Claims (18)
반도체 소자(10)와, 상기 반도체소자에 형성된 접속전극에 돌기형상의 범프전극을 매개로 접속되는 내부리드(7), 외부리드(8) 및 이 내부리드와 외부리드 사이에 연속적으로 존재하는 중간리드로 구성된 복수의 리드(6), 상기 중간리를 지지하는 수지테이프(2) 및, 상기 고수의 리드중 전원리드로부터 선택된 소정의 리드가 적어도 2개의 돌기형상의 범프전극(62,63)을 매개로 상기 내부리드 및 상기 외부리드에 접속된 금속판(1)을 구비하고, 상기 금속판이 상기 수지테이프, 상기 중간리드, 상기 내부리드의 일부 및 상기 외부리드의 일부와 대향하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.The inner lead 7, the outer lead 8 connected to the semiconductor element 10 and the connection electrode formed on the semiconductor element via a bump-shaped bump electrode, and an intermediate portion continuously present between the inner lead and the outer lead. A plurality of leads 6 composed of leads, a resin tape 2 supporting the intermediate ribs, and a predetermined lead selected from the power supply leads among the plurality of leads lead at least two bump-shaped bump electrodes 62 and 63. And a metal plate 1 connected to the inner lead and the outer lead, wherein the metal plate is disposed to face the resin tape, the intermediate lead, a portion of the inner lead, and a portion of the outer lead. A semiconductor device.
반도체 소자(10)와, 상기 반도체소자에 형성된 접속전극에 돌기형상의 범프전극을 매개로 접속되는 내부리드(7), 외부리드(8) 및 이 내부리드와 외부리드 사이에 연속적으로 존재하는 중간리드로 구성된 복수의 리드(6), 상기 복수의 리드중 전원리드로부터 선택된 소정의 리드가 중간리드에 형성된 광폭부(18,19), 상기 복수의 리드의 중간리드 및 광폭부를 지지하는 수지테이프(2), 상기 수지테이프에 대향하여 설치된 금속판(1) 및, 상기 수지테이프의 양측단 근방에 있어서 상기 수지테이프를 관통하여 상기 금속판과 상기 광폭부를 접속하는 금속기둥(17)을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.The inner lead 7, the outer lead 8 connected to the semiconductor element 10 and the connection electrode formed on the semiconductor element via a bump-shaped bump electrode, and an intermediate portion continuously present between the inner lead and the outer lead. A plurality of leads 6 composed of leads, wide portions 18 and 19 having predetermined leads selected from the power leads among the plurality of leads formed in the intermediate leads, and resin tapes for supporting the intermediate leads and the wide portions of the plurality of leads ( 2) a metal plate 1 provided to face the resin tape and a metal column 17 for connecting the metal plate and the wide part through the resin tape in the vicinity of both side ends of the resin tape. A semiconductor device.
제1항에 있어서, 상기 금속판은 복수의 금속판으로 이루어지고, 이들 금속판은 각각 다른 전위의 상기 전원리드에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.The semiconductor device according to claim 1, wherein the metal plate is made of a plurality of metal plates, and these metal plates are connected to the power supply leads of different potentials, respectively.
제2항에 있어서, 상기 금속판은 복수의 금속판으로 이루어지고, 이들 금속판은 각각 다른 전위의 상기 전원리드에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.The semiconductor device according to claim 2, wherein the metal plate is made of a plurality of metal plates, and these metal plates are connected to the power supply leads of different potentials, respectively.
제3항에 있어서, 상기 복수의 금속판은 동일 평면상에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the plurality of metal plates are arranged on the same plane.
제4항에 있어서, 상기 복수의 금속판은 동일 평면상에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치The semiconductor device according to claim 4, wherein the plurality of metal plates are arranged on the same plane.
제3항에 있어서, 상기 복수의 금속판중 1개는 상기 수지테이프의 아래면측에 배치되고, 다른 1개는 상기 복수의 리드의 위쪽에 배치되어 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.4. The semiconductor device according to claim 3, wherein one of the plurality of metal plates is disposed on the lower surface side of the resin tape, and the other is disposed above the plurality of leads.
제4항에 있어서, 상기 복수의 금속판중 1개는 상기 수지테이프의 아래면측에 배치되고, 다른 1개는 상기 복수의 리드의 위쪽에 배치되어 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.The semiconductor device according to claim 4, wherein one of the plurality of metal plates is disposed on the lower surface side of the resin tape, and the other is disposed above the plurality of leads.
제3항에 있어서, 상기 복수의 금속판은 상기 수지테이프의 아래면측 또는 상기 복수의 리드의 위쪽중 어느 측에 유전체(20)을 매개로 겹쳐서 배치되고, 이들 금속판은 각각 다른 전위의 상기 전원리드에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.4. The plurality of metal plates of claim 3, wherein the plurality of metal plates are disposed on either side of the bottom surface of the resin tape or on the upper side of the plurality of leads via the dielectric 20, and these metal plates are respectively disposed on the power supply leads of different potentials. A semiconductor device, which is connected.
제4항에 있어서, 상기 복수의 금속판은 상기 수지테이프의 아래면측 또는 상기 복수의 리드의 위쪽중 어느 측에 유전체(20)를 매개로 겹쳐서 배치되고, 이들 금속판은 각각 다른 전위의 상기 전원리드에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.The metal plates of claim 4, wherein the plurality of metal plates are disposed on either side of the bottom surface of the resin tape or on an upper side of the plurality of leads through the dielectric 20, and the metal plates are respectively connected to the power leads of different potentials. A semiconductor device, which is connected.
제1항에 있어서, 상기 복수의 금속판중 1개는 상기 수지테이프의 아래면측에 배치되고, 다른 1개는 상기 복수의 리드의 위쪽에 배치되며, 이들 금속판은 같은 전위의 상기 전원리드에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.2. The metal plate according to claim 1, wherein one of the plurality of metal plates is disposed on the lower surface side of the resin tape, and the other is disposed above the plurality of leads, and these metal plates are connected to the power supply leads of the same potential. There is a semiconductor device.
제2항에 있어서, 상기 복수의 금속판중 1개는 상기 수지테이프의 아래면측에 배치되고, 다른1개는 상기 보수의 리드의 위쪽에 배치되며, 이들 금속판은 같은 전위의 상기 전원리드에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.3. The metal plate according to claim 2, wherein one of the plurality of metal plates is disposed on the lower surface side of the resin tape, and the other one is disposed above the lead of the repair, and these metal plates are connected to the power lead of the same potential. There is a semiconductor device.
제1항에 있어서, 상기 금속판은 상기 반도체소자와 접촉하고 있을 것을 특징으로 하는 반도체장치.The semiconductor device according to claim 1, wherein said metal plate is in contact with said semiconductor element.
제2항에 있어서, 상기 금속판은 상기 반도체소자와 접촉하고 있을 것을 특징으로 하는 반도체장치.The semiconductor device according to claim 2, wherein the metal plate is in contact with the semiconductor element.
금속판에 돌기형상의 범프전극을 형성하는 공정과, 내부리드, 외부리드 및 이 내부리드와 외부리드 사이에 연속적으로 존재하고 수지테이프에 지지된 중간리드로 구성된 복수의 리드의 상기 내부리드의 선단을 반도체소자의 접속전극에 돌기형상의 범프전극을 매개로 접속하는 공정, 상기 금속판의 돌기형상의 범프전극을 상기 수지테이프의 양측단 근방에 있어서 상기 내부리드 및 상기 외부리드에 각각 접합하는 공정 및, 상기 복수의 리드중 전원리드로부터 선택된 소정의 리드의 상기 내부리드와 상기 외부리드를 접속하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.A process of forming a bump-shaped bump electrode on a metal plate, and a tip of the inner lead of the plurality of leads consisting of an inner lead, an outer lead, and an intermediate lead continuously present between the inner lead and the outer lead and supported by a resin tape. Connecting the bump-shaped bump electrodes to the connection electrodes of the semiconductor device via the bump-shaped bump electrodes; bonding the bump-shaped bump electrodes of the metal plate to the inner lead and the outer lead in the vicinity of both ends of the resin tape; And a step of connecting the inner lead and the outer lead of a predetermined lead selected from the power leads among the plurality of leads.
내부리드, 외부리드 및 이 내부리드와 외부리드 사이에 연속적으로 존재하고 중간리드로 구성된 복수의 리드와, 이 복수의 리드중 전원리드로부터 선택된 소정의 리드에 광폭부를 형성하고, 또한 상기 복수의 리드의 중간리드 및 상기 광폭부를 수지테이프로 지지한 테이프캐리어를 준비하는 공정과, 상기 테이프캐리어의 각 리드의 내부리드 선단을 반도체소자의 접속전극의 돌기형상의 범프전극을 매개로 접속하는 공정, 상기 금속판을 상기 수지테이프에 접촉시키고, 이 접촉상태를 보지하는 공정, 상기 금속판, 상기 수지테이프 및 상기 소정의 리드의 광폭부에 금속기둥을 관통시키는 공정 및, 상기 금속기둥을 눌러 찌그려뜨려서 상기 금속판과 상기 소정의 리드를 전기적으로 접속하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.A wide portion is formed in the inner lead, the outer lead, and a plurality of leads continuously formed between the inner lead and the outer lead and composed of intermediate leads, and predetermined leads selected from power leads among the plurality of leads, and the plurality of leads Preparing a tape carrier supporting the intermediate lead and the wide portion of the tape with a resin tape; connecting the inner lead end of each lead of the tape carrier to the bump-shaped bump electrode of the connection electrode of the semiconductor device; A step of bringing the metal plate into contact with the resin tape and holding the contact state; a step of penetrating the metal column through the wide portions of the metal plate, the resin tape, and the predetermined lead; and pressing the metal column to crush the metal plate. And electrically connecting the predetermined lead to each other. Method.
중심영역에 반도체 소자용 개구부를 갖추고, 주변부에 외부리드용 개구부를 갖춘 수지테이프와, 상기 개구부 사이의 수지테이프에 지지되고, 상기 반도체소자용 개구부의 내측에 선단부가 돌출되어 있는 내부리드와 연속적으로 이어지는 중간리드 및 이 중간리드와 연속적으로 이어지면서 내부리드용 개구부의 내측에 선단부가 돌출되는 외부리드로 구성된 복수의 리드 및, 상기 복수의 리드중 전원리드로부터 선택된 소정의 리드가 적어도 2개의 돌기형의 펌프전극을 매개로 상기 내부리드 및 상기 외부리드에 접속된 금속판을 구비하고, 상기 금속판이 상기 수지테이프, 상기 중간리드, 상기 내부리드의 일부 및 상기 외부리드의 일부와 대향하도록 배치하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치용 테이프캐리어.A resin tape having an opening for a semiconductor element in a central region, an opening for an outer lead at a periphery thereof, and an inner lead supported by a resin tape between the openings and having a protruding end portion inside the opening for the semiconductor element. A plurality of leads consisting of a continuous lead leading to the lead and an outer lead protruding from the inside of the opening for the inner lead and a predetermined lead selected from the power lead among the plurality of leads; A metal plate connected to the inner lead and the outer lead via a pump electrode, wherein the metal plate is disposed so as to face the resin tape, the intermediate lead, a portion of the inner lead and a portion of the outer lead. A tape carrier for semiconductor devices.
중심영역에 반도체 소자용 개구부를 갖추고, 주변부에 외부리드용 개구부를 갖춘 수지테이프와, 상기 반도체소자에 형성된 접속전극에 돌기형상의 범프전극을 매개로 접속되는 내부리드, 외부리드 및 이 내부리드와 외부리드 사이에 연속적으로 존재하는 중간리드로 구성된 복수의 리드, 상기 복수의 리드중 전원리드로부터 선택된 소정의 리드의 중간리드부에 형성된 광폭부, 상기 수지테이프에 대향하여 설치된 금속판 및, 상기 수지 테이프의 양측단 근방에 있어서 상기 수지테이프를 관통하여 상기 금속판과 상기 광폭부를 접속하는 금속기둥을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치용 테이프캐리어.A resin tape having an opening for a semiconductor element in a central region and an opening for an outer lead at a periphery thereof, an inner lead, an outer lead, and an inner lead connected to a connecting electrode formed in the semiconductor element via a bump-shaped bump electrode; A plurality of leads composed of intermediate leads continuously present between outer leads, a wide portion formed in an intermediate lead portion of a predetermined lead selected from power leads among the plurality of leads, a metal plate provided to face the resin tape, and the resin tape And a metal pillar penetrating the resin tape to connect the metal plate and the wide portion in the vicinity of both side ends of the semiconductor tape.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.