KR980009507A - 가스 여기 장치 - Google Patents

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KR980009507A
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KR1019970029017A
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신드징르 띠에리
라비아 스테팡
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띠에르 쉬에르
레르 리뀌드, 소시에떼 아노님 뿌르 레뛰드 에렉스쁠로와따시옹 데 프로세데 죠르쥬 끌로드
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Abstract

본 발명의 여기 장치는 특히 표면 처리 가스용 여기 장치로서, 제1가스 공급원(36)과 연통하는 가스 유입 통로(28) 및 여기된 가스의 배출 통로(30)가 마련되어 있는 가스 여기 챔버(20)를 구비한다. 본 여기 장치는 제1가스 공급원(36)과 상기 유입 통로(28) 사이의 가스 통로에 마련된 벤튜리-효과 압축부(34)를 구비한다. 본 여기 장치는 또한 상기 압축부(34)의 하류 구역과 연통하는 적어도 하나의 제2가스 공급원(32)을 포함하고, 상기 제2가스 공급원(32)에 의해 공급되는 가스는 벤튜리 효과에 의해서 상기 여기 챔버(20)로 흡입된다.

Description

가스 여기 장치
본 발명은 여기되거나 불안정한 가스 분자의 형성을 위한 가스 여기용 장치에 관한 것으로서, 특히 표면 처리 분야 또는 선택적으로 유출 가스 처리(정화) 분야에서 사용되는 가스를 여기시키기 위한 구성에 관한 것이다.
제1가스 공급원과 연통하는 가스 유입 통로 및 여기된 가스의 배출 통로가 마련되어 있는 가스 여기 챔버를 구비한 형태의 가스 여기 장치가 선행 기술에 공지되어 있다.
상기 형태의 여기 장치는 주위 온도에 가까운 온도에서 작동하는 중에 전기적 에너지로부터 화학적 및 열 에너지를 가스에 전달할 수 있다.
작동 중에, 상기 장치는 화학적으로 활성화된 분자들을 그것들이 사용되는 구역으로 빠르게 전송하는 것(표면 처리의 예를 고려할 때, 상기 장치로의 가스의 유입과 상기 여기된 분자의 처리하려는 표면에의 도착과의 사이의 "비행" 시간을 최소화하는 것)을 보장하기 위해 많은 가스의 소비를 필요로 한다.
이러한 많은 가스의 소비는 상기 형태의 장치의 경제적 이점을 상당히 저하시킨다. 예를 들면, 가스 소비의 과비용이 항상 허용될 수 없는 자동차 산업 또는 유리 산업의 경우에서와 같이 대량 생산 제품의 처리에 상기 형태의 처리 공정을 적용하기는 분명히 곤란하다.
본 발명의 목적은 상기 단점을 극복하여 적은 가스 소비를 나타내고, 또한 가스 여기 챔버의 상류에 추가의 가스 혼합물이 흡입될 수 있도록 하는 가스 여기 장치를 제공하는 것이다.
그러므로, 본 발명의 주제는 전술한 형태의 가스 여기 장치에 있어서, 상기 장치가 제1가스 공급원과 가스 유입 통로 사이의 가스 통로에 마련되어 있는 벤튜리-효과 압축부를 포함하고, 상기 압축부의 하류 구역과 연통하는 적어도 하나의 제2가스 공급원을 추가로 포함하며, 상기 제2가스 공급원에 의해 공급되는 가스가 제1가스 공급원에 의해서 전송된 가스의 영향 하에서 벤튜리-효과에 의해 상기 여기 챔버로 흡입되는 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치이다.
특히, 상기 형태의 장치는 다음의 상황에 대처할 수 있는 것이 확실하다: - 경제적인 가스 소비 조건 하에서의 대상물의 표면 처리: 이러한 목적을 위해, 표면 처리를 수행하는 데에 사용된 여기 처리 가스를 제2가스 공급원으로 사용하는 것이 고려될 수 있다(여기 장치 내부의 0제 1가스의 변환으로 생성된 제2가스는 유입 통로로 재순환된다). - 유출 가스의 처리(정화): 이 경우, 제2가스 공급원은 재사용의 목적으로 가스 배출 통로를 통해 가스 여기 장치로부터 배출되거나 기타의 이유로 외부로 배출되기 이전에 재처리를 위해 제1가스에 의해 여기 챔버로 흡입되는 유출 가스로 구성된다.
본 발명에 따르면, 상기와 같은 방식으로 재처리하려는 유출 가스는 그러한 형태의 유출물을 생성하는 매우 다양한 작업에서 발생된 것일 수 있다.
제한하려는 의도가 전혀 없이 예시를 위한 것으로, 금속 납땜노, 금속 또는 세라믹의 열처리 작업을 수행하는 노, 납땜 이음을 하는 금속 합금에 추가하여 용매 및 그밖의 습윤을 촉진하는 수지질의 화학 플럭스를 함유하는 납땜 페이스트(paste)를 사용하여 전기 회로상에 구성 요소들을 납땜하는 작업인 "리플로우 납땜(reflow soldering)"으로 지칭되는작업을 수행하는 연속노의 경우를 언급할 수 있다. 노 내부의 분위기에 있어서, 분위기 가스를 외부로 배출하기 이전에 제거하든지 가스를 재사용하기 위해 그것을 재순환시키려고 제거하든지에 상관없이 제거될 수 있는 것이 바람직한 용매와 다른 유기 성분이 온도의 상승에 의해 상당하게 방출된다.
본 발명은 또한 다음의 특징들 중의 하나 이상을 포함한다: - 상기 여기 장치는 여기 챔버 및 상기 벤튜리-효과 압축부의 하류 구역의 하류에 배치되어 폐쇄 공간과 접속되는 가스 재순환 채널을 포함하고, 상기 제2가스 공급원은 상기 폐쇄 공간에 의해 형성된다; - 상기 제2가스 공급원은 가스 유입 채널에 의해 상기 벤튜리-효과 압축부의 하류 구역에 접속되는 추가의 가스 공급원으로 구성되고, 상기 추가의 가스는 예컨대 여기 후에 표면 처리 가스를 형성하거나 장치 내에서 (유출 가스를) 정화하기 위해 상기 여기 챔버의 상류에서 상기 제1가스 공급원에 의해 공급되는 가스와 혼합되기 위한 것이다; - 제1가스 공급원은 불활성 가스 공급원으로 구성되고, 상기 제2공급원은 활성 가스 공급원으로 구성된다; - 상기 여기 장치는 모두 고주파 AC 고전압원에 연결되고 서로 동축상으로 배치되어 상기 가스 여기 챔버를 한정하는, 원통형 형태의 제1내부 여기 전극 및 상기 가스 유입 및 배출 통로를 형성하는 실질적으로 대향된 종방향 슬롯이 마련되어 있는 원통형 형태의 제2외부 여기 전극, 상기 전극 중의 적어도 하나의 다른 전극과 대향하는 표면에 배치되는 유전재(dielectric material) 층을 구비한다; - 상기 여기 장치는 상기 제1 및 제2공급원 중의 적어도 하나의 배출구에 배치되어 상기 여기 챔버로 공급되는 가스를 균일하게 분배하는 적어도 하나의 균질화 챔버를 포함한다; - 상기 여기 장치는 제1가스 공급원과 연결되는 제1단부와 폐쇄된 대향 단부가 마련되어 있고, 종방향 슬롯을 포함하는 제1내부 실린더와, 상기 제1실린더와 동축상으로 배치되고, 폐쇄된 대향 단부 구역가 마련되어 있으며, 상기 가스 유입 통로와 연통하고 상기 제1실린더에 형성된 슬롯으로부터 반대쪽으로 연장되는 종방향 가스 분배 슬롯을 포함하는 제2외부 실린더를 구비하여, 상기 여기 챔버로 공급되는 가스를 균일하게 분배하는 가스 공급관을 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징과 장점은 첨부 도면을 참고로 단지 예로서 주어지는 이후의 설명으로부터 잘 나타날 것이다.
제1도는 본 발명에 따른 여기 장치의 개략적인 횡단면도.
제2도는 제1가스 공급원에 의해서 공급되는 가스의 유속의 함수로서 여기 챔버의 배출구에서 측정되는 가스 유속을 나타내는 그래프.
제3도는 다른 실시예에 따른 여기 장치의 개략적인 횡단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
12 : 처리 대상물 14, 18 : 여기 전극
16 : 유전재(dielectric material) 층 20 : 여기 챔버
22 : 금속 블록 24, 26 : 금속 블록의 상보적 부분
28 : 가스 유입 통로 30 : 가스 배출 통로
32 : 폐쇄 공간 34 : 벤튜리-효과 압축부
36 : 가스 공급관 38 : 제1내부 실린더
40 : 제2외부 실린더 42 : 케이싱
44, 46 : 개구부 48 : 가스 유입 채널
49 : 고주파 AC 고전압원
제1도는 전체를 부호 10으로 지시한 본 발명에 따른 여기 장치를 나타낸다.
예를 들면, 본 명세서에서 예시된 실시예는 제1가스 공급원에 의해서 공급되는 가스를 여기시켜 대상물(12)의 표면 처리를 수행하기 위한 것이다.
제1도는 상기 여기 장치가 원통형 형태의 제1내부 여기 전극(14)을 구비하는 것을 나타내는데, 상기 제 1내부 전극은 외부적으로 유전재 층(16)으로 코팅되고, 원통형 형태의 제2외부 여기 전극(18) 내부에 배치된다. 상기 두 여기 전극(14, 18)은 그것들 사이에 가스 여기 챔버(20)를 한정하고 서로 동축상으로 배열된다.
상기 제2외부 전극은 상호 이격되고 대향하여 배치되는 2개의 상보적 부분(24, 26)의 조립체로 이루어진 종방향 금속 블록(22)의 내부면에 의해 형성된다.
상기 2개의 상보적 부분(24, 26)은 여기 챔버(20) 속으로의 가스의 유입을 위한 통로(28) 및 표면 처리될 대상물(12)이 배치되는 폐쇄 공간(12)과 연통하는 가스 배출 통로(30)의 2개의 통로(28, 30)에 의해 각각 상호 분리된다.
제1도는 또한 금속 블록(22)이 상기 여기 챔버(20)의 유입 통로(28) 앞에 배치되고 제1가스 공급원과 연결된 가스 공급관(36)과 연통하는 종방향 슬롯(34)이 마련되어 있는 케이지(33)내에 배치되는 것을 나타낸다.
상기 압축부(34)(본 명세서에서는 대표적으로 슬롯의 형태로 나타냄)의 너비는 유입 통로(28)의 너비보다 실질적으로 작아야 작용적이다. 상기 두 너비 사이의 비율은 1과 3 사이가 바람직하게 사용된다.
상기 가스 공급관(36)은 제1내부 실린더(38)를 포함하는데, 상기 제1내부 실린더(38)는 상기 장치의 다른 부분과 동축상이고 케이싱(42)의 원통형 내부 벽을 구성하는 제2실린더(40)의 내부에 배치된다.
상기 케이싱(42)에는 제1실린더(38)의 축에 평행하게 연장되고 상기 케이지(33)의 종방향 슬롯(34)과 연통하는 종방향 슬롯(44)이 마련되어 있다.
또한, 상기 제1실린더(38)에는 개구부(44)와 평행하고 그것의 반대쪽에 배치되는 개구부(46)가 마련되어 있다.
상기 제1내부 실린더(38)에는 제1도의 평면 뒤에 위치하고 제1가스 공급원과 연통하는 제1단부 및 제1도의 평면 앞에 위치하고 폐쇄된 제2단부가 마련되어 있다.
상기 제2외부 실린더(40)의 2개의 대향 단부는 또한 폐쇄되어 있다.
추가로, 상기 케이지(33)의 상기 압축부(34)은 본 명세서에서 실질적으로 V-프로파일의 형상인데, 공지된 방식으로 가스 공급원에 의해서 여기 챔버(20)로 공급되는 가스의 속도를 증가시키며, 이에 상응하게 그 가스의 압력 감소(필연적으로 통로(28) 부근에서)를 유발한다.
상기 케이지(33)와 금속 블록(22)은 이격되어 가스 유입 채널(48)을 한정하고, 상기 가스 유입 채널(48)은 벤튜리-효과 압축부(34)의 하류에 있는 가스 유입 통로(28)와 폐쇄 공간(32) 사이에 연장되어 있다.
마지막으로, 제1도는 상기 장치가 내부 여기 전극(14) 및 외부 여기 전극(18)의 편극화를 위해 상기 전극들과 연결된 고주파 AC 고전압원(49)에 의해 완비되는 것을 나타낸다.
비록 본 발명을 전술한 바와 같이 특히 슬롯 형태의 벤튜리-효과 압축부에 의해 설명하였지만, 본 발명의 범위에서 벗어남이 없이 다른 구성도 실시될 수 있는데, 예를 들면 일련의 오리피스들은 규칙적으로 이격되거나 이격되지 않을 수 있고, 또는 정해진 조절된 간격을 가질 수도 있다.
제1도의 본 장치는 다음과 같이 작동한다.
상기 가스 공급원에 의해서 공급되는 가스는 수 바아(bar) 정도의 압력으로 공급된다. 상기 가스는 가스 공급관(36)의 제1실린더(38)속으로 흘러 들어간다. 그리고 상기 가스는 오리피스(46)를 통과하고 제1실린더(38)와 제2실린더(40)에 의해 한정된 공간 사이를 흐르고, 그후 상기 슬롯(34)으로 흘러들어 간다.
상기 가스는 상기 슬롯(34)과 상기 통로(28)로 흘러 여기 챔버(20)로 흘러들어 가고, 상기 여기 챔버에서 고주파 AC 전압원(49)에 의해 제공되는 상기 전극(16, 18)의 작용 하에서 공지의 방식으로 여기된다.
이런 방식으로 여기된 가스는 이어서, 예컨대 대상물(12)의 표면 처리를 위해 상기 배출 통로(30)를 통하여 유출된다.
전술한 바와 같이, 벤튜리-효과 압축부(34)의 영향하에서, 상기 가스는 이 압축부의 하류에서 압력이 감소된다.
이 압력 감소는 벤튜리 효과에 의해서 유입 채널(48)에 존재하는 가스의 여기 챔버(20)로의 유입을 유발하고, 이에 따라 폐쇄 공간(32)내에 존재하는 가스도 유입된다.
그러므로, 대상물(12)의 표면 처리 이후 상기 가스는 재순환되고, 그것의 재여기를 위해서 상기 여기 챔버(20)로 재유입되는 것이 확실하다.
그러므로, 상기 전술된 장치는 상기 폐쇄 공간(32)에 존재하는 안정한 가스가 제2공급원을 구성하기 때문에 표면 처리 가스를 상당히 절감할 수 있고, 상기 제2공급원이 전송하는 상기 가스는 제1가스 공급원에 의해서 전송된 가스와 혼합된다.
가스 공급관(36)을 통하여 유입된 가스의 유속의 함수로서 가스 배출 통로(30)의 배출구로 전송된 가스의 유속를 나타낸 그래프인 제2도는 예를 들면 배출구에서 30㎥(stp)/h인 가스의 유속를 얻기 위해서 유입구에서 단지 3㎥(stp)/h 내지 5㎥(stp)/h 의 가스만이 유입되는 것이 필요하기 때문에 전술된 장치가 가스를 상당히 절감할 수 있다는 것을 나타내고 있다.
제3도는 다른 실시예에 따른 가스 여기 장치를 나타낸다.
제1도를 참조로 하여 설명된 전술한 실시예에서와 같이, 본 실시예의 여기 장치는 제2여기 전극(52)과 동축상인 제1여기 전극(50)을 포함하되, 상기 제2여기 전극은 두 부분 금속 블록(54)의 내부벽으로 형성되고 가스 공급관(58)을 경유해서 제1가스 공급원과 연통하는 여기 챔버(56)를 한정한다.
전술한 바와같이, 상기 제1 및 제2여기 전극(50, 52)은 그것들 여기를 위해서 고주파 AC 고전압원에 연결된다.
제3도는 상기 장치가 또한 금속 블록(54) 및 2개의 여기 전극(50, 52)에 이격되어 겹쳐지는 플레이트(60)를 포함하는 것을 나타낸다.
상기 플레이트(60)는 2개의 플레이트의 조립체로 이루어지는데, 상기 2개의 플레이트는 나란하고, 여기 챔버(56)로 가스의 유입을 위한 통로(64)와 연통하는 V형상의 벤튜리-효과 압축부을 형성하는 슬롯(63)을 한정한다.
상기 플레이트(60)와 상기 금속 블록(54)에 의해 한정되는 공간은 상기 금속 블록(54)의 양쪽에 배치된 두 개의 가스 공급원(68, 69)과 연통하는 가스 유입관(66)을 구비하며, 상기 두 개의 가스 공급원(68, 69)은 예컨대 후속의 표면 처리에 의한 여기를 위해서 제1공급원에 의해 전송된 가스와 혼합하려는 추가의 가스 또는 가스 혼합물을 공급한다.
제1도를 참고로 설명된 실시예에서와 같이, 제2공급원(68, 69)에 의해 공급되는 가스는 벤튜리 효과에 의해서 상기 압축부(63)의 하류 구역에 흡입되고 상기 여기 챔버(56)내로 흡입되어, 배출 통로(70)를 통하여 표면 처리 대상물(71)로 유출된다.
그러므로, 본 실시예에 따르면, 예컨대 대상물(71)의 표면 처리를 수행할 목적으로 상이한 가스의 여기된 화학종을 생성하기 위해 다수의 표면 처리 가스를 혼합할 수 있는 것이 확실하다. 따라서, 불활성 가스, 산화 가스, 환원 가스로 구성된 군 중에서 적어도 하나의 가스를 포함하는 가스가 제1가스 공급원 및 추가 가스 공급원용으로 고려될 수 있다.
물론, 제1도의 실시예의 설명에서와 같이 가스 재순환 채널을 구비하는, 제3도를 참고로 지금까지 설명된 바와 같은 장치를 제공하는 것도 가능하다.
제2가스 공급원(68, 69) 각각은 통상적인 기능으로 속도와 압력에 따라 가스를 흡입하기 위한 도관(66)에서 상기 여기 챔버(56)로 가스를 균일하게 분배시키기 위해 균질화 챔버(72)를 수반하는 것이 바람직하다는 것을 알아야 한다.
범위에서 벗어나지 않고서 그 중의 하나만을 제공하는 것도 충분히 생각할 수 있다.
유사하게, 제3도와 관련하여 "대상물의 표면 처리"의 적용에 특히 관련되었다고해도, 제3도에서의 장치, 또는 매우 유사한 장치(하나 또는 그 이상의 제2공급원을 구비함)는 예를 들면 다음의 관계로 유출 가스의 처리/정화용으로 사용될 수도 있는 것은 명백하다: - 처리하려는 유출물(임의의 형태의 작업에서 발생함)로 이루어진 제2공급원 ; - 유출물은 그것의 재처리를 위해서 불활성 가스 또는 환원 가스와 같은 보다 더 활성의 가스일 수 있는 제1가스의 작용 하에서 배출구 속으로 흡입된다; - 가스 배출구(70)에서 얻어지는 상기 유출물은 일단 배출되서 처리되면, 예를 들면, 그것들을 상류로 올리거나, 또는 선택적으로 주위 대기로 배출하는 형태의 작업을 위해 재사용된다.
본 발명은 벤튜리-효과 압축부를 사용하여, 제2도에 도시했듯이, 제1가스 공급원에서 공급된 가스를 여기 챔버내로 빠르게 흡입시켜, 배출구에서 30㎥(stp)/h의 가스의 유속을 얻기위해서는 유입구에서 단지 3㎥(stp)/h 내지 5㎥(stp)/h의 가스만이 유입되면 되기 때문에 가스의 소비에따른 비용을 상당히 절감할 수 있고, 여기된 가스를 재순환시켜서 이 가스를 제2가스 공급원으로 삼을 수 있기 때문에 대량의 가스가 소비되는 자동차 산업이나 유리 산업에서 표면 처리 장치로써 가스의 소비를 줄이면서 저렴한 가격으로 금속이나 세라믹의 표면 처리를 할 수 있는 장점이 있다.

Claims (12)

  1. 제1가스 공급원(36;58)과 연통하는 가스 유입 통로(28;64) 및 여기된 가스용 배출 통로(30;70)가 마련되어 있는 가스 여기 챔버(20;56)를 구비하는 가스 여기 장치에 있어서, 제1가스 공급원(36;58)과 상기 유입 통로(28;64) 사이의 가스 통로에 배치되는 벤튜리-효과 압축부(34;63)를 포함하고, 상기 압축부(34;63)의 하류 구역과 연통하는 적어도 하나의 제2가스 공급원(32;68;69)을 추가로 포함하며, 상기 제2가스 공급원(32;68;69)에의해 공급되는 가스는 제1가스 공급원에 의해 공급되는 가스의 작용 하에서 벤튜리 효과에 의해 상기 여기 챔버(20;56)로 흡입되는 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 여기 챔버(20) 및 상기 벤튜리-효과 압축부(34)의 하류 구역의 하류에 위치하는 폐쇄 공간(32)을 포함하고, 상기 제2가스 공급원은 상기 폐쇄 공간(32)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 폐쇄 공간은 여기 가스용 상기 배출 통로와 연통하고 봉입에 의해 한정되는 내부 공간으로 구성되고, 상기 폐쇄 공간에서는 상기 여기 가스에 의해 대상물의 표면 처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2가스 공급원은 가스 유입 채널(66)에 의해 상기 벤튜리-효과 압축부(34;63)의 하류 구역에 접속되는 추가의 가스 공급원(68;69)으로 구성되고, 상기 추가의 가스는 상기 여기 챔버(20;56)의 상류에서 상기 제1가스 공급원에 의해 공급되는 가스와 혼합되기 위한 가스인 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 추가적인 제2가스 공급원은 상기 챔버 내에서 정화 처리하려는 유출 가스로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1가스 공급원(36;58)은 불활성 가스 공급원으로 구성되고, 상기 제2가스 공급원(32;68;69)은 활성 가스 공급원으로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 모두 고주파 AC 고전압원(49;55)에 연결되고 서로 동축상으로 배치되어 상기 가스 여기 챔버(20;56)를 한정하는, 원통형 형태의 제1내부 여기 전극(14;50) 및 상기 가스 유입 및 배출 통로를 형성하는 실질적으로 대향된 종방향 슬롯(28,30;64,70)이 마련되어 있는 원통형 형태의 제2외부 여기 전극(18;52), 상기 전극 중의 적어도 하나의 다른 전극과 대향하는 표면에 배치되는 유전재 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 여기 챔버(56)에 공급되는 가스를 균일하게 분배하기 위해 상기 제1가스 공급원(58) 및 제2가스 공급원(68,69) 중의 적어도 하나의 배출구에 배치되는 적어도 하나의 균질화 챔버(72)를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 제1가스 공급원과 연결되는 제1단부와 폐쇄된 대향 단부가 마련되어 있고, 종방향 슬롯(46)을 포함하는 제1내부 실린더(38)와, 상기 제1실린더(38)와 동축상으로 배치되고, 폐쇄된 대향 단부 구역이 마련되어 있으며, 상기 가스 유입 통로(28)와 연통하고 상기 제1실린더(38)에 형성된 슬롯(46)으로부터 반대쪽으로 연장되는 종방향 가스 분배 슬롯(44)을 포함하는 제2외부 실린더(40)를 구비하여, 상기 여기 챔버(20)로 공급되는 가스를 균일하게 분배하는 가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 압축부는 실질적으로 종방향 슬롯의 형태를 구비하되, 상기 슬롯의 너비가 상기 유입 통로(28)의 너비보다 실질적으로 작은 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1가스 공급원은 3 바아 이상의 압력으로 되는 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1가스 공급원(36;58) 및 제2가스 공급원(32;68;69)에 의해 공급된 가스는 불활성 가스와 산화 가스 및 환원 가스 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 여기 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2750622B1 (fr) * 1996-07-02 1998-09-25 Air Liquide Procede de traitement de surface par voie seche et dispositif pour la mise en oeuvre d'un tel procede
US6174500B1 (en) * 1998-06-02 2001-01-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Negative ion generating apparatus
US6193135B1 (en) * 1999-09-13 2001-02-27 Lucent Technologies Inc. System for providing back-lighting of components during fluxless soldering
US6196446B1 (en) * 1999-09-13 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Automated fluxless soldering using inert gas
US6468833B2 (en) * 2000-03-31 2002-10-22 American Air Liquide, Inc. Systems and methods for application of substantially dry atmospheric plasma surface treatment to various electronic component packaging and assembly methods
US6776330B2 (en) 2001-09-10 2004-08-17 Air Products And Chemicals, Inc. Hydrogen fluxless soldering by electron attachment
US7079370B2 (en) * 2003-04-28 2006-07-18 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique electron attachment and remote ion generation
US7897029B2 (en) * 2008-03-04 2011-03-01 Air Products And Chemicals, Inc. Removal of surface oxides by electron attachment
US8361340B2 (en) 2003-04-28 2013-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Removal of surface oxides by electron attachment
US7387738B2 (en) * 2003-04-28 2008-06-17 Air Products And Chemicals, Inc. Removal of surface oxides by electron attachment for wafer bumping applications
US7434719B2 (en) * 2005-12-09 2008-10-14 Air Products And Chemicals, Inc. Addition of D2 to H2 to detect and calibrate atomic hydrogen formed by dissociative electron attachment
US8454850B2 (en) 2009-09-02 2013-06-04 Air Products And Chemicals, Inc. Method for the removal of surface oxides by electron attachment
US9006975B2 (en) 2011-02-09 2015-04-14 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique involving electron attachment
US9053894B2 (en) 2011-02-09 2015-06-09 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique involving electron attachment

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE721749C (de) * 1939-10-31 1942-06-17 Maschf Augsburg Nuernberg Ag Vorrichtung zur Einfuehrung pulverfoermigen Brennstoffes, insbesondere Kohlenstaub, in eine luftverdichtende Brennkraftmaschine
GB955702A (en) * 1959-08-26 1964-04-15 Ici Ltd Method of conducting gaseous reactions
NL6705166A (ko) * 1966-04-14 1967-10-16
JP2531772B2 (ja) * 1989-01-09 1996-09-04 株式会社東芝 オゾン発生装置
US5002739A (en) * 1990-09-11 1991-03-26 Trineos Ozone cell with cooling bellows
FR2692730B1 (fr) * 1992-06-19 1994-08-19 Air Liquide Dispositif de formation de molécules gazeuses excitées ou instables et utilisations d'un tel dispositif.
FR2713528B1 (fr) * 1993-12-15 1996-01-12 Air Liquide Procédé et dispositif de fluxage par voie sèche de surfaces métalliques avant brasage ou étamage.

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CA2209309A1 (fr) 1998-01-02

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