KR970077762A - Manufacturing method of optical path control device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 절연막을 형성하여 변형부에서의 크랙(Crack) 발생 방지 및 상부 전극과 하부 전극의 숏트(short)를 방지할 수 있는 광로 조절 장치에 관한 것으로서, 능동 소자가 매트릭스 구조로 형성된 구동 기판상에 보호막, 식각 스톱층, 희생층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 희생층의 표면을 평탄화 시킨후 소정 형상으로 패터닝하는 공정과, 상기 희생층 및 희생층의 패터닝으로 노출된 식각 스톱층상에 멤브레인, 하부전극 및 변형부를 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 변형부 및 하부 전극을 각각 소정 형상으로 패터닝 시키는 공정과, 상기 멤브레인, 식각 스톱층, 보호막을 순차적으로 식각시켜 소정 형상의 비아 홀(VIA-Hole)을 형성하는 공정과, 상기 비아 홀(VIA-Hole)의 상부에 비아 콘택(VIA-Contact)층을 형성하는 공정과, 상기 비아 콘택(VIA-Contact)층 상부에 절연층을 형성하는 공정과, 상기 절연층을 소정 형상으로 패터닝하는 공정과, 상기 절연층 및 절연층의 패터닝으로 노출된 상기 변형부의 상부에 상부 전극을 형성하는 공정과, 상기 상부 전극 및 멤브레인을 순차적으로 픽셀 형상으로 패터닝 하는 공정과, 상기 픽셀형상으로 패터닝된 기판의 전면에 보호막을 도포하는 공정과, 상기 희생층을 식각하여 전체적으로 제거하는 공정과, 상기 보호막의 일부분을 제거하여 상부전극을 노출시키는 공정으로 이루어진 광로 조절 장치의 제조 방법을 사용함으로써, 변형부에 발생하는 크랙을 방지하고 상부 전극과 하부 전극간의 쇼트를 방지하여 신뢰성이 높고 성능이 향상된 광로 조절 장치를 제조할 수 있다.The present invention relates to an optical path control device capable of forming an insulating film to prevent cracks in the deformed portion and to prevent short of upper and lower electrodes, wherein the active element is formed on a driving substrate having a matrix structure. Sequentially forming a protective film, an etch stop layer, and a sacrificial layer, planarizing the surface of the sacrificial layer, and patterning the sacrificial layer to a predetermined shape; and forming a membrane on the etch stop layer exposed by patterning the sacrificial layer and the sacrificial layer. And sequentially forming the lower electrode and the deformable part, patterning the deformable part and the lower electrode into a predetermined shape, and sequentially etching the membrane, the etch stop layer, and the protective film to form a via hole (VIA-). Forming a hole, forming a via contact layer (VIA-Contact) on the via hole (VIA-Hole), and the via contact layer (VIA-Contact) layer Forming an insulating layer on the upper surface; patterning the insulating layer into a predetermined shape; forming an upper electrode on the deformable portion exposed by patterning the insulating layer and the insulating layer; Patterning the membrane sequentially in a pixel shape, applying a protective film to the entire surface of the pixel-patterned substrate, etching the sacrificial layer to remove the entire layer, and removing a portion of the protective film to form an upper electrode. By using the manufacturing method of the optical path control device made of a step of exposing the light, it is possible to manufacture a light path control device with high reliability and improved performance by preventing cracks occurring in the deformed portion and preventing short between the upper electrode and the lower electrode.

Description

광로 조절 장치의 제조 방법Manufacturing method of optical path control device

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제4도(가) 내지 (타)는 본 발명에 따라 광로 조절 장치를 제조하는 공정을 순차적으로 도시한 단면도.4 (a) to 4 (a) are cross-sectional views sequentially illustrating a process of manufacturing an optical path control apparatus according to the present invention.

Claims (19)

능동 소자가 매트릭스 구조로 형성된 구동 기판과 복수의 층으로 이루어진 액츄에이터을 포함하는 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 능동 소자가 매트릭스 구조로 형성된 구동 기판의 상부에 보호층(410), 식각 스톱층(420), 희생층(430)을 순차적으로 형성하는 공정; 상기 희생층(430)의 표면을 평탄화 시킨후 상기 희생층(430)을 소정 형상으로 패터닝하는 공정; 상기 희생층(430) 및 희생층(430)의 패터닝으로 노출된 식각 스톱층(420)의 상부에 멤브레인(440), 하부 전극(450) 및 변형부(460)를 순차적으로 형성하는 공정; 상기 변형부(460) 및 하부 전극(450)을 각각 소정 형상으로 패터닝하는 공정; 상기 멤브레인(440), 식각 스톱층(420), 보호층(410)을 순차적으로 식각하여 소정 형상의 비아 홀을 형성하는 공정; 상기 비아 홀의 상부에 비아 콘택층(470)을 형성하는 공정; 상기 비아 콘택층(470)의 상부에 절연층(480)을 형성하는 공정; 상기 절연층(480)을 소정 형상으로 패터닝하는 공정; 상기 절연층(480) 및 절연층(480)의 패터닝으로 노출된 변형부(460)의 상부에 상부전극(490)을 형성하는 공정; 상기 상부 전극(490) 및 멤브레인(440)을 순차적으로 픽셀형상으로 패터닝하는 공정; 상기 픽셀형상으로 패터닝된 액츄에이터(400′)의 전면에 보호막을 도포하는 공정; 상기 희생층(430)을 식각하여 제거하는 공정; 상기 보호막의 일부분을 제거하여 상부 전극을 노출시키는 공정으로 이루어진 광로 조절 장치의 제조 방법.In the method of manufacturing an optical path control device comprising a drive substrate formed of a matrix structure and an actuator consisting of a plurality of layers, the active element is a protective layer 410, the etch stop layer (top) on the drive substrate formed of a matrix structure ( 420, sequentially forming the sacrificial layer 430; Flattening the surface of the sacrificial layer 430 and patterning the sacrificial layer 430 into a predetermined shape; Sequentially forming the membrane 440, the lower electrode 450, and the deformable portion 460 on the etch stop layer 420 exposed by the patterning of the sacrificial layer 430 and the sacrificial layer 430; Patterning the deformable portion (460) and the lower electrode (450) into predetermined shapes, respectively; Sequentially etching the membrane 440, the etch stop layer 420, and the protective layer 410 to form via holes having a predetermined shape; Forming a via contact layer (470) over the via hole; Forming an insulating layer (480) on top of the via contact layer (470); Patterning the insulating layer (480) to a predetermined shape; Forming an upper electrode 490 on the deformable portion 460 exposed by patterning the insulating layer 480 and the insulating layer 480; Patterning the upper electrode 490 and the membrane 440 sequentially in a pixel shape; Applying a protective film to the entire surface of the actuator (400 ') patterned in the pixel shape; Etching to remove the sacrificial layer (430); And removing a portion of the protective film to expose the upper electrode. 제1항에 있어서, 상기 희생층은(430)은, 화학적 기계 연마(CMP) 공정으로 평탄화 되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the sacrificial layer is planarized by a chemical mechanical polishing (CMP) process. 제1항에 있어서, 상기 멤브레인(440)은, 저압 화학 기상 증착(LPCVD)로 형성되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the membrane (440) is formed by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). 제3항에 있어서, 상기 멤브레인(440)은, 가스 비율(Gas Ratio)을 시간별로 변화시켜 박막의 스트레스(Stress)를 조절하는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of claim 3, wherein the membrane 440 adjusts the stress of the thin film by changing a gas ratio over time. 제1항에 있어서, 상기 변형부(460)는, 급가열 공정(RTA)로 열처리하여 상변이 시키는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the deformable portion (460) is subjected to heat treatment by a rapid heating process (RTA) to cause phase shift. 제1항에 있어서, 상기 비아 홀(VIA-Hole)은, 상기 구동 기판(400)에 내장된 능동 소자가 노출되도록 상기 능동 소자의 상부 표면까지 연장되어서 위치되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the via hole VIA-Hole is positioned to extend to an upper surface of the active element so that the active element embedded in the driving substrate 400 is exposed. Way. 제1항에 있어서, 상기 비아 컨택(470)은, 전기 전도성을 갖는 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the via contact (470) is made of a metal having electrical conductivity. 제7항에 있어서, 상기 비아 컨택(470)은, 리프트 오프(Lift-off) 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.8. The method of claim 7, wherein the via contact (470) is formed by a lift-off method. 상기 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 비아 컨택(470)은, 하부 전극과 능동 소자를 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of claim 7 or 8, wherein the via contact (470) electrically connects the lower electrode and the active element. 제1항에 있어서, 상기 절연층(480)은, 옥사이드(Oxide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the insulating layer (480) is made of oxide (Oxide). 제1항에 있어서, 상기 절연층(480)은, 니트라이드(Nitride)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the insulating layer (480) is formed of nitride. 제10항 또는 11항에 있어서, 상기 절연층(480)은, 증착(Evaporation)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of manufacturing an optical path control apparatus according to claim 10 or 11, wherein the insulating layer (480) is formed by evaporation. 제12항에 있어서, 상기 절연층(480)은, 비아 컨택(470)의 상부에만 형성되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of claim 12, wherein the insulating layer (480) is formed only on the top of the via contact (470). 제10항 또는 11항에 있어서, 상기 절연층(480)은, 스퍼터링(Sputtering)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of manufacturing an optical path adjusting device according to claim 10 or 11, wherein the insulating layer (480) is made of sputtering. 제14항에 있어서, 상기 절연층(480)은, 비아 컨택(470)의 상부에만 형성되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.15. The method of claim 14, wherein the insulating layer (480) is formed only over the via contact (470). 제10항 또는 11항에 있어서, 상기 절연층은, 프라즈마 화학 기상 증착(PCVD)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of manufacturing an optical path control apparatus according to claim 10 or 11, wherein the insulating layer is made of plasma chemical vapor deposition (PCVD). 제16항에 있어서, 상기 절연층(480)은, 비아 컨택(470)의 상부에만 형성되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.17. The method of claim 16, wherein the insulating layer (480) is formed only on the top of the via contact (470). 제1항에 있어서, 상기 상부 전극(490)은, 소정 부위가 수평절단(Stripe)되어 있는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein a predetermined portion of the upper electrode (490) is horizontally cut (Stripe). 제1항에 있어서, 상기 보호막은, 포토레지스터(PR : Photo Resist)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.The method of manufacturing an optical path control apparatus according to claim 1, wherein the protective film is made of a photo resist (PR). ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.※ Note: This is to be disclosed by the original application.
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