KR980010509A - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents
Liquid crystal display device and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR980010509A KR980010509A KR1019960030258A KR19960030258A KR980010509A KR 980010509 A KR980010509 A KR 980010509A KR 1019960030258 A KR1019960030258 A KR 1019960030258A KR 19960030258 A KR19960030258 A KR 19960030258A KR 980010509 A KR980010509 A KR 980010509A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- crystal display
- protective film
- display device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판에 각각 형성되어 있는 보호막에 배향골이 배향되어 있는 액정 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a liquid crystal display device in which oriented bones are oriented in a protective film formed on a thin film transistor substrate and a color filter substrate, respectively, and a manufacturing method thereof.
제1기판에 박막 트랜지스터, 화소 전극 및 제1보호막을 형성하고 제1보호막의 표면을 식각하여 배향골을 형성하고 제2기판 위에 컬러 필터, 공통 전극 및 제2보호막을 형성하고 제2보호막의 표면을 식각하여 배향골을 형성한다.A thin film transistor, a pixel electrode, and a first protective film are formed on a first substrate, the surface of the first protective film is etched to form an oriented film, a color filter, a common electrode, and a second protective film are formed on the second substrate, To form oriented bones.
따라서 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제조 공정에서 마스크를 이응하여 배향 구조를 형성함으로써 보다 미세하게 배향골의 피치를 형성할 수 있어 화면이 대비비를 향상시킬 수 있고 러빙 공정을 생략함으로써 배향 공정에 따른 오염과 불량률을 줄임으로써 공정 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, the liquid crystal display device according to the present invention can form the alignment structure by forming the alignment structure in accordance with the mask in the manufacturing process, so that the pitch of the alignment bones can be formed finer and the contrast ratio of the screen can be improved. By omitting the rubbing process, It is possible to improve the process yield by reducing the contamination and the defective ratio.
Description
제1도는 종래 기술에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structure of a thin film transistor substrate in a liquid crystal display according to a related art.
제2도는 종래 기술에 따른 액정 표시 장치에서 컬러 펄터 기판의 구조를 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of a color filter substrate in a liquid crystal display device according to the related art.
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 채널부를 도시한 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a channel portion of a thin film transistor substrate in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 화소부를 도시한 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a pixel portion of a thin film transistor substrate in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
제5도는 본 발명이 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 컬러 필터 구조를 도시한 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view showing a structure of a color filter in a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판에 각각 형성되어 있는 보호막에 배향 골이 배향되어 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a liquid crystal display device in which oriented bones are oriented in a protective film formed on a thin film transistor substrate and a color filter substrate, respectively, and a manufacturing method thereof.
첨부한 도면을 참고로 하여 종래의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.The conventional liquid crystal display and its manufacturing method will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
제1도는 종래 기술에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structure of a thin film transistor substrate in a liquid crystal display according to a related art.
제1도에서 보는 바와 같이, 종래 기술에 따른 박막 트랜지스터의 구조는 제1기판(1) 일부 위에 게이트 전극(2) 및 게이트 전극(2) 위에 양극 산화막(3)이 차례로 형성되어있다. 기판(1) 상부에 게이트 전극(2)및 양극 산화막(3)을 덮는 게이트 절연막(4)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 1, in the structure of a thin film transistor according to the related art, a gate electrode 2 and an anodic oxide film 3 are sequentially formed on a gate electrode 2 and a part of a first substrate 1. A gate insulating film 4 is formed on the substrate 1 so as to cover the gate electrode 2 and the anodic oxide film 3.
그리고 게이트 절연막(4)상부에 게이트 전극(2)과 대응하는 폭보다 넓은 폭으로 반도체층(5)이 형성되어있고, 반도체층(5) 위에 반도체층(5)과 동일한 폭을 가지면서 중앙부에는 형성되어 있지 않은 콘택층(6)이 형성되어 있다.A semiconductor layer 5 is formed on the gate insulating film 4 at a width wider than the width corresponding to the gate electrode 2. The semiconductor layer 5 has the same width as the semiconductor layer 5, A contact layer 6 which is not formed is formed.
그리고, 중앙부에서는 콘택층(6)과 동일한 폭을 가지면서 양쪽 외부로는 두 부분의 콘택층(5)보다 넓은폭으로 두 개의 전극(7,8)이 형성되어 있는데, 두 전극(7,8) 중 하나는 소스 전극(7)이고 다른 하나는 드레이 전극(8)이다.In the central portion, two electrodes 7, 8 are formed on both sides of the contact layer 6, which are the same width as the contact layer 6, and are wider than the two contact layers 5. ) Is the source electrode 7 and the other is the drain electrode 8.
그리고 기판(1) 상부에 두 전극(7,8) 중 드레인 전극(8)위에 개구부를 갖는 보호막(9)이 형성되어 있고 개구부를 통하여 드레인 전극(8) 접촉하며 보호막(9)의 일부 위에 ITO막으로 이루어진 화소 전극(10)이 형성되어 있다.A protective film 9 is formed on the substrate 1 and has an opening on the drain electrode 8 of the two electrodes 7 and 8. The drain electrode 8 is in contact with the opening through the opening, A pixel electrode 10 made of a film is formed.
이러한 종래의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 1. 게이트 전극(2)을 형성하는 단계, 2. 게이트 전극(2) 위에 양극 산화막(3)을 형성하는 단계, 3. 게이트 절연막(4)을 형성하고 반도체층(5)을 형성하는 단계. 4. 콘택층(6)을 형성하는 단계, 5. 소스/드레인 전극(7,8)을 형성하는 단계, 6. 보호막(9)을 형성하는 단계, 7. ITO를 이용하여 화소 전극(10)을 형성하는 단계를 통하여 이루어진다.The conventional method of manufacturing the thin film transistor substrate includes the steps of: 1. forming the gate electrode 2; 2. forming the anodic oxide film 3 on the gate electrode 2; 3. forming the gate insulating film 4 Forming a semiconductor layer (5). 4. Formation of the contact layer 6, 5. Formation of the source / drain electrodes 7 and 8, 6. Formation of the protective film 9. 7. Formation of the pixel electrode 10 using ITO, .
제2도는 종래 기술에 따른 액정 표시 장치에서 컬러 필터 기판의 구조를 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of a color filter substrate in a liquid crystal display device according to the related art.
제2도에서 보는 바와 같이, 박막 트렌지스터 기판(1)의 화소 전극(10)에 대응하는 제2기판(11)위에 일정한 가격으로 블랙 매트릭스(12)가 형성되어 있고 블랙 매트릭스(12)사이에 R, G, B의 컬러 필터(13)가 형성되어 있다.2, the black matrix 12 is formed on the second substrate 11 corresponding to the pixel electrode 10 of the thin film transistor substrate 1 at a predetermined price, and R , G, and B color filters 13 are formed.
그리고 제2기판(11)위에 블랙 매트릭스(12) 및 컬러 필터(13)를 덮는 보호막(14)이 형성되어 있고 보호막(14) 위에 공통 전극(15)이 형성되어 있다.A protective film 14 covering the black matrix 12 and the color filter 13 is formed on the second substrate 11 and a common electrode 15 is formed on the protective film 14.
이러한 컬러 필터 기판의 제조 방법은 1. 제2기판(11)위에 블랙 매트릭스(12)를 형성하는 단계 2. R, G,B의 컬러 필터(13)를 형성하는 단계, 3. 보호막(14)을 형성하는 단계, 4. 공통 전극(15)을 형성하는 단계를 통하여 이루어진다.The method of manufacturing such a color filter substrate includes the steps of: forming a black matrix 12 on a second substrate 11; forming color filters 13 of R, G and B; (4) forming the common electrode (15).
앞에서 설명한 바와 같이 TFT 공정이 완성되면 두 기판(1,11)은 액정 공정으로 넘어가 세정하는 단계를 거친 후에 폴리이미드(polyimide)로 이루어진 배향막을 두 기판(1,11)이에 증착한 다음, 러빙(rubbing)천이 감겨진 롤러(roller) 회전시켜 러빙 천의 골을 따라 배향막의 표면에 배향 구조를 형성한다. 이어 두 기관(1,11)을 열압착 공정을 통하여 결합시키고 액정을 주입하여 액정 표시 장치를 완성한다.As described above, when the TFT process is completed, the two substrates 1 and 11 are transferred to a liquid crystal process and cleaned. After that, an alignment film made of polyimide is deposited on the two substrates 1 and 11, rubbing is carried out to form an alignment structure on the surface of the alignment film along the ribs of the rubbing cloth. Then, the two organs (1, 11) are bonded through a thermocompression process and liquid crystal is injected to complete a liquid crystal display device.
이러한 종래의 액정 표시 장치에서는 두 기판에 러빙 공정을 통하여 배향막에 형성되어 있는 배향 구조에 따라 주입된 액정분자가 배향된다. 그러나, 이러한 종래의 액정 표시 장치는 롤러에 부착되어 있는 러빙천 각 피치(pitch)간 거리는 수십 ㎛정도이므로 여러 번의 공정을 반복함에 따라 유의 차가 발생하고 임자에 의한 배향막의 손상이 발상하여 많은 불량이 유발되고 러빙하는 매향 공정을 실시함에 따라 공정 수율이 떨어지는 문제점을 가지고 있다.In such a conventional liquid crystal display device, the injected liquid crystal molecules are aligned in accordance with the alignment structure formed in the alignment film through the rubbing process on the two substrates. However, in such a conventional liquid crystal display device, since the distance between the rubbing angle pitches attached to the rollers is about several tens of micrometers, a significant difference is generated as a result of repeating a number of processes, and damage to the orientation film There is a problem in that the yield of the process is lowered due to the occurrence of the rubbing and rubbing process.
본 발명의 목적은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 여러 번 반복하는 공정에 따른 유의차를 없애고 입자에 의한 손상을 방지하고 러빙하는 단계를 생략하는 데에 있다.It is an object of the present invention to eliminate the significant difference in the process of repeating several times and to avoid the step of preventing damage by the particles and rubbing.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 화소 전극 및 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며 상기 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 보호하는 보호막 표면에 배향 골이 형성되어 있는 제1기판, 상기 제1기판과 마주하고 컬러 펄터 및 공통 전극이 형성되어 있으며 상시 공통 진극 및 컬러 필터를 보호하는 보호막 표면에 배향 골이 형성되어 있는 제2기판을 포함하고 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including a first substrate having a pixel electrode and a thin film transistor formed thereon, an alignment layer formed on a surface of a protective film for protecting the thin film transistor and the pixel electrode, And a second substrate on which a color filter and a common electrode are formed and on which an alignment layer is formed on a protective film surface that protects the common common electrode and the color filter at all times.
이러한 목적을 달성하기 위한 액정 표시 장치의 제조 방법은, 제1기판에 박막 트랜지스터, 화소 전극 및 제1보호막을 형성하는 단계, 상기 제1보호막의 표면을 식각하여 배향 골을 형상하는 단계, 제2기판 위에 컬러 필터, 공통 전극 및 제2보호막을 형성하는 단계, 상기 제2보호막의 표면을 식각하여 배향 골을 형성하는 단계를 포함하고 있다.A method of manufacturing a liquid crystal display device for achieving such a purpose includes the steps of forming a thin film transistor, a pixel electrode, and a first protective film on a first substrate, etching the surface of the first protective film to form an oriented valley, Forming a color filter, a common electrode and a second protective film on the substrate, and etching the surface of the second protective film to form an oriented valley.
본 발명에 따른 이러한 액정 표시 장치에서는 제1기판과 제2기판 사이에 액정을 주입하면 액정 분자가 제1,제2보호막에 배향되어 있는 배향 구조에 따라 배향된다.In this liquid crystal display device according to the present invention, when liquid crystal is injected between the first substrate and the second substrate, the liquid crystal molecules are aligned in accordance with the alignment structure oriented in the first and second protective films.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 한 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 채널부를 도시한 단면도이고, 제4도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 화소부를 도시한 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a channel portion of a thin film transistor substrate in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a pixel portion of the thin film transistor substrate in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
제3도에서 보는 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터에서 채널부의 단면도는 제1도의 종래 기술에 따를 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 단면도와 동일하지만 소스/드레인 전극(70,80)을 덮은 보호막(90)의 표면에는 일정한 방향으로 배향 골이 형성되어 있고, 보호막(90) 위에 형성되어 있으며 보호막(90)의 개구부를 통하여 드레인 전극(80)과 접촉하고 있는 화소 전극(100)의 표면에는 보호막(90)의 배향 골에 따른 배향 골이 형성되어 있다.As shown in FIG. 3, the cross-sectional view of the channel portion in the TFT of the liquid crystal display according to the embodiment of the present invention is the same as the cross-sectional view of the thin film transistor substrate of the liquid crystal display according to the prior art of FIG. The pixel electrode 70 is formed on the protective film 90 and is in contact with the drain electrode 80 through the opening of the protective film 90. The protective film 90 is formed on the surface of the protective film 90, 100 are formed with oriented grooves along the oriented grooves of the protective film 90.
제4도는 박막 트린지스터의 화소부를 나타낸 것으로서, 기판(10)위 두 부분에 유지 용량용 전극(20')이 형성되어 있고 각각의 유지 용량용 전극(20')위에 양극 산화막(30)이 형성되어 있다. 유지 용량용 전극(20') 및 양극 산화막(30')을 덮는 게이트 절연막(4O)이 형성되어 있고 게이트 절연막(40) 상부에는 표면에 일정한 방향으로 배향 골이 이루어져 있는 보호막(90)이 형성되어 있다. 두 유지 용량용 전극(20') 사이에 대응하는 보호막(90) 상부에 보호막(90)의 배향 구조에 따라 배향 골이 이루어져 있는 화소 진극(100)이 형성되어 있다.4 shows a pixel portion of the thin film trimming gypsum panel in which a storage capacitor electrode 20 'is formed on two portions of the substrate 10 and an anodic oxide film 30 is formed on each storage capacitor electrode 20' . A protective insulating film 40 covering the electrode 20 'for holding capacitance and the anodic oxide film 30' is formed and a protective film 90 is formed on the surface of the gate insulating film 40, have. A pixel electrode 100 is formed on the protection film 90 corresponding to the between the two electrodes for holding capacitance 20 ', in which the alignment film is formed in accordance with the alignment structure of the protection film 90.
이러한 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 1. 기판(10) 게이트 전극(20)을 형성하는 단계, 2. 게이트 전극(20)위에 양극 산화막(30)을 형성하는 단계, 3. 게이트 절연막(40) 형성하고 반도체층 (50)을 형성하는 단계, 4. 콘택층(60)을 형성하는 단계, 5. 소스/드레인 전극(70,80)을 형성하는 단계, 6. 보The method of manufacturing a thin film transistor substrate according to the present invention includes the steps of: 1. forming a gate electrode 20 on a substrate 10; 2. forming an anodic oxide film 30 on a gate electrode 20; (40) and forming a semiconductor layer (50); 4. forming a contact layer (60); 5. forming a source / drain electrode (70,80)
호막(90)을 형성하는 단계는 종래의 기술과 동일하나, 보호막(90)을 형성한 이후에 배향 구조가 형성되어 있는 마스크를 이용하여 보호막(90)의 표면에 배향 골을 형성한다.The step of forming the excitation film 90 is the same as that of the conventional art, but after forming the protective film 90, the oriented film is formed on the surface of the protective film 90 by using the mask having the oriented structure.
다음, 화소 전극(100)을 형성한다 여기서 배향 구조 마스크는 배향 골을 만들 수 있도록 하고 이렇게 마스크를 이용하여 배향 골을 형성할 경우에는 식각을 통하여 이루어지기 때문에 식각 시간을 조절하여 배향 골의 깊이와 배향 골 간격을 원하는 데로 조절할 수 있다.Next, the pixel electrode 100 is formed. In this case, the alignment structure mask can be used to make an alignment score. When the alignment score is formed using the mask, the alignment mask is etched. Therefore, The orientation bone interval can be adjusted as desired.
현재 사용 중인 폴리아미드로 이루어진 배향막에서 배향 구조의 피치는 앞에서 설명한 바와 같이 수십㎛이지만 마스크를 이용하는 경우에는 5m 이내로 줄일 수 있는 미세한 패터닝도 가능해진다.The pitch of the alignment structure in the alignment layer made of polyamide being used at present is several tens of micrometers as described above, but it is also possible to perform fine patterning which can be reduced to 5m or less when using a mask.
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 컬러 필터 구조를 도시한 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a structure of a color filter in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
제5도의 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 컬러 필터 기판의 구조는 제2도에서 도시한 종래 액정 표시장치의 컬러 필터 기판의 구조와 동일하나 블랙 매트릭스(120)와 컬러 필터(130)를 덮는 보호막(140)의 표면에 배향 골이 형성되어 있고 보호막(140)을 덮는 공통 전극(150)은 보호막(140)의 배향 구조에 따라 배향 골이 형성되어 있다.The structure of the color filter substrate of the liquid crystal display device according to the present invention shown in FIG. 5 is the same as the structure of the color filter substrate of the conventional liquid crystal display device shown in FIG. 2, An alignment layer is formed on the surface of the protection layer 140 and an alignment layer is formed on the common electrode 150 covering the protection layer 140 according to the alignment structure of the protection layer 140.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 컬러 필터 기판의 제조 방법은 1. 제2기판(110) 위에 블랙 매트릭스(120)를 형성하는 단계, 2. R, G, B의 컬러 필터(130)를 형성하는 단계, 3. 보호막(140)을 형성하는 단계는 종래의 기술과 동일하다. 그러나 보호막(140)을 형성한 이후에 배향 구조가 형성되어 있는 마스크를 이용하여 보호막(140)의 표며넹 배향 골을 형성한다. 다음, 공통 전극(150)을 형성한다.A method of manufacturing a color filter substrate of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes the steps of: 1. forming a black matrix 120 on a second substrate 110, 2. forming color filters 130 of R, G, 3. The step of forming the protective film 140 is the same as the conventional technique. However, after the protective film 140 is formed, the mask having the oriented structure is used to form the aligned oriented marks of the protective film 140. Next, the common electrode 150 is formed.
여기서 박막 트랜지스터 기판(10)과 컬러 필터 기판(110)에서 배향 구조를 형성하기 위해 사용되는 식각액은 BOE, BHF 등을 50 : 1∼200 : 1로 희석하여 사용한다.Here, BOE, BHF, etc. are diluted to 50: 1 to 200: 1 by using the etching solution used for forming the alignment structure in the thin film transistor substrate 10 and the color filter substrate 110.
이렇게 박막 트랜지스터 기판(10)과 컬러 필터 기판(110)을 완성하고 두 기판(10,110)을 열압착 공정을 통하여 결합하고 두 기판(10,110) 사이에 액정을 주입한다.The thin film transistor substrate 10 and the color filter substrate 110 are completed and the two substrates 10 and 110 are bonded through a thermocompression bonding process and the liquid crystal is injected between the two substrates 10 and 110.
그러면 액정 분자는 보호막(90,140), 공통 전극(150) 및 화소 전극(100)에 형성되어 있는 배향 구조에 다라 배향된다.Then, the liquid crystal molecules are oriented according to the alignment structure formed in the protective films 90 and 140, the common electrode 150, and the pixel electrode 100.
따라서 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제조 공정에서 마스크를 이용하여 배향 구조를 형성함으로써 보다 미세하게 배향 골의 피치를 형성할 수 있어 화면의 대비비를 향상시킬 수 있고 러빙 공정을 생략함으로써 배향 공정에 따른 오염과 불량률을 줄임으로써 공정 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Accordingly, the liquid crystal display device according to the present invention can form the alignment structure using the mask in the manufacturing process, so that the pitch of the alignment bones can be finer and the contrast ratio of the screen can be improved. By omitting the rubbing process, It is possible to improve the process yield by reducing the contamination and the defective ratio.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960030258A KR980010509A (en) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960030258A KR980010509A (en) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980010509A true KR980010509A (en) | 1998-04-30 |
Family
ID=66249875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960030258A KR980010509A (en) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980010509A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100704510B1 (en) * | 2001-02-12 | 2007-04-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Array Panel used for In-Plane Switching mode Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| KR100710151B1 (en) * | 2000-12-30 | 2007-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Thin Film Transistor Liquid Crystal Display Panel |
-
1996
- 1996-07-25 KR KR1019960030258A patent/KR980010509A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100710151B1 (en) * | 2000-12-30 | 2007-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Thin Film Transistor Liquid Crystal Display Panel |
| KR100704510B1 (en) * | 2001-02-12 | 2007-04-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Array Panel used for In-Plane Switching mode Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100303134B1 (en) | Lcd and fabricating method for fabricating the same | |
| KR100220854B1 (en) | Thin-film transistor substrate and its manufacturing method of liquid crystal display device | |
| KR100212284B1 (en) | Channel protection type thin film transistor substrate | |
| KR100290238B1 (en) | Method for manufacturing active addressing substrate and liquid crystal display device having the substrate | |
| JP3375966B2 (en) | Display element and method of manufacturing the same | |
| JP3269787B2 (en) | Liquid crystal display | |
| US20100296034A1 (en) | Color filter plate and thin film transistor plate for liquid crystal display, and methods for fabricating the plates | |
| JP4667505B2 (en) | Display panel substrate, display panel including the substrate, display panel substrate manufacturing method, and display panel manufacturing method | |
| KR101246570B1 (en) | Method for fabricating liquid crystal display device | |
| US9046714B2 (en) | Thin film transistor substrate and method for fabricating the same | |
| KR101167312B1 (en) | Method of forming fine pattern, liquid crystal display using the same, and fabricating method thereof | |
| KR0182877B1 (en) | Structure of liquid crystal display device and its manufacturing method | |
| KR100556345B1 (en) | A method of manufacturing in-plane switching mode liquid crystal display device | |
| US6359666B1 (en) | TFT-type LCD and method of making with pixel electrodes and bus lines having two layers | |
| JPH10111518A (en) | Active matrix substrate and its production | |
| KR100679516B1 (en) | Liquid crystal display and fabricating method of the same | |
| KR100922271B1 (en) | Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same | |
| US8040477B2 (en) | Array substrate, liquid crystal display panel, and method of manufacturing the same | |
| KR101182570B1 (en) | Method of repairing short defect and method of fabricating liquid crystal display | |
| JPH08262444A (en) | Liquid crystal display device | |
| KR100538293B1 (en) | Method of manufacturing flat drive liquid crystal display | |
| KR980010509A (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
| KR100649915B1 (en) | Lcd device having a smaller level difference | |
| KR20010005224A (en) | a vertically-aligned liquid crystal display and a manufacturing method thereof | |
| KR100422501B1 (en) | vertically-aligned liquid crystal display |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |