KR970707639A - 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 방법 및 장치(method and apparatus for controlling the voltage supplied to a semiconductor device) - Google Patents
반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 방법 및 장치(method and apparatus for controlling the voltage supplied to a semiconductor device) Download PDFInfo
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Abstract
반도체 디바이스(100)에 접속되어 있는 전압 기준 회로(140)는 제어값을 발생함으로써 상기 반도체 디바이스용 동작 전압을 특정한다. 전원 공급기(330)는 공급 전압으로 상기 반도체 디바이스(100)용 전원을 발생하고, 전원 제어 레귤레이터(120)는 상기 제어값에 따라 상기 공급 전압으로부터 동작 전압을 발생한다. 컴퓨터 시스템은 전압 기준 회로(140)를 포함하고 있는 적어도 하나의 마이크로프로세서(300)를 포함하고 있다. 상기 컴퓨터 시스템을 또한 공급 전압으로 상기 컴퓨터 시스템용 전원을 발생하는 전원 제어 레귤레이터9120)와 전원 공급기(330)를 포함하고 있다. 상기 마이크로프로세서(300)내의 전압 기준 회로는 제어값을 발생함으로써 상기 마이크로프로세서(300)에 전원 공급하기 위해 동작 전압을 특정한다. 상기 전원 제어 레귤레이터(120)는 상기 전원 공급기와 상기 전압 기준 회로(140)에 접속되어, 상기 제어값에 따라 상기 공급 전압으로부터 상기 마이크로프로세서용 동작 전압을 발생한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 본 발명의 기술에 따라 전압 기준을 발생하는 아날로그 전압 기분으로를 나타낸 도면, 제2b도는 디지털 전압 기준 회로를 이용한 경우의 본 발명의 일실시예를 나타낸 도면, 제2c도는 본 발명의 기술에 따라 디지털 전압 기준 회로를 구현하는 다른 실시예를 나타낸 도면.
Claims (26)
- 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 방법에 있어서, 제어값을 발생함으로써 상기 반도체 디바이스의 동작을 위해 상기 반도체 디바이스를 통해 동작 전압을 특정하는 단계; 공급 전압을 수신하는 단계; 및 상기 반도체 디바이스가 정확하게 동작하도록 상기 제어값에 따라 상기 반도체 디바이스에 대한 상기 공급 전압으로부터 상기 동작 전압을 발생하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 방법.
- 제1항에 있어서, 제어값을 발생함으로써 동작 전압을 특정하는 상기 단계는 아날로그 기준 전압 신호를 발생하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 방법.
- 제1항에 있어서, 제어값을 발생함으로써 동작 전압을 특정하는 상기 단계는 상기 제어값을 특정하기 위해 부호화 데이터를 발생하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스를 공급된 전압 제어 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 디바이스에 전원 공급하기 위한 최적의 동작 전압을 결정하는 단계; 및 상기 최적의 동작 전압을 특정하기 위해 상기 제어값을 설정하는 단계를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 방법.
- 제3항에 있어서, 부호화 데이터를 발생하는 상기 단계는 집적 회로 패키지에 상기 반도체 디바이스를 패키징하는 단계; 상기 집적 회로 패키지에 적어도 하나의 전용 핀을 제공하는 단계; 상기 반도체 디바이스상의하이 논리 지시 메카니즘에 전용 핀을 본딩함으로써 상기 부호화 데이터로 특정될 때 하이 논리 레벨을 부호화하는 단계; 및 상기 반도체 디바이스의 접지측에 전용 핀을 본딩함으로써 상기 부호화 데이터로 특정될 때 로우 논리 레벨을 부호화하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 방법.
- 제3항에 있어서, 부호화 데이터를 발생하는 상기 단계는 집적 회로 패키지에 있어서 상기 반도체 디바이스를 패키징하는 단계; 상기 집적 회로 패키지에 적어도 하나의 전용 핀을 제공하는 단계; 제1논리 레벨을 발생하기 위해 접지측에 각각의 전용 핀을 본딩하는 단계; 상기 부호화 데이터에 따라 제2논리 레벨을 부호화하기 위해 상기 집적 회로 패키지의 전용 핀을 개방회로로 만드는 단계; 풀업 저항기에 각각의 전용 핀을 접속하는 단계; 및 상기 제2논리 레벨을 나타내는 전압측에 각각의 풀업 저항기를 접속하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 방법.
- 제3항에 있어서, 부호화 데이터를 발생하는 상기 단계는 집적 회로 패키지에 상기 반도체 디바이슬르 패키징하는 단계; 및 상기 부호화 데이터를 발생하기 위해 상기 집적 회로 패키지의 물리적 부속물을 변경하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 방법.
- 제3항에 있어서, 부호화 데이터를 발생하는 상기 단계는 상기 부호화 데이터를 발생하기 위해 프로그래머블 디바이스를 프로그래밍하는 단계를 포함하고 있는 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 부호화 데이터를 발생하기 위해 프로그래머블 디바이스를 프로그래밍하는 상기 단계를 비휘발성 메모리를 프로그래밍하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 방법.
- 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치에 있어서, 적어도 하나의 공급 전압을 포함하여 상기 반도체 디바이스용 전원을 발생하는 전원 공급기; 상기 반도체 디바이스에 접속되어, 제어값을 발생함으로써 상기 반도체 디바이스에 전원 공급하기 위해 동작 전압을 특정하는 전압 기준 회로; 및 상기 전원 공급기와 상기 전압 기준 회로에 접속되어, 상기 제어값에 따라 상기 공급 전압으로부터 상기 동작 전압을 발생하는 전원 제어 레귤레이터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 전압 기준 회로는 상기 반도체 디바이스내에 수용되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 전압 기준 회로는 상기 제어값을 특정하기 위해 기준 전압 신호를 발생하는 아날로그 전압 기준 회로를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 전원 제어 레귤레이터는 직류(DC) 레귤레이터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 전압 기준 회로는 상기 제어값을 특정하기 위해 부호화 데이터를 발생하는 디지털 전압 기준 회로를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 디지털 전압 기준 회로는 상기 부호화 데이터를 발생하는 프로그래머블 디바이스를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 프로그래머블 디바이스는 비휘발성 메모리를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 전원 제어 레귤레이터는 상기 디지털 전압 기준 회로에 접속되어 있는 디지털/아날로그 변환기(DAC); 및 상기 DAC에 접속되어 있는 직류(DC) 레귤레이터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 전원 제어 레귤레이터는 상기 공급 전압으로부터 상기 동작 전압을 발생하기 위해 상기 부호화 데이터를 변환하도록 구성되어 있는 직류(DC)/직류(DC) 변환기를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 디지털 전압 기준 회로는 상기 반도체 디바이스를 수용하고 있는 집적 회로 패키지; 및 상기 집적 회로 패키지에 접속되어 있는 적어도 하나의 전용 핀, 상기 부호화 데이터에 의해 특정될 때 상기 제1논리 레벨을 부호화하기 위해 상기 반도체 디바이스상의 제1논리 상태 지시 메카니즘에 본디되어 있는 전용 핀, 및 상기 부호화 데이터에 의해 특정될 때 상기 제2논리 상태를 부호화하기 위해 상기 반도체 디바이스상의 접지측에 본딩되어 있는 전용 핀을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 디지털 전압 기준 회로는 상기 반도체 디바이스를 수용하고 있는 집적 회로 패키지; 및 상기 집적 회로 패키지에 접속되어 있는 접지측에 본딩되어 있으며 그리고 풀업 저항기를 통해 공급전압까지 풀업되는 적어도 하나의 전용 핀으로서, 상기 부호화 디지털 데이터에 의해 특정될 때 하이 논리 레벨을 부호화하기 위해 상기 집적 회로 패키지로부터 개방회로로 되는 적어도 하나의 전용 핀을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 반도체 디바이스는 마이크로프로세서를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 전원 제어 레귤레이터는 상기 전원 공급기내에 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스에 공급된 전압 제어 장치.
- 마이크로프로세서 회로를 포함하고 있는 반도체 다이; 및 상기 반도체 다이에 접속되어, 제어값을 발생함으로써 상기 마이크로프로세서에 전원 공급하기 위해 동작 전압을 특정하는 전압 기준 회로를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 마이크로프로세서.
- 제23항에 있어서, 한 시스템을 더 구비하고 있고, 상기 시스템은 적어도 하나의 공급 전압을 발생하기 위해 구성되어, 상기 마이크로프로세서용 전원을 발생하는 전원 공급기; 및 상기 전원 공급기와 상기 전압 기준 회로에 접속되어, 상기 제어값에 따라 상기 공급 전압으로부터 상기 마이크로프로세서용 상기 동작 전압을 발생하는 전원 제어 레귤레이터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 마이크로프로세서.
- 제24항에 있어서, 상기 전원 제어 레귤레이터는 상기 전원 공급기내에 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 시스템.
- 제24항에 있어서, 상기 전원 제어 레귤레이터는 국한된 직류(DC)/직류(DC)레귤레이터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 시스템.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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