Claims (8)
반도체 소자의 리소그리파 공정에 있어서, 웨이퍼 기판의 상부표면을 증기처리하는 단계와, 상기 웨이퍼 기판 상부에 포토레지스트를 소정두께로 도포하는 단계와, 소프트 베이크를 실시하는 단계와, 노광 마스크를 사용하여 광을 조사시켜 노광하는 단계와, 비접촉 베이크 방식으로 PEB 공정을 실시하는 단계와, 상기 포토레지스트를 현상하는 단계와, 상기 웨이퍼 기판을 세척액으로 세척한 후 건조하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.In the lithography process of a semiconductor device, a step of steaming an upper surface of a wafer substrate, applying a photoresist to a predetermined thickness on the wafer substrate, performing a soft bake, and using an exposure mask Irradiating light to expose the light, performing a PEB process in a non-contact baking method, developing the photoresist, and washing the wafer substrate with a cleaning solution and then drying the light. Method of forming a fine pattern of a semiconductor device.
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 기판표면을 증기처리할 시 사용되는 증기는 HMPS인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.The method of claim 1, wherein the vapor used to vaporize the surface of the wafer substrate is HMPS.
제1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 DUV, E-beam, X-ray등의 파장에 각각 반응하여 산을 생성하는 화학증폭형 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.The method of claim 1, wherein the photoresist is a chemically amplified photoresist that generates an acid in response to wavelengths of DUV, E-beam, X-ray, and the like, respectively.
제1항에 있어서, 상기 포토 레지스트의 도포두께는 0.4~1.6㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.The method of claim 1, wherein the coating thickness of the photoresist is 0.4 μm to 1.6 μm.
비접촉 열처리를 위한 열처리 장치에 있어서, 웨이퍼가 상부에 놓이는 웨이퍼 스테이지와, 상기 웨이퍼의 상부와 하부에 웨이퍼로부터 소정거리 이격된 위치에 설치된 핫 플레이트와, 상기 웨이퍼의 일측면에 위치한 온도계로 구성되는 것을 특징으로 하는 비접촉 열처리 장치.A heat treatment apparatus for non-contact heat treatment, comprising: a wafer stage on which a wafer is placed, a hot plate disposed at a position spaced a predetermined distance from the wafer on top and bottom of the wafer, and a thermometer located on one side of the wafer. Non-contact heat treatment apparatus characterized in that.
제5항에 있어서, 상기 웨이퍼 스테이지는 내열성 세라믹으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비접촉 열처리 장치.The apparatus of claim 5, wherein the wafer stage is formed of a heat resistant ceramic.
제5항에 있어서, 상기 웨이퍼 스테이지에 올려지는 웨이퍼 바깥쪽 하부면의 길이는 대략 5~7㎜인 것을 특징으로 하는 비접촉 열처리 장치.The non-contact heat treatment apparatus according to claim 5, wherein a length of the lower outer surface of the wafer placed on the wafer stage is approximately 5 to 7 mm.
제5항에 있어서, 상기 핫 플레이트는 웨이퍼로의 상부와 하부에 놓이되, 30~50㎜ 이격된 위치에 놓이는 것을 특징으로 하는 비접촉 열처리 장치.The non-contact heat treatment apparatus according to claim 5, wherein the hot plate is placed on top and bottom of the wafer, and is placed at a position spaced 30 to 50 mm apart.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.