 kol susidaro apšvitintas PMMA sluoksnis 5. PMMA apšvitinimui panaudotas ne kolimizuotas DUV spinduliuotės šaltinis (Crosslinker XL-1000), kuriame panaudotos žemo slėgio gyvsidabrio garų ultravioletinės lempos („Philips T5 Germicidal UV-C“), kurių spinduliavimo spektras yra ribose nuo 100 to 280 nm, spinduliavimo spektro smailė ties 254 nm bangos ilgiu. Apšvitintuose plotuose apšvitos dozė sukuria polimere trumpąsias grandinėles, kurios žymiai greičiau tirpsta, palyginus su ilgosiomis polimero grandinėlėmis.
Fig.3 parodytas sluoksninis pagrindas PMMA/grafenas/padėklas po apšvitinimo panardintas į ryškalus, kur apšvitintas PMMA sluoksnis 5 yra 30 sekundžių išlaikomas IPA:H2O (7:3) mišinyje.
Fig.4 parodytas sluoksninis grafenas/padėklas po pašalinto PMMA sluoksnio 5 nuo grafeno sluoksnio 2. Po to nuvalytas sluoksninis grafenas/padėklas džiovinimas azoto dujų sraute.
Fig.5 parodyta grafeno sluoksnio 2, pernešto nuo Cu folijos ant SiO2 padėklo 3, optinio mikroskopo (Hirox 3D Digital Microscope) nuotrauka, po to, kai nauju būdu nuo grafeno buvo pašalintas PMMA sluoksnis. Nuotraukoje matyti labai švarus grafenas 2 be PMMA likučių ant paviršiaus.
Fig. 6 paveiksle parodytas Ramano spektras grafeno, nuo kuriuo nauju būdu pašalintas PMMA. Spektroskopiniai matavimai atlikti naudojant Raman spektrometrą kuriame panaudoti žalias lazeris (λ = 532 nm) ir 1800 rėžių/mm gardelė. Stebėtas spektras buvo išmatuotas panaudojant 5% galią, integravimo laiką T = 100 s, ties pagrindine vo= 2050 cm1 linija. Paveiksle matomos pagrindinės linijos yra būdingos viena-sluoksnio grafeno spektrui.
Pasiūlytame būde yra panaudotos foto-jautrios PMMA savybės, kurios kyla iš to fakto, kad PMMA yra gerai žinomas rezistas, naudojamas nano-litografijoje su švitinimo sistemomis, kuriose panaudoti trumpi UV bangos ilgiai (<260 nm), kurie suskaido polimerines grandinėles. Šiuo atveju apšvitintuose plotuose apšvitos dozė sukuria polimere trumpąsias grandinėles, kurios žymiai greičiau tirpsta, palyginus su ilgosiomis polimero grandinėlėmis. Pagal išradimą naudojamas DUV bangų šaltinis yra žemo-slėgio gyvsidabrio garų ultravioletinių spindulių lempos, su kuriomis apšviečiant rezistą nėra apribojimų bandinio matmenims. Tuo pačiu, šie šaltiniai yra pigūs, juos paprasta naudoti ir prižiūrėti. Šios lempos intensyviausiai šviečia 254 nm spektro ruože, jų spinduliuotė nėra kolimuota, todėl gali būti panaudojama apšvitinti tiek didelius, tiek ir mažus PMMA plotus, kuriuos norima pašalinti nuo grafeno.
Apšvitintą PMMA ryškina alkoholio ir vandens mišinyje, dėl dviejų ryškinimo ypatybių, apšvitinus tirpinimo sparta išauga, o po ryškinimo nelieka likučių ant grafeno paviršiaus (grafeno apdirbimo procese IPA yra neatsiejamas ir natūraliai naudojamas). Taip pat, alkoholio -vandens mišiniai nėra toksiški, [žr. pvz.: S. Yasin, D.G. Hasko, H. Ahmed Comparison of MIBK/ IPA and water / IPA as PMMA developers for electron beam nanolithography, Microelectronic Engineering 61-62 (2002) pp.745-753]. Atskirai naudojant nei IPA/etanolis, nei vanduo nėra PMMA tirpikliai kambario temperatūroje, o tik judviejų mišinys veikia kaip tirpiklis, kuris sparčiai tirpdo apšvitintą polimerą.

Claims (4)

  1. Polimetilmetakrilato (PMMA) šalinimo nuo grafeno paviršiaus būdas, kur PMMA sluoksnis dengia grafeno sluoksnį, išdėstytą ant padėklo, apimantis šią operacijų seką: - PMMA sluoksnį apšvitina gilia-ultravioletine šviesa (DUV), siekiant palengvinti PMMA sluoksnio pašalinimą nuo grafeno paviršiaus, - foto-apšvitintą PMMA sluoksninį apdoroja siekiant jį pašalinti, - nuvalytą grafeno sluoksnį, išdėstytą ant padėklo, džiovina azoto dujų sraute b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad apšvitinimą atlieka UV-C spektro ruožo šviesa, o minėtą apdorojimą atlieka ryškinant apšvitintą PMMA sluoksninį alkoholio/dejonizuoto vandens mišinyje.
  2. Būdas pagal 1 punktą, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad visas PMMA sluoksnio plotas priklausomai nuo sluoksnio storio yra apšvitinamas 2-6 valandas su žemo slėgio gyvsidabrio garų UV-C lempa, kurios spinduliavimo spektras yra ribose nuo 100 iki 280 nm, geriausiai ties λ=253,7 nm.
  3. Būdas pagal 1 arba 2 punktą, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad apšvitintas PMMA sluoksnis ryškinamas izopropanolis/vanduo mišinyje, kuriame santykis izopropanolis/vanduo yra ribose nuo 70:30 iki 75:25 (tūrio).
  4. Būdas pagal 1 arba 2 punktą, b e s i s k i r i a n t i s tuo, kad apšvitintas PMMA sluoksnis ryškinamas alkoholio/dejonizuoto vandens mišinyje, kuris gali būti pasirinktas iš grupės apimančios šiuo mišinius: metanolis:vanduo, etanolis:vanduo, izoproponolis:vanduo.
LT2020535A 2020-07-08 2020-07-08 Polimetilmetakrilato (PMMA) šalinimo nuo grafeno paviršiaus būdas naudojant foto-apšvitinimą LT6888B (lt)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
LT2020535A LT6888B (lt) 2020-07-08 2020-07-08 Polimetilmetakrilato (PMMA) šalinimo nuo grafeno paviršiaus būdas naudojant foto-apšvitinimą
EP21169747.9A EP3936476B1 (en) 2020-07-08 2021-04-21 Method of polymethylmethacrylate (pmma) removal from a graphene surface by photoexposure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
LT2020535A LT6888B (lt) 2020-07-08 2020-07-08 Polimetilmetakrilato (PMMA) šalinimo nuo grafeno paviršiaus būdas naudojant foto-apšvitinimą

Publications (2)

Publication Number Publication Date
LT2020535A LT2020535A (lt) 2022-01-10
LT6888B true LT6888B (lt) 2022-01-25

Family

ID=72266757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
LT2020535A LT6888B (lt) 2020-07-08 2020-07-08 Polimetilmetakrilato (PMMA) šalinimo nuo grafeno paviršiaus būdas naudojant foto-apšvitinimą

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP3936476B1 (lt)
LT (1) LT6888B (lt)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4546050A1 (en) * 2023-10-23 2025-04-30 Valstybinis Moksliniu Tyrimu Institutas Fiziniu Ir Technologijos Mokslu Centras Method for patterning graphene layers through photolithography for a scalable fabrication of graphene devices

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102849732B (zh) * 2012-09-18 2015-01-07 北京大学 一种实现单层石墨烯双面非对称修饰的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106647183A (zh) 2016-12-30 2017-05-10 中国科学院微电子研究所 石墨烯器件的光刻方法
CN107867683A (zh) 2017-10-20 2018-04-03 上海健康医学院 一种大面积高质量石墨烯的转移方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102849732B (zh) * 2012-09-18 2015-01-07 北京大学 一种实现单层石墨烯双面非对称修饰的方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JEONG HEE JIN ET AL: "Improved transfer of chemical-vapor-deposited graphene through modification of intermolecular interactions and solubility of poly(methylmethacrylate) layers", CARBON, ELSEVIER OXFORD, GB, vol. 66, 29 September 2013 (2013-09-29), pages 612 - 618, XP028758983, ISSN: 0008-6223, DOI: 10.1016/J.CARBON.2013.09.050 *
KIM JIN HONG ET AL: "Facile Dry Surface Cleaning of Graphene by UV Treatment", JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, KOREAN PHYSICAL SOCIETY, KR, vol. 72, no. 9, 28 April 2018 (2018-04-28), pages 1045 - 1051, XP036490371, ISSN: 0374-4884, [retrieved on 20180428], DOI: 10.3938/JKPS.72.1045 *
SUHAIL A ET AL: "Reduction of polymer residue on wet-transferred CVD graphene surface by deep UV exposure", APPLIED PHYSICS LETTERS, A I P PUBLISHING LLC, US, vol. 110, no. 18, 4 May 2017 (2017-05-04), XP012218603, ISSN: 0003-6951, [retrieved on 20170504], DOI: 10.1063/1.4983185 *
YANG XIAOJIAN ET AL: "Removing contaminants from transferred CVD graphene", NANO RESEARCH, TSINGHUA UNIVERSITY PRESS, CN, vol. 13, no. 3, 14 February 2020 (2020-02-14), pages 599 - 610, XP037271023, ISSN: 1998-0124, [retrieved on 20200214], DOI: 10.1007/S12274-020-2671-6 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3936476A1 (en) 2022-01-12
LT2020535A (lt) 2022-01-10
EP3936476B1 (en) 2023-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20250172879A1 (en) Metal-compound-removing solvent and method in lithography
CN103003918B (zh) 图案形成方法和聚合物合金基材
TWI524383B (zh) 製造經光固化材料的方法，製造具有電路之基板的方法，光學組件，及電子組件
JP4409138B2 (ja) フォトレジスト除去用組成物
JP2010074168A (ja) 硬化フォトレジストを半導体基板から除去する方法
WO2011036816A1 (ja) パターン形成方法
TW200407679A (en) Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, cleaning unit and method of cleaning contaminated objects
WO1983004269A1 (en) Maskless growth of patterned films
TWI339317B (en) Photomask cleaning using vacuum ultraviolet (vuv) light cleaning
CN102077142A (zh) 用于去除光刻设备的无盖层的多层反射镜上的沉积物的方法、光刻设备以及器件制造方法
EP3936476B1 (en) Method of polymethylmethacrylate (pmma) removal from a graphene surface by photoexposure
JP2007067344A (ja) 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法
JPH01154050A (ja) パターン形成方法
TWI860776B (zh) 用於極紫外光光罩的光罩護膜的製造方法
EP1176468B1 (fr) Bi-couche de résine pour photolithographie dans l&#39;extrême ultraviolet (EUV) et procédé de photolithogravure en extrême ultraviolet (EUV)
CN1960813A (zh) 在制备集成电路产品过程中用于干燥构图晶片的组合物和方法
JP7671057B2 (ja) 炭素ナノ材料含有膜を加工する方法
Hamamoto et al. Investigation of contamination removal from finished EUVL mask
US12174544B2 (en) Photoresist-free deposition and patterning with vacuum ultraviolet lamps
TWI733314B (zh) 一種在半導體製程中形成矽或矽化合物圖案的新方法
EP4546050A1 (en) Method for patterning graphene layers through photolithography for a scalable fabrication of graphene devices
CN1280172A (zh) 在集成电路生产中清洗光刻胶的组合物
KR102766886B1 (ko) 직접 광 리소그래피를 통한 2d 반데르발스 물질 상의 범용 패터닝 방법
US4988608A (en) Method for forming fine pattern of conjugated polymer film
Uzawa et al. Canon's development status of EUVL technologies

Legal Events

Date Code Title Description
BB1A Patent application published

Effective date: 20220110

FG9A Patent granted

Effective date: 20220125