KR980005758A - 반도체 기판의 세정용액 및 이를 이용하는 세정방법 - Google Patents
반도체 기판의 세정용액 및 이를 이용하는 세정방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 기판의 세정 용액 및 이를 이용하는 세정방법에 관한 것이다. 인산, 불산 및 계면활제성제를 포함하는 본 발명의 세정용액을 이용하면, 유기금속이나 금속 산화물과 같은 반응 부산물의 제거 효과가 탁월하여 스트리핑 공정, 중간 세척 공정, 수세 공정으로 이어지는 세정 공정에서 중간 세척공정을 생략할 수 있으며, 비교적 저온에서도 공정이 진행될 수 있다는 장점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면 없음
Claims (11)
- 건식법을 채용하는 리소그래피 공정후에 잔류하는 불순물을 제거하기 위한 반도체 기판의 세정용액에 있어서, 인산, 불산, 및 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정용액.
- 제1항에 있어서, 상기 불순물은 유기금속 및 금속 산화물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정용액.
- 제1항에 있어서, 상기 불산의 함유량은 상기 인산에 대하여 0.01중량% 내지 25중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정용액.
- 제1항에 있어서, 상게 계면활성제는 폴리에테르 게열의 비이온성 화합물, 알킬암모늄 플로라이드 계열의 양이온성 화합물 및 설폰산 나트륨 염 계열의 음이온성 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정용액.
- 제4항에 있어서, 상기 비이온성 화합물은 2-(P-도데실페녹실에톡시)-에톡시에틴올, 상기 양이온성 화합물은 옥틸암모늄 클로라이드 및 상기 음이온성 화합물은 옥틸설폰산 나트륨 염인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정용액.
- 제1항에 있어서, 상기 계면활성제는 상기 불산과 인산의 총중량에 대햐여 0.01 내지 5중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정용액.
- 건식법을 채용하는 리소그래피 공정을 거친 반도체 기판을 세정용액에 첨지시키는 단계를 포함하는 반도체 기판의 세정방법에 있어서, 상기 세정용액은 인산, 불산 및 계면활성제를 포함하여, 그온도는 15 내지 80℃의 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제7항에 있어서, 상기 불산의 함유량은 상기 인산에 대하여 0.01중량% 내지 25중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제7항에 있어서, 상기 계면활성제는 폴리에테르 계열의 비이온성 화합물, 알킬암모늄 클로라이드 계열의 양이온성 화합물 및 설폰산 나트륨 염계열의 음이온 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
- 제9항에 있어서, 상기 비이온성 화합물은 2-(P-도데실페녹실에톡시)-에톡시에틴올, 상기 양이온성 화합물은 옥틸암모늄 클로라이드 및 상기 음이온성 화합물은 옥틸설폰산 나트륨 염인 것을 특징으로 하는 반동체 기판의 세정용액.
- 제7항에 있어서, 상기 세정용액의 세정용액의 온도가 20℃ 내지 25℃범위내로 유지되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9159749B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-10-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Oxide semiconductor devices, methods of manufacturing oxide semiconductor devices, display devices having oxide semiconductor devices, methods of manufacturing display devices having oxide semiconductor devices |
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1996
- 1996-06-28 KR KR1019960025164A patent/KR980005758A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9159749B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-10-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Oxide semiconductor devices, methods of manufacturing oxide semiconductor devices, display devices having oxide semiconductor devices, methods of manufacturing display devices having oxide semiconductor devices |
| US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
| US10465112B2 (en) | 2014-07-17 | 2019-11-05 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
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