KR980002315A - 자기광학 재료 - Google Patents

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KR980002315A
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박현식
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이진주
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract

본 발명은 자기광학 재료에 관한 것으로서, 더 상세하게는 자기광학재료중 페러데이 현상을 나타내는 가네트 제료에 있어서 격자상수가 큰 가네트계 기판 (격자상수 12.52A-12.7A)을 사용하여 비스무트(원소기호 Bi) 치환량이 증대되도록 함으로써 패러데이 회전능의 값을 개선한 자기광학 재료에 관한 것이다. 이를 위한 본발명은, 자기광학재료에 있어서, 화학식 (A)3(B)5O12로 이루어진 기판이 PbO(38.7-73.2mol%), Bi2O3(12.4-90mol%), B2O3(4.1-16.5mol%), Tb4O7(0.1-1.5mol%), Ho2O3(0-1.5mol%), Fe2O3(7.3-18mol%), Ga2o3(0.4-1.5mol%), Al2O3(0.4-1.5mol%)의 조성비율을 갖는 용액에서 단결정막 성장되어 적어도 12.5A 이상의 격자상수를 갖게 되는 점에 그 특징이 있다. 여기서, 상기 기판의 화학식중에서 A는 K, Ba, Na, Sr, Ca, La, Gd, Sm, Ln, Pb 등의 회토류 원소 및 천이원소이고, B는 Mg, Li, Si, Fe, Zn, Ga, Ge, V, Si, W, Al, Sn 등의 회토류 원소 및 천이원소이다. 이로써, 본 발명은 패러데이 회전능의 값을 향상시킬 수 이고, 패러데이 회전자의 두께를 줄일 수 있는 이점을 제공한다.

Description

자기광학 재료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. 자기광학 재료에 있어서, 일반 화학식 (A)3(B)5O12로 이루어진 기판이 PbO(38.7-73.2mol%), Bi2O3(12.4-90mol%), B2O3(4.1-16.5mol%),Tb4O7(0.1-1.5mol%), Ho2O3(0-1.5mol%), Fe2O3(7.3-18mol%), Ga2O3(0.4=1.5mol%), Al2O3(0.4=1.5mol%)의 조정비율을 갖는 용액에서 단결정막 성장되어 12.5A-12.65A 범위의 격자상수를 갖는 것을 특징으로 하는 자기광학 재료. (단, 상기 일반 화학식중에서 A는 K, Ba, Na, Sr, Ca, La, Gd, Sm, Ln, Pb 등의 회토류 원소 및 천이원소이고,B는 Mg, Li, Fe, Zn, Ga, Ge, V, Si, W, Al, Sn 등의 회토류 원소 및 천이원소임)
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판의 격자상수도 12.5A-12.65A 범위인 것을 특징으로 하는 자기광학 재료.
  3. 제1항에 있어서, 상기 성장된 단결정막의 조성화학식은 Bix, R3-x, Fey, Ms-y, O12인 것을 특징으로 하는 자기광학 재료. (단, 상기 화학식의 R은 Tb, Ho, Sm, Gd, Ln, Y의 회토류족 원소이고, M은 Al, Ga의 천이원소이며, R과 M은 모두 복수로 있을 수 있음.)
  4. 제3항에 있어서, 상기 화학식의 Bix에서 x값이 최대 3인 것을 특징으로 하는 자기광학 재료.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판이 격자상수 두께와 상기 성장막의 격자상수 두께가 같은 것을 특징으로 하는 자기광학 재료.
  6. 자기광학 재료에 있어서, 일반 화학식 (A)3(B)5O12로 이루어진 기판이 PbO(38.7-73.2mol%),PbF2(0-73.2mol%), Bi2O3(5-90mol%), B2O3(4.1-16.5mol%), Tb4O7(0-1.5mol%), Ho2O3(0-1.5mol%), Fe2O3(7.3-18mol%), Ga2O3(0-1.5mol%), Al2O3(0-1.5mol%)의 조성비율을 갖는 용액에서 단결정막 성장되어 12.5A-12.65A 범위의 격자상수를 갖는 것을 특징으로 하는 자기광학 재료. (단, 상기 일반 화학식중에서 A 는 K,Ba, Na, Sr, Ca, La, Gd, Sm, Ln, Pb 등의 회토류 원소 및 천이원소이고, B는 Mg, Li, Fe, Zn, Ga, Ge, V, Si, W, Al, Sn 등의 회토류 원소 및 천이원소임)
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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