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Application filed by 김주용, 현대전자산업주식회사filedCritical김주용
Priority to KR1019960026363ApriorityCriticalpatent/KR980006655A/ko
Publication of KR980006655ApublicationCriticalpatent/KR980006655A/ko
본 발명은 유전 물질의 용융을 군일하게 하여 칩에 대한 무반사막의 증착을 균일하게 하여 레이저 다이오드의 무반사막의 증착 효육을 증가시킬 수 있으며, 균일한 용융의 유전 물질을 사용하여 칩이 대한 무반사막의 증착을 균일하게 하여 낮은 반사율을 가지는 레이저 다이오드의 무반사막 증착 방법을 제공하도록 비교적 낮은 귤절율을 가지는 RiO2를 전자 빔 증착기를 이용하여 칩의 표면에 증착한 후에, 비교적 높은 귤절율을 가지는 Si막을 칩의 표면에 증착된 Tio2막 위에 증착한다.
Description
레이저 다이오드의 무반사막의 증착 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
TiO2를 저자 빔 증착기를 이용하여 칩의 표면에 증착하는 단계와; 칩의 표면에 증착된 TiO2막 위에 Si막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 무반사막 증착 방법.
KR1019960026363A1996-06-291996-06-29레이저 다이오드의 무반사막 증착 방법
KR980006655A
(ko)