Claims (9)
포토다이오드 제조방법에 있어서, n+ - InP 기판상부에 n+ - InP 버퍼층, U-InGaAs 수광층, U-InP 윈도우층 및 U-InGaAs 보호층을 적층하는 단계와, 상기 딘-InGaAs 보호층 상부에 감광막패턴을 형성하고, 노출된 U-InGaAs 보호층을 식각하여 U-InGaAs 보호층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 U-InP 윈도우층 상부에 Zn이 확산될 지역에만 노출되는 Zn 확산 방지 마스크용 산화막패턴을 형성한 단계와, 노출된 상기 U-InP 윈도우층으로 Zn을 확산시켜서 P형 도핑 영역을 형성하는 단계와, 상기 U-InGaAs 보호층 패턴 상부에 접촉 저항 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토다이오드 제조방법.A photodiode manufacturing method, comprising: laminating an n +-InP buffer layer, a U-InGaAs light receiving layer, a U-InP window layer, and a U-InGaAs protective layer on an n +-InP substrate, and a photoresist film on the din-InGaAs protective layer. Forming a pattern, etching the exposed U-InGaAs protective layer to form a U-InGaAs protective layer pattern, and forming an oxide film pattern for a Zn diffusion barrier mask exposed only to a region where Zn is to be diffused on the U-InP window layer Forming a P-type doped region by diffusing Zn into the exposed U-InP window layer, and forming a contact resistance metal pattern on the U-InGaAs protective layer pattern. Diode manufacturing method.
제1항에 있어서, 상기 접촉 금속 패턴은 Au/Pt/Au 적층패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the contact metal pattern is formed of an Au / Pt / Au layered pattern.
제1항에 있어서, 상기 포토다이오드는 PiN 포토다이오드와 APD를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the photodiode comprises a PiN photodiode and an APD.
제1항에 있어서, 상기 Zn 대신에 Cd를 확산 시키는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein Cd is diffused instead of Zn.
제1항에 있어서, 상기 P형 도핑 영역은 p+ -InGaAs 또는 p+ - InP 인 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the P-type doped region is p + -InGaAs or p + -InP.
포토 다이오드에 있어서, n+ - InP 기판상부에 n+ - InP 버퍼층, U-InGaAs 수광층 및 U-InP 윈도우층이 적층되고, 상기 U-InP 윈도우층 상부에 U-InGaAs 보호층 패턴이 형성되고, 상기 U-InGaAs 보호층 패턴의 주변의 하부에 있는 U-InP 윈도우층의 일정부분에 P형 도핑 영역이 형성되고, 상기 U-InGaAs 보호층 패턴 상부에 접촉 저항 금속 패턴이 구비되는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.In the photodiode, an n +-InP buffer layer, a U-InGaAs light receiving layer, and a U-InP window layer are stacked on an n +-InP substrate, and a U-InGaAs protective layer pattern is formed on the U-InP window layer. A P-type doped region is formed in a portion of the U-InP window layer below the periphery of the U-InGaAs protective layer pattern, and a contact resistance metal pattern is provided on the U-InGaAs protective layer pattern. diode.
제6항에 있어서, 상기 접촉 금속 패턴은 Au/Pt/Au 패턴인 것을 특징으로 하는 포토다이오드.The photodiode of claim 6, wherein the contact metal pattern is an Au / Pt / Au pattern.
제6항에 있어서, 상기 포토다이오드는 PiN 포토다이오드와 APD를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드.The photodiode of claim 6, wherein the photodiode comprises a PiN photodiode and an APD.
제6항에 있어서, 상기 P형 도핑 영역은 p+ - InGaAs 또는 p+ - InP인 것을 특징으로 하는 포토다이오드.7. The photodiode of claim 6, wherein the p-type doped region is p +-InGaAs or p +-InP.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.