KR970049652A - 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로 - Google Patents
직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로에 관한 것으로, 특히 CPU와 직접 메모리 억세스 기능을 갖는 입출력장치간에 버스사용권을 효과적으로 중재하여 효율적인 데이타 처리를 해 주는 버스사용 중재회로에 관한 것이다.
종래에는 우선순위가 낮은 입출력장치가 우선수위가 높은 입출력 장치로 인해 버스사용권을 안정적으로 배분받지 못하여 효율적인 데이타 처리가 곤란하고, 순차회로의 클럭 동기가 CPU의 시스템 클럭 동기와 상이하여 데이타 처리 속도를 향상시킬 수 없게 되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 다수의 입출력장치가 동시에 버스사용 요청을 할 경우 우선순위가 낮은 입출력장치에 안정적으로 버스사용권을 제공할 수 있고, 입출력장치와 CPU의 타이밍 간격이 상이하므로 CPU의 시스템 클럭에 동기시키지 않고 D플립플롭에 비동기적으로 제어클럭을 운용함으로써, 효율적이고 신속한 데이타 처리를 할 수 있으며, 입출력장치가 증설되더라도 FPGA로 구성된 모듈별로 설계되어 있어서 버스사용중신호(BUSY)만 하나식 추가하면 되므로 회로구성을 용이하게 할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로의 블럭 구성도.
제2도는 제1도에 도시된 버스사용 중재회로에 상세 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1a~1n : 입출력장치 2 : 버스사용 중재회로
3 : CPU 4 : 메모리
10 : 제1논리부 11~13 : 논리곱 게이트
14 : 부정논리합 게이트 30 : 제2논리부
31 : 반전부 IN11~IN1n : 인버터
32 : 래치부 D1~Dn : D플립플롭
33 : 반전부 IN21~IN2n : 인버터
34 : 신호출력부 34a~34n-1: 논리회로부
IN31~IN3n-1: 인버터부 OR1~ORn-1: 논리합 게이트
50 : 제3논리부 51 : 인버터부
52, 56, 57 : 인버터 53 : 논리곱 게이트
54, 55 : D플립플롭
Claims (5)
- 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로에 있어서, 다수의 입출력장치(1a~1n)로부터 인가되는 버스사용요청신호()와 CPU(3)측에 출력되는 버스사용요청신호()와 상기 입출력장치(1a~1n)측에 출력되는 버스사용허가신호()를 입력받아 논리 연산처리하여 출력하는 제1논리부(10)와, 상기 제1논리부(10)로부터 인가되는 신호(LBPCK)와 입출력장치(1a~1n)로부터 인가되는 버스사용요청신호()를 입력받아 논리연산처리하여 다수의 버스사용중신호()를 출력하는 제2논리부(30)와; 상기 제2논리부(30)로부터 인가되는 버스사용중신호()와 입출력장치(1a~1n)로 부터 인가되는 버스사용요청신호()와 CPU(3)로부터 인가되는 버스사용허가신호() 및 어드레스 스트로브신호()를 입력받아 논리 연산처리하여 제1논리부(10)와 CPU(3)측에 다수의 버스사용요청신호()를 출력함과 동시에 상기 제1논리부와 입출력장치(1a~1n)측에 다수의 버스사용허가신호()를 출력하는 제3논리부(50)를 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1논리부(10)는 입출력장치(1a~1n)로 부터 인가되는 다수의 버스사용요청신호()를 논리곱 연산하여 출력하는 논리곱 게이트(11)와; 상기 제3논리부(50)로 부터 인가되는 다수의 버스사용요청신호()를 논리곱 연산하여 소정의 버스사용요청신호()를 출력하는 논리곱 게이트(12)와; 상기 제3논리부(50)로 부터 인가되는 다수의 버스사용허가신호()를 논리곱 연산하여 버스사용확인신호()를 출력하는 논리곱 게이트(13)와; 상기 논리곱 게이트(11)와 상기 논리곱 게이트(12)로 부터 인가되는 신호를 논리 연산처리하여 생성된 신호(LBRCK)를 상기 제2논리부(50)측으로 출력하는 부정논리합 게이트(14)를 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제2논리부(50)는 입출력장치(1a~1n)로 부터 인가되는 다수의 버스사용요청신호()를 반전시켜 출력하는 반전부(31)와; 입출력장치(1a~1n)로 부터 인가되는 버스사용요청신호()와 상기 반전부(31)로 부터 인가되는 신호와 상기 부정논리합 게이트(14)로 부터 인가되는 신호(LBPCK)를 래치하였다가 출력하는 래치부(32)와; 상기 래치부(32)로 부터 인가되는 신호를 반전시켜 출력하는 반전부(33)와; 상기 반전부(33)로 부터 인가되는 신호를 논리 연산처리하여 다수의 버스사용중신호()를 상기 제3논리부(50)측에 출력하는 신호출력부(34)를 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로.
- 제3항에 있어서, 상기 신호출력부(34)는 상기 반전부(33)로 부터 입력되는 신호를 재반전하여 출력하고, 상기 반전부(33)로 부터 입력되는 신호와 상기 재반전된 신호를 논리합 연산하여 출력하는 다수의 논리회로부(34a~34n1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로.
- 제1항에 있어서, 제3논리부(50)는 상기 제2논리부(20)로 부터 인가되는 버스사용중신호()와 CPU로 부터 인가되는 버스사용허가신호()를 반전시켜 출력하는 인버터부(51)와; 상기 반전부(51)로 부터 인가되는 신호와 CPU로 부터 인가되는 어드레스 스트로브신호()를 논리곱 연산하여 출력하는 논리곱 게이트(53)와; 바이어스전압(+5V)에 의해 설정된 하이레벨 신호와 클리어단자(CLR)를 통해 인가되는 버스사용요청신호()를 상기 논리곱 게이트(53)로 부터 인가되는 클럭신호에 따라 래치하였다가 출력하는 D플립플롭(55)과; 상기 D플립플롭(55)로 부터 인가되는 신호를 반전시켜 상기 제1논리부(10)측에 소정의 버스사용허가신호()를 출력하는 인버터(57)와; 소정의 버스사용요청신호()를 입력받아 반전시켜 출력하는 인버터(52)와; 바이어스전압(+5V)에 의해 설정된 하이레벨 신호와 상기 D플립플롭(55)으로 클리어단자(CLR)를 통해 인가되는 신호를 상기 인버터(52)로 부터 인가되는 클럭신호에 따라 래치하였다가 출력하는 D플립플롭(54)과; 상기 D플립플롭(54)으로 부터 인가되는 신호를 반전시켜 CPU측에 소정의 버스사용요청신호()를 출력하는 인버터(56)를 구비하는 다수의 논리처리부(50a~50n)를 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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---|---|---|---|
KR1019950056841A KR0159008B1 (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로 |
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KR1019950056841A KR0159008B1 (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로 |
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KR1019950056841A KR0159008B1 (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 직접 메모리 억세스에서의 버스사용 중재회로 |
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KR (1) | KR0159008B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100389030B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 다중 채널을 가진 고속 직접 메모리 억세스 컨트롤러 |
KR100442440B1 (ko) * | 2001-08-28 | 2004-07-30 | 엘지전자 주식회사 | 프로그램 로직을 이용한 메모리 액세스 제어방법 및 장치 |
KR100451722B1 (ko) * | 2000-02-25 | 2004-10-08 | 엘지전자 주식회사 | 직접 메모리 액세스 제어 장치 |
KR100551480B1 (ko) * | 2004-10-25 | 2006-02-13 | 삼성전자주식회사 | 프로세서와 비휘발성 메모리 사이에 위치하는 메모리장치, 이를 포함한 시스템 및 상기 시스템 내의 데이터송수신 방법 |
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1995
- 1995-12-26 KR KR1019950056841A patent/KR0159008B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR100451722B1 (ko) * | 2000-02-25 | 2004-10-08 | 엘지전자 주식회사 | 직접 메모리 액세스 제어 장치 |
KR100389030B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 다중 채널을 가진 고속 직접 메모리 억세스 컨트롤러 |
KR100442440B1 (ko) * | 2001-08-28 | 2004-07-30 | 엘지전자 주식회사 | 프로그램 로직을 이용한 메모리 액세스 제어방법 및 장치 |
KR100551480B1 (ko) * | 2004-10-25 | 2006-02-13 | 삼성전자주식회사 | 프로세서와 비휘발성 메모리 사이에 위치하는 메모리장치, 이를 포함한 시스템 및 상기 시스템 내의 데이터송수신 방법 |
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KR0159008B1 (ko) | 1999-02-18 |
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