LT5833B - Būdas periodinėms struktūroms ploname medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais - Google Patents

Būdas periodinėms struktūroms ploname medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais Download PDF

Info

Publication number
LT5833B
LT5833B LT2010069A LT2010069A LT5833B LT 5833 B LT5833 B LT 5833B LT 2010069 A LT2010069 A LT 2010069A LT 2010069 A LT2010069 A LT 2010069A LT 5833 B LT5833 B LT 5833B
Authority
LT
Lithuania
Prior art keywords
intensity
interfering
layer
image
fibers
Prior art date
Application number
LT2010069A
Other languages
English (en)
Other versions
LT2010069A (lt
Inventor
Gediminas RAČIUKAITIS
Mindaugas Gedvilas
Bogdan Voisiat
Original Assignee
Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras filed Critical Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras
Priority to LT2010069A priority Critical patent/LT5833B/lt
Priority to EP11160615.8A priority patent/EP2431120B1/en
Priority to ES11160615.8T priority patent/ES2637475T3/es
Priority to LTEP11160615.8T priority patent/LT2431120T/lt
Publication of LT2010069A publication Critical patent/LT2010069A/lt
Publication of LT5833B publication Critical patent/LT5833B/lt

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0613—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B23K26/0676—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing into dependently operating sub-beams, e.g. an array of spots with fixed spatial relationship or for performing simultaneously identical operations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/355—Texturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/34—Coated articles, e.g. plated or painted; Surface treated articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/30—Organic material
    • B23K2103/42—Plastics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/54—Glass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

Išradimas priklauso lazerinių technologijų sričiai ir yra skirtas tiesioginiams periodinių struktūrų plonuose sluoksniuose formavimo būdams ir gali būti panaudotas gaminti periodines struktūras (gardeles), skirtas spektriniams, matavimo ir kitiems optiniams prietaisams bei ekranavimui. Išradimu siekiama tiesiogiai be tarpinių sluoksnių (fotorezistas) ir papildomų operacijų (fotorezisto užnešimas, ryškinimas, cheminis ėsdinimas) formuoti periodines struktūras ir valdyti skirtingo piešinio (rašto, vaizdo) periodinių struktūrų formavimą. Į ploną medžiagos sluoksnį nukreipia tris arba keturis arba šešis lazerio pluoštus, kad sluoksnyje interferuodami sudarytų periodinį lazerio spinduliuotės intensyvumo skirstinį. Interferencinio vaizdo didelio intensyvumo zonose sluoksnio medžiagą išgarina, o išlikusi sluoksnio medžiaga suformuoja periodinę struktūrą, atitinkančią interferencinio vaizdo mažo intensyvumo zonų išsidėstymui. Formuojamos periodinės struktūros piešinį (raštą, vaizdą) keičia,keičiant nukreipiamų į minėtą sluoksnį interferuojančių lazerio pluoštų bendrą intensyvumo dydį, tenkinant sąlygą, kad minėtas bendras intensyvumo dydis suformuoto intensyvumo skirstinio maksimumuosebūtų didesnis už minėto sluoksnio nugarinimo slenkstinį intensyvumą.

Description

Išradimas priklauso lazerinių technologijų sričiai ir yra skirtas tiesioginiams periodinių struktūrų plonuose sluoksniuose, ypač metalo, formavimo būdams ir gali būti panaudotas gaminti periodines struktūras (gardeles), skirtas spektriniams, matavimo ir kitiems optiniams prietaisams bei ekranavimui.
Žinomas lazerinio apdirbimo interferuojančiais pluoštais būdas, kuriame fotorezistas apšviečiamas 4 pluoštų interferenciniu lauku, fotorezistas išryškinamas ir per skyles fotoreziste chemiškai išėsdinimas metalo sluoksnis. Šį būdą pritaikius sluoksniams gali būti gaunama tik apvalių skylių matrica (žiūrėti išradimo aprašymą pagal patentą JP62114138).
Žinomas lazerinio apdirbimo interferuojančiais pluoštais būdas, kuriame periodinė struktūra formuojama keturiais lazerio spinduliuotės pluoštais, parenkant specifinį pluoštų suvedimo kampą ir fazių skirtumą tarp porų, iš vienas prieš kitą išdėstytų pluoštų. Minėti spinduliuotės pluoštai interferuodami suformuoja periodinį spinduliuotės intensyvumo skirstinį ant fotorezisto, kuriuo padengta norima apdoroti medžiaga. Po ekspozicijos fotorezistas išryškinamas ir jame gaunama 2D struktūra, kurios periodas gali būti valdomas, keičiant bangos ilgį ir pluošto suvedimo kampą (žiūrėti išradimo aprašymą pagal patentą JP11026344).
Žinomų būdų trūkumas yra tas, kad struktūra pradžioje suformuojama fotoreziste, o po to, formuojant periodinę struktūrų, reikalingas cheminio ėsdinimo procesas, kuris yra daugelio pakopų, todėl lėtas, sudėtingas ir brangus.
Yra žinomas periodinių struktūrų formavimo ploname metalo sluoksnyje ant skaidrios medžiagos pagrindo būdas, kai impulsinio lazerio spinduliuotės pluoštą dalija į du pluoštus, kuriuos fokusuoja metalo sluoksnyje, sudarant jame interferencinį vaizdą, kur interferencinio vaizdo intensyvumo maksimumuose metalas išgarinamas, ir nusodinamas ant kito šalia patalpinto skaidraus padėklo, sudarant periodinę apvalių kondensavusio metalo salų struktūrą, atitinkančią interferencinio vaizdo intensyvumo maksimumų išsidėstymui (žiūrėti išradimo aprašymą pagal patentą CN1603888).
Artimiausias pagal techninę paskirtį yra būdas periodinėms struktūroms ploname medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais, kur daug pluoštų (3 ir daugiau) nukreipiami į ploną sluoksnį, sudarant jame interferencinį vaizdą. Būde numatytas pluoštų kiekio, fazių skirtumo tarp pluoštų ir jų amplitudės (intensyvumo) valdymas. Fazių skirtumą parenka 0 arba π/2. Interferencinio vaizdo intensyvumo maksimumuose medžiaga yra modifikuojama, sudarant periodinę struktūrą (žiūrėti išradimo aprašymą pagal patentą JP2003025085).
Šį būdą pritaikius sluoksniams gali būti gaunama tik apvalių skylių matrica, nes šis būdas apsiriboja poveikiu interferencinio skirstinio maksimumuose. Žinomo būdo trūkumas yra tas, kad juo galima formuoti tik vienos konfigūracijos periodinę struktūrą bei nėra galimybės keisti periodinės struktūros formuojamus vaizdus.
Išradimu siekiama tiesiogiai be tarpinių sluoksnių (fotorezistas) ir papildomų operacijų (fotorezisto užnešimas, ryškinimas, cheminis ėsdinimas) formuoti periodines struktūras ir valdyti skirtingo piešinio (rašto, vaizdų) periodinių struktūrų formavimą bei praplėsti šiuo metodu gaunamų struktūrų pritaikymo sritį.
Uždavinio sprendimo esmė yra ta, kad būde periodinėms struktūroms formuoti ploname medžiagos sluoksnyje interferuojančiais lazerio pluoštais, kur plonas medžiagos sluoksnis yra išdėstytas ant pagrindo, turinčio skirtingas optines savybes nei minėtas sluoksnis, apimantis kelių impulsinio lazerio spinduliuotės pluoštų nukreipimą į minėtą ploną sluoksnį, kuriame pluoštai kertasi taip, kad interferuodami suformuotų periodinį lazerio spinduliuotės intensyvumo skirstinį, kur interferencinio vaizdo didelio intensyvumo zonose sluoksnio medžiaga yra išgarinama, o išlikusi sluoksnio medžiaga suformuoja periodinę struktūrą, atitinkančią interferencinio vaizdo mažo intensyvumo zonų išsidėstymui, periodinės struktūros formuojamą vaizdą keičia, parenkant nukreipiamų į minėtą sluoksnį interferuojančių lazerio pluoštų bendrą intensyvumo dydį, kurį parenka atitinkamai kiekvienam pasirinktam periodinės struktūros vaizdui suformuoti, tenkinant sąlygą, kad minėtas bendras intensyvumo dydis suformuoto intensyvumo Io skirstinio maksimumuose būtų didesnis už minėto sluoksnio nugarinimo slenkstinį intensyvumą
Šis būdas yra paprastas, vieno etapo, nereikalaujantis sudėtingo technologinio proceso, tam kad tiesiogiai gauti skirtingus formuojamų struktūrų vaizdus t.y. sluoksnių nugarinimo slenkstinis pobūdis sudaro sąlygas papildomai valdyti sluoksnyje formuojamų periodinių struktūrų vaizdą (piešinį, pavidalą), keičiant interferuoj ančių lazerio pluoštų bendrą intensyvumo dydį bei leidžia praplėsti šiuo būdu gaunamų struktūrų pritaikymo sritis.
Kitas privalumų turintis siūlomo būdo variantas yra tai, kad tarp interferuojančių lazerio spinduliuotės pluoštų parenka fazių skirtumą d φ.
Tai leidžia papildomai valdyti interferencinį lazerio intensyvumo skirstinį ir gauti didesnę įvairovę formuojamų periodinių struktūrų vaizdų.
Be to, į minėtą sluoksnį nukreipia tris arba keturis, arba šešis interferuojančius lazerio pluoštus, išdėstytus simetriškai normalės į sluoksnio paviršių atžvilgiu.
Parenkant pluoštų skaičių 3 arba 6 galima gauti heksagoninės simetrijos struktūras, o panaudojant 4 pluoštus, galima gauti kvadratinės ar stačiakampės simetrijos struktūras.
Kitas privalumą turintis siūlomo būdo realizavimo pavyzdys yra tai, kad interferencinio skirstinio vaizdą papildomai keičia, į minėtą sluoksnį nukreipiant papildomą centrinį lazerio pluoštą minėtų interferuojančių pluoštų simetrijos ašies kryptimi,
Tai leidžia papildomai valdyti interferencinį lazerio intensyvumo skirstinį, priklausomai nuo sluoksnio padėties pluoštų susikirtimo taško atžvilgiu ir gauti didesnę įvairovę formuojamų periodinių struktūrų vaizdų.
Be to, interferencinio skirstinio vaizdą papildomai keičia, parenkant atstumą Δζ tarp minėto sluoksnio ir pluoštų susikirtimo jame taško centrinio spindulio sklidimo kryptimi z.
Plono sluoksnio medžiaga yra metalas, pavyzdžiui, chromas, aliuminis, sidabras, varis, auksas, o pagrindo medžiaga yra skaidri, pavyzdžiui, stiklas.
Šiuo atveju gali būti panaudotas gaminant spektrinius filtrus matomam, infraraudonam ir teraherciniam spektro diapazonams, priklausomi nuo struktūros periodo ir struktūrinių elementų formos ir dydžio. Kita taikymų sritis yra metamedžiagų gamyba iš plonų sluoksnių, suformuojant dažniui selektyvius paviršius radijo bangų ir optiniam spektro diapazonams.
Plono sluoksnio medžiaga yra elektrai laidi, pavyzdžiui, indžio-alavo oksidas, o pagrindo medžiaga yra dielektrikas, pavyzdžiui, polimeras arba stiklas. Šiuo atveju būdas gali būti panaudotas plonasluoksnės elektronikos kontaktams formuoti, pvz. LCD ekranų gamyboje.
Privalumų turintis dar vienas būdo realizavimo pavyzdys yra tas, kad pagrindas yra stiklas, padengtas plonu chromo sluoksniu į kurį nukreipia keturis interferuojančius lazerio pluoštus, kur priklausomai nuo norimo suformuoti periodinės struktūros vaizdo, fazės skirtumą Δφ tarp priešpriešiais esančių pluoštų porų parenka ribose nuo nulio iki π/2, o lazerio spinduliuotės intensyvumo dydį suformuoto intensyvumo Io, skirstinio maksimumuose, parenka atitinkamai taip, kad sluoksnio nugarinimo slenkstinis intensyvumas It/, sudarytų nuo maždaug 50% iki maždaug 1,5%, intensyvumo Io, suformuoto interferencinio skirstinio maksimumuose
Detaliau išradimas paaiškinamas brėžiniais, kuriuose pavaizduota:
Fig. 1 - Periodinės struktūros formavimo įrenginio optinė schema, skirtas pasiūlytam būdui realizuoti.
Fig. 2 - Interferencinio vaizdo susidarymo schema, kai nėra centrinio pluošto (a) ir esant centriniam pluoštui 0 (b).
Fig. 3 - Keturių interferuoj ančių lazerio pluoštų simetrinio išdėstymo schema.
Fig. 4 - Periodinių struktūrų vaizdai, gaunami formuojant keturiais simetriškai išdėstytais interferuojančiais lazerio pluoštais pagal Fig. 3, keičiant bendro intensyvumo dydį ir/arba fazę tarp pluoštų, kuriuose pavaizduota:
a) „standartinis“ apvalių skylių vaizdas metalo sluoksnyje ant stiklo;
b) šachmatine tvarka išdėstytų rombų vaizdas, gaunamas, kai tarp lyginių (2, 4) ir nelyginių (1,3) pluoštų fazės skirtumas yra lygus Δφ = π/2 ir lazerio intensyvumas interferencinio skirstinio maksimumuose tenkina sąlygą J,* = Ifįx 50%·,
c) šachmatine tvarka išdėstytų rombų vaizdas, eksperimentiškai gautas 100 nm storio chromo sluoksnyje ant stiklo, kai tenkinamos Fig. 4b sąlygos;
d) segmentuoto tinklo pavidalo vaizdas, gaunamas, kai tarp lyginių (2,4) ir nelyginių (1, 3) pluoštų fazės skirtumas yra lygus Δφ = π/4 ir Ith =Iox 14%;
e) tinklo pavidalo vaizdas, eksperimentiškai gautas 100 nm storio chromo sluoksnyje ant stiklo, kai tarp lyginių (2, 4) ir nelyginių (1,3) pluoštų fazės skirtumas Δφ tolygiai kinta iš kairės į dešinę ir dešinėje pusėje tenkinamos Fig. 44d sąlygos;
f) paprasto tinklo pavidalo vaizdas, gaunamas, kai tarp lyginių (2, 4) ir nelyginių (1, 3) pluoštų fazės skirtumas yra lygus Δφ = π/% ir Iti, = Iox 4%.
Fig. 5 - trijų interferuoj ančių lazerio pluoštų simetrinio išdėstymo schema.
Fig. 6 - Periodinių struktūrų vaizdai, gaunami formuojant trim simetriškai išdėstytais interferuojančiais pluoštais pagal Fig.5, kai Δφ = 0 ir =Iox 11% (a) ir Ith =I9x 50% (b).
Fig. 7 - Šešių interferuoj ančių lazerio pluoštų simetrinio išdėstymo schema.
Fig. 8 - Periodinių struktūrų vaizdai, gaunami formuojant šešiais simetriškai išdėstytais interferuoj ančiais pluoštais pagal Fig. 7, kai Αφ = 0 ir Ith=Iox6%> (a) ir Ith = Io x 11% (b).
Fig. 9 - Trijų simetriškai išdėstytų pluoštų ir centrinio pluošto išdėstymo schema.
Fig. 10 - Periodinių struktūrų vaizdai, gaunami formuojant trimis simetriškai išdėstytais interferuoj ančiais pluoštais ir centriniu pluoštu pagal Fig. 9, kai Αφ = 0, Az = 0 ir Ą* -Iox6% (a)irlih=loxll%$).
Fig. 11 - Šešių simetriškai išdėstytų pluoštų ir centrinio pluošto išdėstymo schema.
Fig. 12 - Periodinių struktūrų vaizdai, gaunami formuojant šešiais simetriškai išdėstytais interferuoj ančiais pluoštais ir centriniu pluoštu pagal Fig. 11, kai Αφ = 0, Az = 0 ir /,* =Iox 1,5% (a) ir Ith = Iox 7% (b).
Fig. 13- Keturių simetriškai išdėstytų pluoštų ir centrinio pluošto išdėstymo schema.
Fig. 14 - Periodinių struktūrų vaizdai, gaunami formuojant keturiais simetriškai išdėstytais interferuoj ančiais pluoštais ir centriniu pluoštu pagal Fig. 13, kai Αφ = π/2, = Ιο x 40%,
Az = 0 (a) ir Az = 0,2 periodo z kryptimi (b).
Siūlomas periodinės struktūros formavimo būdas apima šią operacijų seką. Impulsinio lazerio spinduliuotės pluoštą padalina į pasirinktą skaičių pluoštų nuo 3 iki 6 t.y. tris, keturis arba šešis ir nukreipia juos į ant pagrindo užneštą ploną medžiagos sluoksnį simetriškai normalės į sluoksnio paviršių atžvilgiu taip, kad jame interferuotų, sudarydami periodinį lazerio spinduliuotės skirstinį. Interferuoj ančių lazerio pluoštų bendrą intensyvumo dydį parenka tokį, kad jis būtų didesnis už minėto sluoksnio nugarinimo slenkstinį intensyvumą o sluoksnio nugarinimo slenkstis sudarytų nuo maždaug 50% iki maždaug 1,5% intensyvumo Io, suformuoto interferencinio skirstinio maksimumuose. Keičia minėtą bendrą intensyvumo dydį nurodytose ribose iki tokios ribos, kuris reikalingas pasirinktos periodinės struktūros vaizdui suformuoti. Minėtą interferencinį vaizdą papildomai gali keisti, parenkant fazių skirtumą Αφ tarp interferuoj ančių lazerio spinduliuotės pluoštų. Be to, minėtą vaizdą papildomai gali keisti, nukreipiant centrinį lazerio pluoštą interferuoj ančių pluoštų simetrijos ašies kryptimi ir/arba parenkant atstumą tarp minėto sluoksnio ir pluoštų susikirtimo jame taško centrinio spindulio sklidimo kryptimi.
Siūlomas periodinės struktūros ploname medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais 1-6 gali būti realizuotas įrenginiu, kurio optinė schema pavaizduota Fig. 1. Įrenginys turi impulsinį lazerį 7, kurio pluošto sklidimo kelyje nuosekliai išdėstyti lazerio impulsų energijos valdymo mazgas 8, (pvz. ateniuatorius, sudarytas iš Pokelso celės ir plonasluoksnio poliarizatorius), visiško atspindžio veidrodis 9, difrakcinis optinis elementas 10 pluošto padalinimui į 3,4 arba 6 pluoštus (su arba be centrinio pluošto), kolimuojantis lęšis 11, fazių skirtumo tarp pluoštų valdymo mazgas 12 (pvz. pasukama lygiagreti stiklo plokštelė), diafragma 13 pluoštų išrinkimui, fokusuojantis lęšis 14, bandinys 15 (plonas sluoksnis ant padėklo, bandinio pozicionavimo įrenginys 16 (pvz. trijų ašių ΧΥΖ pjezoelektrinis nanopozicionierius).
Interferencinio vaizdo susidarymo schema, kai nėra centrinio pluošto yra pavaizduota Fig. 2a, o kai yra centrinis pluoštas - Fig. 2b. Nesant centrinio pluošto, interferencinis vaizdas nesikeičia statmena bandinio paviršiui kryptimi z visoje pluoštų persiklojimo zonoje. Centrinis pluoštas sukelia papildomą intensyvumo skirstinio moduliaciją kryptimi z. Λ yra interferencinio vaizdo periodas XY plokštumoje, (bandinio paviršiuje, Y ašis yra statmena brėžinio plokštumai); Λζ yra interferencinio vaizdo periodas kryptimi z, statmena bandinio paviršiui; Jz yra postūmis ašimi z (bandinio postūmis fokusuojančio lęšio židinio padėties atžvilgiu).
Toliau pateikiame konkrečius būdo realizavimo pavyzdžius, kuriais šis patentas neapsiriboja.
Keturių lazerio pluoštų 1-4, simetriškai išdėstytų pagal Fig. 3, atveju intensyvumo skirstinys interferencijos zonoje gali būti išreikštas formule:
A (r) K ([Ą (r. t) + e2 (r, t) + E3 (r, t) + E4 (r, oc 4£<
l+|cos[(k1-k2)-r+ę>1-^2] + |«4(^-^)·Γ+ρ,-ρ3]+ j-cos[(k2-k3)-r + i92-<z>3] + |c°s[(k2-k4)-r + iP2-p4] + |cos[(k3-k4)T + <»30) kur Eį elektrinis laukas, A,· banginis vektorius ir φι fazė kiekvienam iš 4 lazerio pluoštui; r yra koordinatės vektorius. Indeksai žymi lazerio pluoštus: 1,2,3 ir 4.
Simetriškai išdėstytų pluoštų 1-4 (Fig.3) interferencinio lauko intensyvumo skirstinys parodytas Fig. 4a yra taisyklinga interferencijos maksimumų kvadratinė matrica t.y. standartinė periodinė struktūra sudaryta iš apvalių skylių.
2D gardelės periodas J priklauso nuo kampo tarp priešais esančių pluoštų:
Λ4 =(λ/2 /žJįA/sin©), j^j. g_ (£,;fc2) = (k^kĄ yra pUSg kampo tarp priešpriešinių pluoštų ir λ 2 2 yra lazerio spinduliuotės bangos ilgis. Interferencinio lauko skirstinys gali būti pakeistas, keičiant tarp pluoštų (optinio kelio skirtumą) fazių skirtumą Δφ.
Kadangi optinė sistema turi radialinę simetriją, tai visų interferuojančių pluoštų fazės jų susikirtimo taške yra vienodos, arba fazių skirtumas tarp kiekvieno iš pluoštų lygus nuliui (nes visi pluoštai praeina vienodą optinį kelią). Siekiant įvesti fazių skirtumą tarp pluoštų reikia sudaryti optinio kelio skirtumą tarp pluoštų, pvz. pirmojo pluoštelio kelyje pastatoma storio d stiklo plokštelė su lūžio rodikliu n, o antras pluoštelis sklinda tą patį atstumą laisva erdve (oru), tai optinių kelių skirtumas tarp pluoštelių lygus d(n-l). Tarp pluoštų atsiranda fazių skirtumas <Pi2=~d(n-Ą· (2)
Kai tarp lyginių (2, 4) ir nelyginių (1, 3) pluoštų fazių skirtumas yra lygus π/2, seni maksimumai išnyksta ir atsiranda nauji buvusių tarpuose.
Interferencinį lauką galima keisti ne tik derinant fazių skirtumus tarp pluoštų. Sluoksnių nugarinimo slenkstinis pobūdis sudaro sąlygas papildomai valdyti periodinių struktūrų suformuojamų metalo sluoksnyje vaizdą (piešinį, pavidalą) kas ir sudaro šiuo išradimu siekiamo tikslo techninį sprendimą.
Struktūra, kuri yra suformuojama medžiagos sluoksnyje priklauso ne tik nuo pluoštų išdėstymo ir fazių skirtumo tarp pluoštų porų. Medžiagos sluoksnių nugarinimas yra slenkstinio pobūdžio: egzistuoja minimalus lazerio intensyvumas Ith, kuris gali nugarinti sluoksnį per visą storį. Todėl lazerio intensyvumas, naudojamas apšvitai, parenkant jį nugarinimo (abliacijos) slenksčio atžvilgiu, yra papildoma priemonė valdyti periodinių struktūrų formą. Tai reiškia, kad medžiaga nugarinama visur, kur lokalus lazerio intensyvumas viršija šią slenkstinę intensyvumo vertę 7į*.
Kai tarp lyginių (2, 4) ir nelyginių (1,3) pluoštų fazių skirtumas Αφ yra lygus π/2 ir sluoksnio nugarinimo slenkstinis intensyvumas Ith yra ties 50% lygiu lazerio intensyvumo Io interferencijos maksimume, interferencinio lauko skirstinys yra „šachmatų lentos“ tipo (Fig. 4b). Kaip parodyta Fig. 4c., tokia struktūra buvo pagaminta vienu impulsu 100 nm storio Cr sluoksnyje, tiksliai suderinant optinę sistemą ir parenkant lazerio intensyvumą eksperimente, bei palaikant fazių skirtumą tarp lyginių (2, 4) ir nelyginių (1,3) pluoštų lygų π/2, impulso energija buvo 0,14 mJ.
Kelių tipų periodinės struktūros buvo sumodeliuotos kompiuteriu ir pagamintos, naudojant nugarinimą vienu lazerio impulsu, kai interferuoja 4 lazerio pluoštai. Kai tarp lyginių (2, 4) ir nelyginių (1,3) pluoštų fazių skirtumas Αφ yra lygus π/4 ir sluoksnio nugarinimo slenkstis yra ties 14% lygiu lazerio intensyvumo interferencijos maksimume, interferenciniu būdu sudaryta struktūra yra sudaryta iš stačiakampių elementų, išdėstytų kaip segmentuotas tinklas su mažais tarpais tarp segmentų (Fig. 4d).
Tinklo tipo struktūros buvo gautos, nugarinant 100 nm storio Cr sluoksnį vienu lazerio impulsu su 4 pluoštų interferencija, kaip buvo naudojamas monotoniškas fazių postūmio kitimas per interferencinį lauką. (Fig. 4e). Pagamintos struktūros metalų sluoksniuose ant stiklo padėklo rodo, kad interferencinio skirstinio pjūvius ties sluoksnio nugarinimo slenksčiu galima realizuoti praktiškai. Metalas buvo nugarintas lokaliai tose vietose, kur lazerio intensyvumas viršija slenkstinę vertę. „Šachmatų lentos“ ir „tinklo“ formos periodinės struktūros buvo gautos eksperimentiškai, tiksliai parenkant fazių skirtumą ir lazerio intensyvumą.
Tikro tinklo tipo struktūra gali būti realizuota medžiagos sluoksnyje ant pagrindo, kai fazių skirtumas tarp lyginių (2, 4) ir nelyginių (1, 3) pluoštų Αφ yra lygus ττ/8 ir sluoksnio nugarinimo slenkstis yra ties 4% lygiu lazerio intensyvumo interferencijos maksimume (Fig. 4f). Tokios struktūros gali būti pritaikytos, gaminant dažniui selektyvias struktūras su spektrinio filtravimo savybėmis matomos šviesos spektro ruože.
Trijų lazerio pluoštų, simetriškai išdėstytų pagal Fig. 5 atveju, esant sluoksnio nugarinimo slenksčiui ties 11% lygiu lazerio intensyvumo interferencijos maksimume, gaunamas v
formuojamos struktūros vaizdas parodytas Fig. 6a, Šiuo būdu formuojama periodinė struktūra, sudaryta iš mažų matmenų trikampių, gali būti panaudota kaip paviršinių plazmonų antena.
Tuo pačiu atveju, esant sluoksnio nugarinimo slenksčiui ties 50% lygiu lazerio intensyvumo interferencijos maksimume gaunamas formuojamos struktūros vaizdas parodytas Fig. 6b, kuris yra standartinis.
Šešių lazerio pluoštų, simetriškai išdėstytų pagal Fig. 7 atveju, esant sluoksnio nugarinimo slenksčiui ties 4% lygiu lazerio intensyvumo interferencijos maksimume, gaunamas formuojamos struktūros vaizdas parodytas Fig. 8a. Tuo pačiu atveju, esant sluoksnio nugarinimo slenksčiui ties 11% lygiu lazerio intensyvumo interferencijos maksimume, gaunamas formuojamos struktūros vaizdas parodytas Fig. 8b. Abi struktūros gali būti panaudotos metamedžiagoms su fotoninių kristalų savybėmis ar dažniui selektyviems paviršiams gaminti.
Visa klasė periodinių struktūrų gali būti sukurta, naudojant kelių simetriškai išdėstytų pluoštų ir centrinio pluošto interferenciją. Interferencinis skirstinys šiuo atveju papildomai priklauso nuo atstumo tarp minėto sluoksnio ir pluoštų susikirtimo jame taško centrinio spindulio sklidimo kryptimi.
Trijų simetriškai išdėstytų lazerio pluoštų ir vieno centrinio lazerio pluošto išdėstymo pagal Fig. 9 atveju, esant sluoksnio nugarinimo slenksčiui ties 6% lygiu lazerio intensyvumo interferencijos maksimume, gaunamas formuojamos struktūros vaizdas parodytas Fig. 10a, o esant sluoksnio nugarinimo slenksčiui ties 11% lygiu lazerio intensyvumo interferencijos maksimume, gaunamas formuojamos struktūros vaizdas parodytas Fig. 10b.
Šešių simetriškai išdėstytų lazerio pluoštų ir vieno centrinio lazerio pluošto išdėstymo pagal Fig. 11 atveju, esant sluoksnio nugarinimo slenksčiui ties 1,5% lygiu lazerio intensyvumo interferencijos maksimume, gaunamas formuojamos struktūros vaizdas parodytas Fig. 12a, o esant sluoksnio nugarinimo slenksčiui ties 11% lygiu lazerio intensyvumo interferencijos maksimume, gaunamas formuojamos struktūros vaizdas parodytas Fig. 12b.
Keturių simetriškai išdėstytų lazerio pluoštų ir vieno centrinio lazerio pluošto išdėstymo pagal Fig. 13 atveju, esant sluoksnio nugarinimo slenksčiui ties 40% lygiu lazerio intensyvumo interferencijos maksimume, ir tarp lyginių (2, 4) ir nelyginių (1, 3) pluoštų esant fazių skirtumui Αφ lygiam π/2 gaunamas formuojamos struktūros vaizdas parodytas Fig. 14a, kai bandinys yra fokusuojančio lęšio židinio plokštumoje (Δζ-ff). Kai bandinys perstumiamas atstumu Az = 0,2Az z kryptimi, esant toms pačioms sąlygoms, gaunamas formuojamos struktūros vaizdas parodytas Fig. 14b.
Visos „nestandartinės“ struktūros susidaro, kai sluoksnio nugarinimo slenkstinis intensyvumas Ith yra mažiau kaip 50% intensyvumo Io. interferencinio skirstinio maksimume. „Standartinėmis“ struktūromis čia vadiname tai, ką galima rasti patentuose ir straipsniuose, t.y. reguliariai išdėstytos apvalios skylės kvadratinėje (4 pluoštai) arba heksagoninėje (3 arba 6 pluoštai) matricoje.
Formuojamų struktūrų stabilumas dideliame plote reikalauja didelio fazės stabilumo (suderinimo) ir apšvitos vienalytiškumo visoje interferencijos zonoje. Lazerio pluoštai su suformuotu plokščios viršūnės pavidalu gali būti panaudoti, norint pasiekti struktūrų geresnį homogeniškumą. Naudojant trumpa lazerio impulsų trukmę, mažesnę už 100 ps, sluoksnyje garavimas vyksta greičiau negu šilumos pernaša, todėl interferencinio vaizdo struktūra išlieka nepakitusi dėl galimo sluoksnio medžiagos išsilydimo.

Claims (9)

  1. IŠRADIMO APIBRĖŽTIS
    1. Būdas periodinėms struktūroms ploname medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais, kur plonas medžiagos sluoksnis yra išdėstytas ant pagrindo, turinčio skirtingas optines savybes nei minėtas sluoksnis, apimantis kelių impulsinio lazerio spinduliuotės pluoštų nukreipimą į minėtą ploną sluoksnį, kuriame pluoštai kertasi taip, kad interferuodami suformuotų periodinį lazerio spinduliuotės intensyvumo skirstinį, kur interferencinio vaizdo didelio intensyvumo zonose sluoksnio medžiagą išgarina, o išlikusi sluoksnio medžiaga suformuoja periodinę struktūrą, atitinkančią interferencinio vaizdo mažo intensyvumo zonų išsidėstymui, besiskiriantis tuo, kad periodinės struktūros formuojamą vaizdą keičia, parenkant nukreipiamų į minėtą sluoksnį interferuoj ančių lazerio pluoštų bendrą intensyvumo dydį, kurį parenka atitinkamai kiekvienam pasirinktam periodinės struktūros vaizdui suformuoti, tenkinant sąlygą, kad minėtas bendras intensyvumo dydis suformuoto intensyvumo skirstinio maksimumuose būtų didesnis už minėto sluoksnio nugarinimo slenkstinį intensyvumą,
  2. 2. Būdas pagal 1 punktą, besiskiriantis tuo, kad tarp interferuoj ančių lazerio spinduliuotės pluoštų parenka fazių skirtumą.
  3. 3 Būdas pagal 1 arba 2 punktą, besiskiriantis tuo, kad į minėtą sluoksnį nukreipia tris arba keturis, arba šešis interferuoj ančius lazerio pluoštus, išdėstytus simetriškai normalės į sluoksnio paviršių atžvilgiu.
  4. 4. Būdas pagal 3 punktą, besiskiriantis tuo, kad interferencinio skirstinio vaizdą papildomai keičia nukreipiant papildomą centrinį lazerio pluoštą minėtų interferuoj ančių pluoštų simetrijos ašies kryptimi,
  5. 5. Būdas pagal 4 punktą, besiskiriantis tuo, kad interferencinio skirstinio vaizdą papildomai keičia, parenkant atstumą tarp minėto sluoksnio ir pluoštų susikirtimo jame taško centrinio spindulio sklidimo kryptimi.
  6. 6. Būdas pagal bet kurį iš 1 - 5 punktų, besiskiriantis tuo, kad plono sluoksnio medžiaga yra metalas, pavyzdžiui, chromas, aliuminis, sidabras, varis, auksas, o pagrindo medžiaga yra skaidri, pavyzdžiui, stiklas.
  7. 7. Būdas pagal bet kurį iš 1 - 5 punktų, besiskiriantis tuo, kad plono sluoksnio medžiaga yra elektrai laidi, pavyzdžiui, indžio-alavo oksidas, o pagrindo medžiaga yra dielektrikas, pavyzdžiui, polimeras arba stiklas.
  8. 8. Būdas pagal bet kurį iš 2, 3 ir 6 punktų, besiskiriantis tuo, kad pagrindas yra stiklas, padengtas plonu chromo sluoksniu į kurį nukreipia keturis interferuojančius lazerio pluoštus, kur priklausomai nuo norimo suformuoti periodinės struktūros vaizdo, fazės skirtumą tarp priešpriešiais esančių pluoštų porų parenka ribose nuo nulio iki π/2, o lazerio spinduliuotės intensyvumo dydį suformuoto intensyvumo skirstinio maksimumuose parenka atitinkamai taip, kad sluoksnio nugarinimo slenkstis sudarytų nuo maždaug 50% iki maždaug 1,5%, intensyvumo, suformuoto interferencinio skirstinio maksimumuose.
  9. 9. Būdas pagal bet kurį iš 1-8 punktų, besiskiriantis tuo, kad medžiagos sluoksnio nugarinimui naudojamas trumpos impulsų (< 100 ps) trukmės lazeris.
LT2010069A 2010-09-16 2010-09-16 Būdas periodinėms struktūroms ploname medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais LT5833B (lt)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
LT2010069A LT5833B (lt) 2010-09-16 2010-09-16 Būdas periodinėms struktūroms ploname medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais
EP11160615.8A EP2431120B1 (en) 2010-09-16 2011-03-31 Method of forming periodic structures in thin films using interfering laser beams
ES11160615.8T ES2637475T3 (es) 2010-09-16 2011-03-31 Método de formación de estructuras periódicas en láminas finas utilizando haces láser interferentes
LTEP11160615.8T LT2431120T (lt) 2010-09-16 2011-03-31 Būdas periodinėms struktūroms planame medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
LT2010069A LT5833B (lt) 2010-09-16 2010-09-16 Būdas periodinėms struktūroms ploname medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais

Publications (2)

Publication Number Publication Date
LT2010069A LT2010069A (lt) 2012-03-26
LT5833B true LT5833B (lt) 2012-05-25

Family

ID=44117400

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
LT2010069A LT5833B (lt) 2010-09-16 2010-09-16 Būdas periodinėms struktūroms ploname medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais
LTEP11160615.8T LT2431120T (lt) 2010-09-16 2011-03-31 Būdas periodinėms struktūroms planame medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
LTEP11160615.8T LT2431120T (lt) 2010-09-16 2011-03-31 Būdas periodinėms struktūroms planame medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2431120B1 (lt)
ES (1) ES2637475T3 (lt)
LT (2) LT5833B (lt)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5993738B2 (ja) * 2012-12-25 2016-09-14 浜松ホトニクス株式会社 パターン化干渉光生成装置
US20160158886A1 (en) * 2013-07-22 2016-06-09 Kitty KUMAR Interferometric laser processing
CA2931245C (en) 2015-05-26 2023-07-25 National Research Council Of Canada Metallic surface with karstified relief, forming same, and high surface area metallic electrochemical interface
CN109551110A (zh) * 2017-09-26 2019-04-02 蓝思科技（长沙）有限公司 一种手机3d玻璃层盖板纹理加工方法以及加工装置
DE102018200036B3 (de) * 2018-01-03 2019-01-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optische Anordnung zur direkten Laserinterferenzstrukturierung
KR102665199B1 (ko) * 2018-11-15 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치 및 이를 이용한 기판 식각 방법
DE102018220434A1 (de) 2018-11-28 2020-05-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optische Anordnung zur Strukturierung von Oberflächen eines Substrates
DE102019206179B4 (de) 2019-04-30 2023-06-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Anordnung zur Modifizierung von Oberflächen metallischer Bauteile
DE102021117204A1 (de) 2021-07-03 2023-01-05 Fusion Bionic Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Laserinterferenzstrukturierung von transparenten Substraten mit periodischen Punktstrukturen für Antireflexionseigenschaften
LU102920B1 (de) 2022-03-31 2023-10-02 Fusion Bionic Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Laserinterferenzstrukturierung von Substraten mit periodischen Punktstrukturen für Antireflexionseigenschaften
EP4367558A2 (de) 2021-07-03 2024-05-15 Fusion Bionic GmbH Vorrichtung und verfahren zur laserinterferenzstrukturierung von substraten mit periodischen punktstrukturen für antireflexionseigenschaften
DE102022100271A1 (de) 2022-01-07 2023-07-13 4Jet Microtech Gmbh Vorrichtung zur Interferenzstrukturierung eines Werkstücks und Verfahren
WO2023218580A1 (ja) * 2022-05-11 2023-11-16 株式会社ニコン 加工光学系、加工装置及び加工方法
WO2023227720A1 (de) 2022-05-25 2023-11-30 Fusion Bionic Gmbh Substrat mit anti-glare-eigenschaften
LU103057B1 (de) * 2023-01-05 2024-07-05 Fusion Bionic Gmbh Oberflächenstrukturiertes substrat mit verbesserter wärmeübertragung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62114138A (ja) 1985-11-13 1987-05-25 Ricoh Co Ltd 情報記録原盤複製用金型の製造方法
JPH1126344A (ja) 1997-06-30 1999-01-29 Hitachi Ltd パターン形成方法及び装置並びに半導体装置の製造方法
JP2003025085A (ja) 2001-07-12 2003-01-28 Seiko Epson Corp レーザー加工方法及びレーザー加工装置
CN1603888A (zh) 2004-11-05 2005-04-06 中国科学院上海光学精密机械研究所 飞秒激光相干技术传输周期微结构的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006023940B4 (de) * 2006-05-19 2009-06-10 Laser-Laboratorium Göttingen e.V. Verfahren zur Nanostrukturierung eines Substrats

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62114138A (ja) 1985-11-13 1987-05-25 Ricoh Co Ltd 情報記録原盤複製用金型の製造方法
JPH1126344A (ja) 1997-06-30 1999-01-29 Hitachi Ltd パターン形成方法及び装置並びに半導体装置の製造方法
JP2003025085A (ja) 2001-07-12 2003-01-28 Seiko Epson Corp レーザー加工方法及びレーザー加工装置
CN1603888A (zh) 2004-11-05 2005-04-06 中国科学院上海光学精密机械研究所 飞秒激光相干技术传输周期微结构的方法

Also Published As

Publication number Publication date
LT2431120T (lt) 2017-08-25
EP2431120A1 (en) 2012-03-21
ES2637475T3 (es) 2017-10-13
EP2431120B1 (en) 2017-07-05
LT2010069A (lt) 2012-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
LT5833B (lt) Būdas periodinėms struktūroms ploname medžiagos sluoksnyje formuoti interferuojančiais lazerio pluoštais
US10690817B2 (en) Ultra-thin, planar, plasmonic metadevices
JP3775250B2 (ja) レーザー加工方法及びレーザー加工装置
US11835837B2 (en) System, method and apparatus for non-mechanical optical and photonic beam steering
JP3293136B2 (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
Voisiat et al. Picosecond-laser 4-beam-interference ablation as a flexible tool for thin film microstructuring
US8827502B2 (en) Metamaterial for deflecting electromagnetic wave
US6020988A (en) Ultra high resolution wave focusing method and apparatus and systems employing such method and apparatus
US20090073331A1 (en) Tunable liquid crystal devices, devices using same, and methods of making and using same
KR20060050540A (ko) 금속 세선이 매립된 편광 분리 소자
US11835841B2 (en) System, method and apparatus for non-mechanical optical and photonic beam steering
KR20020092416A (ko) 간섭 패턴에 따라 물질을 기판에 선택적으로 성막하는우선 성막 방법
CN114761883B (zh) 包含平面的超表面的电控动态光学组件
KR101266880B1 (ko) 편광판의 제조방법 및 레이저 가공장치
JP3702445B2 (ja) 光学素子及びその光学素子を用いた装置
US10101652B2 (en) Exposure method, method of fabricating periodic microstructure, method of fabricating grid polarizing element and exposure apparatus
CN114326226B (zh) 一种用于太赫兹波前调制的电寻址超表面
JP6221849B2 (ja) 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置
JPS6060042B2 (ja) 光導波路にグレーテイングを作成する方法及びその装置
CN108061936A (zh) 一种分光器以及采用该分光器的分光方法
CN100365471C (zh) 光学相控阵器
DE60122482T2 (de) Selektive abscheidung eines materials auf ein substrat gemaess eines interferenzmusters
Mamonova et al. Liquid crystal metasurfaces for versatile electrically tunable diffraction
Yang et al. Tunable terahertz transmission properties of double-layered metal hole-loop arrays using nematic liquid crystal
CN114721072B (zh) 一种基于消色差的多层框架结构的斜入射超表面隐身器

Legal Events

Date Code Title Description
MM9A Lapsed patents

Effective date: 20180916