KR970077106A - Manufacturing method of actuator for optical path control device - Google Patents

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전용배
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배순훈
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Abstract

본 발명은 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판상에 형성된 복수개의 능동소자를 보호하기 위한 보호층을 형성시키는 단계와, 상기 보호층을 식각 용액으로부터 보호하기 위한 식각 스톱층을 형성시키는 단계와, 상기 식각 스톱층상에 소정 선폭크기(D1)의 패턴을 갖는 소정 형상의 희생층을 형성시키는 단계와, 상기 희생층의 패턴을 통하여 노출된 상기 식각 스톱층상에 제1절연층을 형성시키는 단계와, 상기 제1절연층상에 소정 선폭 크기(D2)의 이소 컷팅부를 구비하고 있는 제1도전층을 형성시키는 단계와, 상기 제1도전층상에 압전층 및 제2도전층을 순차적으로 형성시켜서 미러 어레이를 형성시키는 단계와, 상기 미러 어레이를 구성하는 복수개의 층들을 상부로부터 순차적으로 식각시켜서 소정 형상의 액츄에이터를 형성시키는 단계와, 상기 액츄에이터의 외부 표면상에 보호막을 형성시키는 단계와, 그리고 상기 액츄에이터를 캔틸레버 구조로 형성시키기 위하여 상기 희생층을 제거하는 단계로 이루어지고, 상기 액츄에이터(500)의 브리지(C)는 상기 희생층(560)의 선폭 크기(D1)보다 크게 유지되는 반면에 상기 이소 컷팅부(I. C.)의 선폭크기(D2)보다 작게 유지되는 선폭 크기(D3)를 갖는 상부 전극(550)과, 상기 상부 전극(550)의 선폭 크기(D3)보다 크게 유지되고 상기 이소 컷팅부(I. C.)의 선폭 크기(D2)보다 작게 유지되는 선폭 크기(D4)를 갖는 변형부(540)와, 상기 이소 컷팅부(I. C.)의 선폭 크기(D2)보다 크게 유지되는 선폭 크기(D5)를 갖는 멤브레인(520)으로 이루어져 있으며 이에 의해서 이소 컷팅부의 선폭 크기와 변형부 선폭 크기의 차이에 의하여 멤브레인에 형성되는 노출 부위를 통하여 식각 스톱층이 화학적 손상을 받게 되어도 상기 식각 스톱층의 손상 부위와 희생층 형상의 선단부사이에 멥브레인이 개재되어 있으므로 보호층이 희생층을 제거하기 위한 식각 용액으로부터 손상받은 것을 방지시키며 그 결과 광로 조절 장치용 액츄에이터의 신뢰도 및 반사 효율을 향상시킨다.The present invention relates to a method of manufacturing an actuator for an optical path adjusting apparatus, comprising the steps of: forming a protective layer for protecting a plurality of active elements formed on a silicon substrate; etching the stopper layer for protecting the protective layer from the etching solution; Forming a sacrificial layer of a predetermined shape having a pattern of a predetermined line width size (D1) on the etch stop layer; forming a first insulating layer on the etch stop layer exposed through the pattern of the sacrificial layer Forming a first conductive layer having an iso -cutting portion with a predetermined line-width size (D2) on the first insulating layer; forming a first conductive layer on the piezoelectric layer and the second conductive layer in sequence Forming a mirror array by sequentially etching the plurality of layers constituting the mirror array from above, Forming a protective layer on the outer surface of the actuator, and removing the sacrificial layer to form the actuator in a cantilever structure, wherein the bridge of the actuator (500) Has an upper electrode 550 having a linewidth size D3 that is kept larger than the line width size D1 of the sacrificial layer 560 but smaller than the linewidth size D2 of the iso-cutting IC A deformed portion 540 having a linewidth size D4 that is maintained larger than a linewidth size D3 of the upper electrode 550 and is kept smaller than a linewidth size D2 of the iso-cutting portion IC, And a membrane 520 having a linewidth size D5 that is greater than the linewidth D2 of the cutting portion IC so as to be formed on the membrane due to the difference between the linewidth size and the modified linewidth size of the iso- Even if the etching stop layer is chemically damaged through the outgoing portion, since the Brain is interposed between the damaged portion of the etch stop layer and the tip portion of the sacrificial layer shape, the protective layer is prevented from being damaged from the etching solution for removing the sacrificial layer Thereby improving the reliability and reflection efficiency of the actuator for the optical path adjusting device.

Description

광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법Manufacturing method of actuator for optical path control device

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is a trivial issue, I did not include the contents of the text.

제5도는 본 발명에 따른 액츄에이터의 이소 컷팅부를 확대 도시한 평면도.FIG. 5 is an enlarged plan view of an isolating portion of an actuator according to the present invention; FIG.

Claims (14)

구동부(A)와 지지부(B)로 이루어진 캔틸레버 구조로 형성되고 브리지(C)에 의해서 인접하는 지지부(B)가 연결되어 있는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조하기 위한 방법에 있어서, 실리콘 기판(510a)상에 형성된 복수개의 능동 소자를 보호하기 위한 보호층(510b)을 형성시키는 단계와, 상기 보호층(510b)을 식각 용액으로부터 보호하기 위한 식각 스톱충(510c)을 형성시키는 단계와, 상기 식각 스톱층(501c)상에 소정 선폭 크기(D1)의 패턴을 갖는 소정 형상의 희생층(560)을 형성시키는 단계와, 상기 희생층(560) 및 희생층(560)의 패턴을 통하여 노출된 식각 스톱층(510c)상에 제1절연층(520)을 형성시키는 단계와, 상기 제1절연층(520)상에 소정 선폭 크기(D2)의 이소 컷팅부(I. C.)를 구비하고 있는 제1도전층(530)을 형성시키는 단계와, 상기 제1도전층(520)상에 압전층(540) 및 제2도전층(550)을 순차적으로 형성시켜서 미러 어웨이(M)를 형성시키는 단계와, 상기 미러 어레이(M)를 구성하는 복수개의 층들을 상부로부터 순차적으로 식각시켜서 소정 형상의 액츄에이터(500)를 형성시키는 단계와, 상기 액츄에이터(500)의 외측면상에 보호막을 형성시키는 단계와, 그리고 상기 액츄에이터(500)를 캔틸레버 구조로 형성시키기 위하여 상기 희생층(560)을 제거하는 단계로 이루어지고, 상기 액츄에이터(500)의 브리지(C)에 소정 형상으로 형성되는 상기 희생층(560)의 선폭 크기(D1)는 상기 이소컷팅부(I. C.)의 선폭 크기(D2)보다 작게 유지되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.A method of manufacturing an actuator for an optical path adjusting device comprising a cantilever structure including a driving part (A) and a supporting part (B) and connected to an adjacent supporting part (B) by a bridge (C) Forming a passivation layer 510b for protecting a plurality of active devices formed on the passivation layer 510b; forming an etch stop layer 510c for protecting the passivation layer 510b from the etching solution; Forming a sacrificial layer 560 of a predetermined shape having a pattern of a predetermined line width size D1 on the layer 501c and etching the exposed etch stop 560 through a pattern of the sacrificial layer 560 and the sacrificial layer 560, Forming a first insulating layer 520 on the first insulating layer 520c and a first insulating layer 520 on the first insulating layer 520c and forming an insulating cut- (530); forming a piezoelectric layer (540) on the first conductive layer (520) Forming a mirror assembly M by sequentially forming a first conductive layer 550 and a second conductive layer 550 on the first conductive layer 550 and etching the plurality of layers constituting the mirror array M sequentially from the top to form an actuator 500 of a predetermined shape Forming a protective layer on the outer surface of the actuator 500 and removing the sacrificial layer 560 to form the actuator 500 in a cantilever structure, The line width size D1 of the sacrificial layer 560 formed in a predetermined shape on the bridge C of the light emitting device 500 is kept smaller than the line width size D2 of the iso-cutting portion IC. A method of manufacturing an actuator for a device. 제1항에 있어서, 상기 액츄에이터(500)의 브리지(C)를 구성하는 상부 전극(550)의 선폭 크기(D3)는 상기 희생충(560)의 선폭 크기(D1)보다 크고 작은 이소 컷팅부(I. C.)의 선폭 크기(D2)보다 작게 유지되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the line width size (D3) of the upper electrode (550) constituting the bridge (C) of the actuator (500) is larger than the linewidth size (D1) IC of the optical path adjusting device is maintained smaller than the line width size (D2). 제1항에 있어서, 상기 액츄에이터(500)의 브리지(C)를 구성하는 변형부(540)의 선폭 크기(D4)의 상기 상부 전극(550)의 선폭 크기(D3)보다 크고 유지되고 상기 이소 컷팅부(I. C.)의 선폭 크기(D2)보다 작게 유지되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.3. The method of claim 1, wherein the line width size (D4) of the deformed portion (540) constituting the bridge (C) of the actuator (500) Is smaller than a line width size (D2) of an integrated circuit (IC). 제3항에 있어서, 상기 액츄에이터(500)의 브리지(C)를 구성하는 멤브레인(520)의 선폭 크기(D5)는 상기 이소 컷팅부(I. C.)의 선폭 크기(D2)보다 크게 유지되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.4. The method according to claim 3, wherein the line width size D5 of the membrane 520 constituting the bridge C of the actuator 500 is maintained larger than the line width size D2 of the IC cut- Wherein the optical path adjusting device is provided with an actuator. 제4항에 있어서, 상기 액츄에이터(500)의 브리지(C)를 구성하는 멤브레인(520)일부의 선폭크기(D5)는 상기 브리지(C)의 선폭 크기를 한정하는 하부 전극의 선폭 크기보다 크게 유지되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.The method according to claim 4, wherein a line width size D5 of a part of the membrane 520 constituting the bridge C of the actuator 500 is larger than a line width size of the lower electrode that defines the line width size of the bridge C Wherein the optical path length of the optical path adjusting device is set to be larger than the optical path length of the optical path length adjusting device. 제5항에 있어서, 상기 멤브레인(520)은 불산 용액에 대한 내식성이 양호한 물질로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein the membrane (520) is made of a material having good corrosion resistance to a hydrofluoric acid solution. 제6항에 있어서, 상기 멤브레인(520)은 실리콘 질화물로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.7. The method of claim 6, wherein the membrane (520) is comprised of silicon nitride. 제1항에 있어서, 상기 미러 어레이(M)을 구성하는 복수개의 층들은 이방성 식각 특성이 양호한 건식 식각공정에 의하여 소정 형상으로 식각되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.2. The method of claim 1, wherein the plurality of layers constituting the mirror array (M) are etched into a predetermined shape by a dry etching process having a favorable anisotropic etching characteristic. 제8항에 있어서, 상기 건식 식각 공정은 반응성 이온 식각 공정에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.9. The method of claim 8, wherein the dry etching process is performed by a reactive ion etching process. 제9항에 있어서, 상기 미러 어레이(M)를 소정 형상으로 패터닝시킬 때 상기 액츄에이터(500)의 브리지(C)상에서 상기 이소 컷팅부(I. C.)의 선폭 크기(D2)와 사기 변형부(540)의 선폭 크기(D3)의 차이에 의하여 상기 이소 컷팅부(I. C.)의 양단부와 상기 변형부(540) 패턴의 양단부사이에 소정 크기의 노출 부위(P)가 형성되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.The method as claimed in claim 9, wherein, when the mirror array (M) is patterned into a predetermined shape, the linewidth size (D2) of the cutout portion (IC) (P) of a predetermined size is formed between both ends of the iso-cutting portion (IC) and both ends of the pattern of the deformed portion (540) by the difference in the line-width size (D3) A method of manufacturing an actuator. 제10항에 있어서, 상기 노출 부위(P)는 상기 희생층(560)상에 위치되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.11. The method of claim 10, wherein the exposed portion (P) is located on the sacrificial layer (560). 제11항에 있어서, 상기 보호막(570)은 상기 액츄에이터(500)의 브리지(C)를 구성하는 상기 멤브레인(520)을 완전히 보호하도록 피복되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.12. The method of claim 11, wherein the protective layer (570) is coated to completely protect the membrane (520) constituting the bridge (C) of the actuator (500). 제12항에 있어서, 상기 보호막(570)은 불산 용액에 대한 내식성이 양호한 물질로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.13. The method of claim 12, wherein the protective layer (570) is made of a material having good corrosion resistance to a hydrofluoric acid solution. 제13항에 있어서, 사익 보호막(570)은 포토레지스트로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법.14. The method of claim 13, wherein the sacrificial layer (570) comprises photoresist. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.
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