KR970015772A - 티탄 함유 광석으로부터 방사성핵종을 제거하는 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 티탄 함유 재료를 환원성 배소(roasting) 처리한 후에 무기 산 침출액중에서 침출시키는 단계를 포함하여 티탄 함유 재료를 개질하는 방법에 있어서, 상기 환원성 배소 처리 단계에 앞서 티탄 함유 재료를 무기 산의 수용액중에서 열처리하여 방사성핵종 불순물을 제거하는 것을 특징으로 하는 방법에 관한 것이다.

Description

티탄 함유 광석으로부터 방사성핵종을 제거하는 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 통상적인 티탄철 개질 공정에 본 발명을 사용한 처리방법을 도시한 개요도이다.

Claims (19)

1. 티탄 함유 재료를 환원성 배소 처리한 후에 무기 산 침출액 중에서 침출하는 단계를 포함하여 티탄 함유 재료를 개질하는 방법에 있어서, 상기 티탄 함유 재료를 환원성 배소 처리하기에 앞서 무기 산의 수용액 중에서 열처리하므로써 방사성핵종 불순물을 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 티탄 함유 재료가 일메나이트, 류코젠, 고급 티탄 광석, 티탄 슬랙, 또는 합성 루틸인 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 티탄 함유 재료가 티탄철 재료인 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 티탄 함유 재료가 약 200 US 메쉬의 입자 크기 또는 그 이상의 입자 크기를 갖는 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 티탄 함유 재료가 약 200 내지 약 20 US 메쉬 범위의 입자 크기를 갖는 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 열처리 시간이 약 1시간 이상인 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 열처리 시간이 약 3시간 내지 약 6시간인 방법.
8. 제1항에 있어서, 상기 무기 산이 염산인 방법.
9. 제1항에 있어서, 상기 무기 산의 농도가 약 8중량% 내지 약 30중량%인 방법.
10. 제9항에 있어서, 상기 무기 산의 농도가 약 15중량% 내지 약 20중량%인 방법.
11. 제8항에 있어서, 상기 염산의 농도가 약 18중량%인 방법.
12. 제1항에 있어서, 상기 열처리 단계를 약 1기압 내지 약 5기압의 압력하에 수행하는 방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 열처리 단계를 대략 대기압하에서 수행하는 방법.
14. 제1항에 있어서, 상기 열처리 단계를 약 100℃ 내지 약 160℃의 온도에서 수행하는 방법.
15. 제1항에 있어서, 상기 열처리 단계를 약 100℃ 내지 약 110℃의 온도에서 수행하는 방법.
16. 제1항에 있어서, 상기 열처리 단계를 약 105℃의 온도에서 수행하는 방법.
17. 제1항에 있어서, 상기 환원성 배소 처리에 앞서 상기 방사성핵종의 농도를 약 50% 이상 감소시키는 방법.
18. 제1항에 있어서, 상기 티탄 함유 광석이 티탄철 광석이며, 방사성핵종 불순물의 제거 처리 이후에 상기 무기 산을 티탄 함유 재료로부터 분리시킨 후에, 상기 티탄 함유 재료를 환원성 배소 처리하고, 계속해서 상기 티탄 함유 재료로부터 사전에 분리된 무기 산을 사용하여 티탄 함유 재료를 침출 처리하는 방법.
19. 합계 약 120 내지 약 180ppm의 토륨과 우라늄을 함유하는 티탄 함유 재료를 환원성 배소 처리한 후에 무기 산 침출액 중에서 침출시키는 단계를 포함하여 상기 티탄 함유 재료를 개질하는 방법에 있어서, 상기 티탄 함유 재료를 환원성 배소 처리하기에 앞서 무기 산의 수용액 중에서 열처리하므로써 방사성핵종 불순물을 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.