KR970016811A - 변형조명방법, 이에 사용되는 반사경 및 그 제조방법 - Google Patents

변형조명방법, 이에 사용되는 반사경 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

변형조명방법과 이에 사용되는 반사경 및 그 제조 방법에 관해 개시한다. 본 발명은 반사경에 반사된 광선을 이용하여 마스크 패턴을 웨이퍼에 전사하기 위한 변형조명 방법에 있어서, 전반사 영역과 전흡광 영역을 구비하는 반사경을 이용하여 사입사 조명성분을 조명하여 웨이퍼에 선폭이 균일한 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 변형조명 방법을 제공한다. 또한 본 발명은 상기 변형조명 방법에 사용되는 반사경 및 상기 반사경을 제조하는데 있어서 가장 적합한 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의한 변형조명 방법은 광 강도 및 조사 각도가 균일하여 웨이퍼에서의 선폭의 균일도는 향상시키는 변형 조명을 구현한다.

Description

변형조명방법, 이에 사용되는 반사경 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 7도 내지
제 10도는 본 발명에 의한 변형조명용 투영노광장치의 반사경들을 도시한 평면도들이다.

Claims (21)

  1. 반사경에 반사된 광선을 이용하여 마스크 패턴을 웨이퍼 전사하기 위한 변형조명방법에 있어서, 전반사 영역과 전흡광 영역을 구비하는 반사경을 이용하여 사입사 조명성분을 조명하여 웨이퍼에 선폭이 균일한 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 변형조명방법.
  2. 제 1항에 있어서, 위상이동 및 일부 반사영역을 더 구비하는 반사경을 이용하여 사입사 조명성분에 직진 조명성분을 더 부가 조명하여 웨이퍼에 선폭이 균일한 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 변형조명방법.
  3. 변형조명 투영노광장치에 이용되는 반사경에 있어서, 전반사 영역과 전흡광 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 변형용 반사경.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 전반사 영역은 광 반사율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경.
  5. 제 3항에 있어서, 위상이동 및 일부 반사영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 위상이동 및 일부 반사영역은 광의 반사율이 5% 내지 30%인 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 위상이동 및 일부 반사영역은 반사하는 광의 위상을 90° 내지 270°로 이동시키는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 위상이동 및 일부 반사영역은 반사하는 광의 위상을 180°로 반전시키는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경.
  9. 제 5항에 있어서, 상기 위상이동 및 일부 반사영역은 기판을 식각하여 형성된 홈에 형성되는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경.
  10. 제 5항에 있어서, 상기 위상이동 및 일부 반사영역은 위상이동 물질층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 위상이동 물질층은 산화질화계 물질(SOG, CrO, CrON, CrOCN, MoSiO, MoSiON) 및 텅스텐 실리사이드(W/Si) 중에서 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경.
  12. 제 5항에 있어서, 상기 위상이동 및 일부 반사영역은 기판을 식각하여 형성된 홈 및 상기 홈에 형성된 위상이동 물질층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경.
  13. 제 5항에 있어서, 상기 위상이동 및 일부 반사영역은 원형, 타원형 및 다각형 중에서 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경.
  14. 변형조명 투영노광장치에 이용되는 반사경의 제조 방법에 있어서, 전흡광 영역을 노출시키는 제 1포토레지스트 패턴을 반사경 기판에 형성하는 단계 ; 상기 결과물 전면에 흡광막을 형성하는 단계 ; 상기 제 1포토레지스트 패턴과 제 1포토레지스트 패턴 상에 형성된 흡광막을 제거하는 단계 ; 상기 제거단계에서 제거되지 않고 기판에 남은 흡광막 패턴 상에 제 2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 결과물 전면에 반사막을 형성하는 단계 ; 및 상기 제 2포토레지스트 패턴과 제 2포토레지스트 패턴 상에 형성된 반사막을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경의 제조 방법.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 반사막을 형성하는 단계는 반사물질을증착 또는 스퍼터링 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경의 제조 방법.
  16. 제 14항에 있어서, 상기 제 1포토레지스트 패턴 및 제 1포토레지스트 패턴 상에 형성된 전흡광막을 제거하는 단계 또는 상기 제 2포토레지스트 패턴 및 제 2포토레지스트 패턴 상에 형성된 반사막을 제거하는 단계는 리프트-오프(lift-off) 방법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경의 제조 방법.
  17. 변형조명 투영노광장치에 이용되는 반사경의 제조 방법에 있어서, 반사경 기판에 위상 이동영역을 노출시키는 제 1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 제 1포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 반사경 기판을 식각하는 단계 ; 상기 결과물 전면에 제 1반사막을 형성하는 단계 ; 상기 제 1포토레지스트 패턴과 제 1포토레지스트 패턴 상에 형성된 제 1반사막을 제거하는 단계 ; 상기 제거 단계에서 제거되지 않고 기판에 남은 제 1반사막패턴상에 제 2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 결과물 전면에 제 2반사막을 형성하는 단계 ; 및 상기 제 2포토레지스트 패턴과 제 2포토레지스트 패턴 상에 형성된 제 2반사막을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경의 제조 방법.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 반사경 기판을 식각하는 단계는 이온식각방법을 수행하여 식각하는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경의 제조 방법.
  19. 변형조명 투영노광장치에 이용되는 반사경의 제조 방법에 있어서, 일면에 반사막이 형성된 반사경 기판의 타면에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 포토레지스트 패턴과 기판 전면에 위상이동 물질층을 형성하는 단계 ; 및 상기 포토레지스트 패턴과 포토레지스트 패턴 상에 형성된 위상이동 물질층을 제거하는 단게를 구비하는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경의 제조 방법.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 위상이동 물질층은 증착 또는 스퍼터링 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경의 제조 방법.
  21. 변형조명 투영노광장치에 이용되는 반사경의 제조 방법에 있어서, 일면에 반사막이 형성된 반사경 기판의 타면에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 반사경 기판을 식각하는 단계 ; 상기 결과물 전면에 위상이동 물질층을 형성하는 단계 ; 및 상기 포토레지스트 패턴과 포토레지스트 패턴 상에 형성된 위상이동 물질층을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 변형조명용 반사경의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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