Claims (8)
반도체소자의 필드 산화막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 패드 산화막 및 질화막을 형성하는 단계와, 상기 필드 산화막이 형성된 상부면에 소자 분리 마스크를 이용한 식각공정에 의해 질화막을 식각하는 단계와, 상기 전체 소자에 산화 공정을 실시하여 필드 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 필드 산화막 형성방법.A method of forming a field oxide film of a semiconductor device, the method comprising: forming a pad oxide film and a nitride film on a silicon substrate, etching the nitride film by an etching process using an element isolation mask on an upper surface on which the field oxide film is formed; A field oxide film forming method for a semiconductor device, characterized in that a field oxide film is formed by performing an oxidation process on the device.
반도체소자의 필드 산화막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 패드 산화막, 폴리실리콘층 및 질화막을 형성하는 단계와, 상기 필드 산화막이 형성된 상부면에 소자 분리 마스크를 이용한 식각공정에 의해 질화막 및 폴리실리콘층을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 전체 소자에 산화 공정을 실시하여 필드 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 필드 산화막 형성방법.A method of forming a field oxide film of a semiconductor device, the method comprising: forming a pad oxide film, a polysilicon layer, and a nitride film on a silicon substrate; Etching sequentially and performing an oxidation process on the entire device to form a field oxide film.
제1항에 있어서, 상기 패드산화막은 30내지 300Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 필드 산화막 형성방법.The method of claim 1, wherein the pad oxide film is formed to a thickness of 30 to 300 kPa.
제1항에 있어서, 상기 패드 산화막은 열산화 튜브에 로딩한 후, 800내지 1000℃의 온도에서 열산화 공정에 의해 소정의 시간동안 안정화시킨 후 N2O가스와 t-DCE증가를 흘려 성장하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 필드 산화막 형성 방법.The method of claim 1, wherein the pad oxide film is loaded into a thermal oxidation tube, stabilized for a predetermined time by a thermal oxidation process at a temperature of 800 to 1000 ℃ and then grown by flowing an N 2 O gas and t-DCE increase A method of forming a field oxide film of a semiconductor device, characterized by the above-mentioned.
제1항에 있어서, 상기 질화막은 질화막 증착로에서 1000 내지 3000℃ 온도에서 NH3가스와 DCS가스를 반응시켜 약1000 내지 3000Å의 두께로 질화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 필드 산화막 형성방법.The method of claim 1, wherein the nitride film reacts with a NH 3 gas and a DCS gas at a temperature of 1000 to 3000 ° C. in a nitride film deposition furnace to form a nitride film having a thickness of about 1000 to 3000 μm. .
제2항에 있어서, 상기 폴리 실리콘층은 500내지 650℃의 온도에서 SiH4및 Si2H6와 같은 가스를 이용하여 300 내지 700Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 필드 산화막 형성방법.The method of claim 2, wherein the polysilicon layer is formed to a thickness of 300 to 700 kW using a gas such as SiH 4 and Si 2 H 6 at a temperature of 500 to 650 ° C. 4. .
제2항에 있어서, 상기 질화막은 질화막 증착로에서 700 내지 850℃의 온도에서 NH3와 DCS가스를 이용하여 1000Å내지 3000Å의 두께로 질화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 필드 산화막 형성 방법.The method of claim 2, wherein the nitride film is formed in a nitride film deposition furnace using a NH 3 and a DCS gas at a temperature of 700 to 850 ° C. to form a nitride film having a thickness of 1000 kPa to 3000 kPa.
제2항에 있어서, 상기 패드 산화막은 열 산화막 튜브에서 800 내지 1000℃ 온도에서 N2O가스를 이용하여 30 내지 300Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법.The method of claim 2, wherein the pad oxide layer is formed to have a thickness of 30 to 300 kPa using N 2 O gas at a temperature of 800 to 1000 ° C. in a thermal oxide tube.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.