KR970077053A - 자유전자층에 의한 평면 음극선관 - Google Patents
자유전자층에 의한 평면 음극선관 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 소전력으로도 자유전자층에 충분하고도 균일한 전자밀도를 유지시키고 나아가 진동을 방지할 수 있는 강도의 가속전극을 지니는, 자유전자층에 의한 평면 음극선관을 제공한다.
이러한 자유전자층에 의한 평면 음극선관은, 전면판과 와이어 캐소드사이에서 그 와이어 캐소드로부터 방출되는 자유전자의 일부를 그 전면판측으로 가속시켜 통과시키고 그 통과된 자유전자를 반대방향으로 가속시켜 왕복운동시킴으로써 상기 전면판과 평행하게 앞, 뒤로 전, 후방 자유전자층을 형성하며, 통과되지 못하고 충돌하는 자유전자에 의해 가속된 적어도 하나 이상의 전자를 방출하기 위한 전자방출층이 형성된 가속전극을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 전자방출층을 형성함으로써 투과율을 낮추고 강도가 높은 구조의 판구조로 가속전극을 구성할 수 있으며, 나아가 새도우마스크의 에칭기술에 의해 가속전극의 관통공의 전면개구를 후면개구보다 좁게 함으로써 전방에서 보다 높은 전자밀도를 유지할 수 있게 되어, 진동을 일으킴이 없이 자유전자층에 의한 평면 음극선관을 대형화할 수 있고, 또한, 낮은 전력으로도 높은 휘도를 구현할 수 있는 등의 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 자유전자층에 의한 평면음극선관의 구성을 나타내는 제2도와 유사한 측단면도, 제4도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 부분확대단면도.
Claims (5)
- 전자가 충돌하여 전면으로 화상을 나타내기 위해 배면에 양극이 인가되고 스크린이 형성되는 전면판; 상기 전면판으로부터 후방으로 소정의 간격을 두고 상기 전면판과 평행하게 배치되어 자유전자를 공급하기 위한 다수의 와이어 캐소드; 상기 전면판과 와이어 캐소드사이에서 그 와이어 캐소드로부터 방출되는 자유전자의 일부를 그 전면판측으로 가속시켜 통과시키고 그 통과된 자유전자를 반대방향으로 가속시켜 왕복운동시킴으로써 상기 전면판과 평행하게 앞, 뒤로 전, 후방 자유전자층을 형성하며, 통과되지 못하고 충돌하는 자유전자에 의해 가속된 적어도 하나 이상의 전자를 방출하기 위한 전자방출층이 형성된 가속전극; 그리고 상기 전방 자유전자층과 전면판사이에서 그 전방 자유전자층으로부터 상기 전면판의 스크린구조에 따라 순차적으로 그 스크린의 소정의 영역으로 자유전자들을 인출하여 주사하기 위한 어드레스수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 자유전자층에 의한 평면음극선관.
- 제1항에 있어서, 상기 가속전극은 적어도 50%이상의 전자투과율을 지니는 다수의 관통공이 소정의 배열로 배열된 박판형상인 것을 특징으로 하는 자유전자층에 의한 평면음극선관.
- 제2항에 있어서, 상기 박판형상의 가속전극의 다수의 관통공이 그 전면의 개구의 직경보다 큰 후면의 개구의 직경을 지니는 것을 특징으로 하는 자유전자층에 의한 평면음극선관.
- 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 가속전극의 전자방출층이 그 가속전극의 외부표면에 형성되는 Cu-Be층인 것을 특징으로 하는 자유전자층에 의한 평면음극선관.
- 전자가 충돌하여 전면으로 화상을 나타내기 위해 배면에 양극이 인가되고 스크린이 형성되는 전면판과, 상기 전면판으로부터 후방으로 소정의 간격을 두고 상기 전면판과 평행하게 배치되어 전방에 자유전자층을 형성할 자유전자를 공급하기 위한 다수의 와이어 캐소드와, 그 전방 자유전자층과 전면판사이에서 그 전방 자유전자층으로부터 상기 전면판의 스크린구조에 따라 순차적으로 그 스크린의 소정의 영역으로 자유전자들을 인출하여 주사하기 위한 어드레스수단을 포함하는 평면음극선관에 있어서, 상기 전면판과 와이어 캐소드사이에서 그 와이어 캐소드로부터 방출되는 자유전자의 일부를 그 전면판측으로 가속시켜 통과시키고 그 통과된 자유전자를 반대방향으로 가속시켜 왕복운동시킴으로써 상기 전면판과 평행하게 앞, 뒤로 전, 후방 자유전자층을 형성하며, 통가되지 못하고 충돌하는 자유전자에 의해 가속된 적어도 하나 이상의 전자를 방출하기 위한 전자방출층이 형성되어, 그 자유전자층이 높은 전자밀도로 유지되고 투과율을 낮춤으로써 강도가 높은 구조로 구성할 수 있는 것을 특징으로 하는 자유전자층에 의한 평면음극선관용 가속전극.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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Family Applications (1)
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KR (1) | KR100246286B1 (ko) |
-
1996
- 1996-05-11 KR KR1019960015650A patent/KR100246286B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100246286B1 (ko) | 2000-03-15 |
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