LT2010100A - Vandenilio išskyrimo iš vandens garų būdas - Google Patents

Vandenilio išskyrimo iš vandens garų būdas

Info

Publication number
LT2010100A
LT2010100A LT2010100A LT2010100A LT2010100A LT 2010100 A LT2010100 A LT 2010100A LT 2010100 A LT2010100 A LT 2010100A LT 2010100 A LT2010100 A LT 2010100A LT 2010100 A LT2010100 A LT 2010100A
Authority
LT
Lithuania
Prior art keywords
membrane
hydrogen
atoms
plasma
water
Prior art date
Application number
LT2010100A
Other languages
English (en)
Other versions
LT5852B (lt
Inventor
Liudvikas PRANEVIČIUS
Liudas Pranevičius
Darius Milčius
Original Assignee
Vytauto Didžiojo universitetas
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vytauto Didžiojo universitetas filed Critical Vytauto Didžiojo universitetas
Priority to LT2010100A priority Critical patent/LT5852B/lt
Publication of LT2010100A publication Critical patent/LT2010100A/lt
Publication of LT5852B publication Critical patent/LT5852B/lt

Links

Landscapes

  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)

Abstract

Išradimas skirtas vandenilio energetikos technologijoms ir konkrečiai, vandenilio gavybos iš vandens būdui. Šio išradimo būdas skiriasi tuo, kad vandens molekulių skaldymas vyksta plazminės joninės implantacijos būdu. Tai pasiekiama formuojant plazmą vandens garų ir inertinių dujų (Ar ar He) mišinyje prie 1-5 Pa slėgio, iš kurios, suteikiant membranai impulsinį neigiamą potencialą (500-1000 eV) plazmos potencialo atžvilgiu, ištraukiami, greitinami ir nukreipiami į membraną molekuliniai jonai, savo sudėtyje turintys vandenilio atomus. Molekuliniai jonai skyla membranos paviršiniame sluoksnyje, kurio storis neviršija 10 nm, į juos sudarančius atomus ir lokalizuojasi gardelės tarpmazgiuose. Dėl skirtingų vandenilio ir deguonies atomų difuzijos koeficientų membranos medžiagoje vyksta jų erdvinis atskyrimas, deguonies atomai kaupiasi membranos paviršiuje, o vandenilio atomai juda išilgai visos membranos ir ją palieka kitoje jos pusėje, sudarydami vandenilio molekules.
LT2010100A 2010-11-12 2010-11-12 Vandenilio išskyrimo iš vandens garų būdas LT5852B (lt)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
LT2010100A LT5852B (lt) 2010-11-12 2010-11-12 Vandenilio išskyrimo iš vandens garų būdas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
LT2010100A LT5852B (lt) 2010-11-12 2010-11-12 Vandenilio išskyrimo iš vandens garų būdas

Publications (2)

Publication Number Publication Date
LT2010100A true LT2010100A (lt) 2012-05-25
LT5852B LT5852B (lt) 2012-07-25

Family

ID=46087392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
LT2010100A LT5852B (lt) 2010-11-12 2010-11-12 Vandenilio išskyrimo iš vandens garų būdas

Country Status (1)

Country Link
LT (1) LT5852B (lt)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7384619B2 (en) 2003-06-30 2008-06-10 Bar-Gadda, Llc Method for generating hydrogen from water or steam in a plasma
US20090308729A1 (en) 2008-06-13 2009-12-17 Gallimore Alec D Hydrogen production from water using a plasma source

Also Published As

Publication number Publication date
LT5852B (lt) 2012-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SG196762A1 (en) High pressure, high power plasma activated conformal film deposition
WO2009117624A3 (en) Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using
WO2013062831A3 (en) Process chamber for etching low k and other dielectric films
WO2011028349A3 (en) Remote hydrogen plasma source of silicon containing film deposition
WO2012125654A3 (en) Methods for etch of metal and metal-oxide films
WO2012125656A3 (en) Methods for etch of sin films
WO2010124271A3 (en) Thin film deposition via charged particle-depleted plasma achieved by magnetic confinement
JP2013157601A5 (lt)
FR2981368B1 (fr) Procede de generation d'hydrogene et d'oxygene par electrolyse de vapeur d'eau
WO2014110446A3 (en) Method and system for graphene formation
WO2010095901A3 (en) Method for forming thin film using radicals generated by plasma
WO2013015559A3 (ko) 그래핀의 원자층 식각 방법
WO2009150352A3 (fr) Procede de production de composes du type cxhyo2 par reduction de dioxyde de carbone (co2) et/ou de monoxyde de carbone (co)
MX356022B (es) Dispositivos multicapas para disociacion de agua.
WO2008052705A8 (en) Method for forming a film with a graded bandgap by deposition of an amorphous material from a plasma
EA201500839A1 (ru) Способ обработки стеклянного материала пучком однозарядных и многозарядных ионов газа для получения антиотражающего стеклянного материала
MY147667A (en) Selective etching of silicon dioxide compositions
TW200943398A (en) Novel treatment and system for mask surface chemical reduction
WO2009155446A3 (en) Ion source cleaning method and apparatus
WO2013124394A3 (de) Verfahren zum herstellen einer solarzelle
JP2012216794A5 (ja) 酸化物半導体膜の形成方法
WO2011163037A3 (en) Plasma-enhanced chemical vapor deposition of crystalline germanium
WO2006083778A3 (en) Selective plasma re-oxidation process using pulsed rf source power
EP2390381A3 (en) Method of producing coated member
PH12013502672B1 (en) Method and apparatus for surface treatment of materials utilizing multiple combined energy sources

Legal Events

Date Code Title Description
MM9A Lapsed patents

Effective date: 20121112