Claims (13)
플라즈마 처리장치는, 측벽에 형성된 좁은 창을 지닌 플라즈마실과, 피처리 물체가 상기 창 내부에 제공되어 있고; 또한 상기 플라즈마실과 결합하는 장방형 도파관과, 상기 장방형 도파관은 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창에 대향하고, 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향에 따라 연장되도록 E면에 배설된 긴 슬롯을 지니고, 또한 상기 장방형 도파관은 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향이 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창의 수평방향에 평행하고; 마이크로웨이브를 상기 장방형 도파관에 공급하는 마이크로웨이브 전원수단과를 구비하고; 상기 마이크로웨이브는 상기 긴 슬롯을 통해 장방형 도파관에서 상기 플라즈마실로 조사되는 것에 있어서, 상기 플라즈마 처리장치는, 하나 이상의 상기 장방형 도파관에서 상기 플라즈마실로 조사되는 것에 있어서, 상기 플라즈마 처리장치는, 하나 이상의 상기 장방형 도파관에 배설된 두개 이상의 긴 슬롯을 구비하고; 상기 각각의 긴 슬롯의 수평길이는 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 1/2 또는 그 이상으로 설정되고; 상기 긴 슬롯은 인접한 상기 긴 슬롯이 서로 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향으로 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 (2n-1)/4 까지 이동하고, 여기서 n은 자연수임을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus includes a plasma chamber having a narrow window formed on a side wall, and an object to be processed is provided inside the window; In addition, the rectangular waveguide coupled to the plasma chamber, the rectangular waveguide has a long slot disposed on the E surface to face the narrow window of the plasma chamber, and extend along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide, and also the rectangular waveguide Is a waveguide axial direction of the rectangular waveguide parallel to the horizontal direction of the narrow window of the plasma chamber; Microwave power supply means for supplying microwaves to the rectangular waveguide; Wherein the microwave is irradiated from the rectangular waveguide to the plasma chamber through the long slot, wherein the plasma processing apparatus is irradiated from the at least one rectangular waveguide to the plasma chamber, wherein the plasma processing apparatus is one or more of the rectangular Two or more elongated slots disposed in the waveguide; The horizontal length of each long slot is set to 1/2 or more of the free-space wavelength of the microwave; Wherein said long slots move adjacent long slots to each other up to (2n-1) / 4 of the free-space wavelength of the microwave in the waveguide axial direction of said rectangular waveguide, wherein n is a natural number.
제1항에 있어서, 하나 이상의 상기 긴 슬롯을 지닌 두개 이상의 상기 장방형 도파관과 상기 장방형 도파관의 서로 다른 하나에 인접한 상기 장방형 도파관중 하나의 방향과 다른 방향으로 마이크로웨이블 상기 장방형 도파관의 또 다른 하나에 공급하는 마이크로웨이브 전원수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.2. The microwave waveguide of claim 1, wherein the microwave waveguide is disposed in a direction different from the direction of one of at least two rectangular waveguides having at least one long slot and at least one rectangular waveguide adjacent to the other of the rectangular waveguides. And a microwave power supply means for supplying.
제2항에 있어서, 상기 각각의 긴 슬롯은 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향으로 상기 긴 슬롯을 동등하게 세분화하므로서 배설된 다수의 서브 슬롯으로 구성된 슬롯 어레이이고, 상기 플라즈마 처리장치는, 상기 장방형 도파관의 종단에 제공되며, 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향을 따라 이동하도록 제공된 이동 가능한 단락회로판을 지닌 종단장치를 더 구비하고, 상기 이동 가능한 단락회로판은 상기 장방형 도파관에서 발생한 전압정재파의 피이크의 중앙부가 상기 서브 슬롯의 수평중앙부와 일치하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.3. The apparatus of claim 2, wherein each of the long slots is a slot array composed of a plurality of sub slots disposed by equally subdividing the long slots in the waveguide axial direction of the rectangular waveguide, and the plasma processing apparatus includes: A termination device provided at the termination and having a movable short circuit board provided to move along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide, wherein the movable short circuit board has a central portion of the peak of the voltage standing wave generated in the rectangular waveguide. And a plasma processing apparatus arranged to coincide with the horizontal center portion of the slot.
제1항에 있어서, 긴 슬롯을 지닌 상기 장방형 도파관을 지니고, 상기 긴 슬롯은 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향으로 상기 긴 슬롯을 동등하게 세분화하므로서 배설된 다수의 서브 슬롯으로 구성된 슬롯 어레이이고; 또한 상기 장방형 도파관에 종단에 제공되고, 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향을 따라 이동하도록 제공된 이동 가능한 단락회로판을 지닌 종단장치를 구비하고; 상기 이동 가능한 단락회로판은 상기 장방형 도파관에서 발생한 전압정재파의 피이크의 중앙부가 서브 슬롯의 수평중앙부와 일치하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The slotted array according to claim 1, wherein said rectangular waveguide has an elongated slot, said elongated slot being a slot array composed of a plurality of subslots disposed by equally subdividing said elongated slot in the waveguide axial direction of said rectangular waveguide; And a termination device provided at the termination in the rectangular waveguide and having a movable short circuit board provided to move along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide; And the movable short-circuit board is arranged so that the center of the peak of the voltage standing wave generated in the rectangular waveguide coincides with the horizontal center of the sub slot.
플라즈마 처리장치는, 측벽에 배설된 좁은 창을 지니되, 피처리 물체가 상기 좁은 창 내부에 제공된 플라즈마실과; 또한 상기 플라즈마실과 결합하는 장방형 도파관을 구비하고, 상기 장방형 도파관은 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창에 대향하여 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향을 따라 연장되게 위치한 긴 슬롯을 지니고, 또한 상기 장방형 도파관은 상기장방형 도파관의 도파관 축방향이 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창의 수평방향에 평행이 되게 제공되어 있고; 또한, 마이크로웨이브를 상기 장방형 도파관에 공급하는 마이크로웨이브 전원 수단을 구비하고; 상기 마이크로웨이브는 상기 긴 슬롯을 통해 장방형 도파관에서 상기 플라즈마실로 조사되는 것에 있어서, 상기 플라즈마 처리장치는, 상기 긴 슬롯의 수평길이가 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 1/2 또는 그 이상으로 설정되고, 상기 플라즈마 처리장치는, 상기 긴 슬롯과 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창 사이에 제공된 마이크로웨이브 도파관 형성부재를 구비하고, 상기 마이크로웨이브 도파관 형성부재는 상기 긴 슬롯의 개구모양과 도일한 단며을 하는 마이크로 웨이브 도파관을 지니고; 또한 어떤 마이크로웨이브로 흡수하지 않는 재료로 만들어진 유전체를 구비하고, 상기 유전체는 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향을 따라 상기 장방형 도파관의 종단 부근의 위치에서 상기 마이크로웨이브 도파관에 끼워지고, 상기 유전체는 마이크로웨이비의 부분을 반사시키고, 마이크로웨이브의 또 다른부분을 전송하는 것을 특징으로 하는 플리즈마 처리장치The plasma processing apparatus includes: a plasma chamber having a narrow window disposed on a sidewall, wherein an object to be processed is provided inside the narrow window; And a rectangular waveguide coupled with the plasma chamber, the rectangular waveguide having an elongated slot positioned to extend along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide opposite the narrow window of the plasma chamber, and the rectangular waveguide being the rectangular The waveguide axial direction of the waveguide is provided to be parallel to the horizontal direction of the narrow window of the plasma chamber; And microwave power supply means for supplying microwaves to the rectangular waveguide; Wherein the microwave is irradiated from the rectangular waveguide through the long slot to the plasma chamber, the plasma processing apparatus, the horizontal length of the long slot is set to 1/2 or more of the free space wavelength of the microwave, The plasma processing apparatus includes a microwave waveguide forming member provided between the elongated slot and the narrow window of the plasma chamber, wherein the microwave waveguide forming member is microwaved in the same shape as the opening of the elongated slot. Has a waveguide; And having a dielectric made of a material that does not absorb any microwave, the dielectric being fitted to the microwave waveguide at a position near the end of the rectangular waveguide along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide, the dielectric being microwave Plasma processing apparatus characterized by reflecting a portion of the rain and transmitting another portion of the microwave
제5항에 있어서, 상기 긴 슬롯의 수평방향의 상기 유전체의 길이는 n이 자연수인 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 n/2에 설정되고, 상기 마이크로웨이브 도파관으로의 상기 유전체의 삽입길이는 상기 플라즈마실의 수평방향을 따르는 마이크로웨이브의 전계강도가 실질적으로 균일하게 되도록 상기 유전체의 마이크로웨이브 투과율을 조절하므로서 설정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.The length of the dielectric in the horizontal direction of the long slot is set to n / 2 of the free space wavelength of the microwave where n is a natural number, and the insertion length of the dielectric into the microwave waveguide is the plasma. And controlling the microwave transmittance of the dielectric so that the electric field strength of the microwave along the horizontal direction of the yarn is substantially uniform.
플라즈마 처리장치는, 측벽에 배설된 좁은 창을 지닌 플라즈마실을 구비하고, 피처리 물체가 상기 좁은창 내부에 제공되고; 또한 플라즈마실과 결합하는 장방형 도파관을 구비하고, 상기 장병형 도파관은 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창에 대향하여 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향을 따라 연장되도록 위치한 E면에 배설된 긴 슬롯을 지니고, 상기 장방형 도파관은 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향이 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창의 수평방향에 평행하도록 제공되어 있고; 또한, 마이크로웨이브를 상기 장방형 도파관에 공급하는 마이크로웨이브 전원 수단을 구비하고; 상기 마이크로웨이브는 장방형 도파관에서 상기 긴 슬롯을 통해 상기 플라즈마실에 조사되는 것에 있어서, 상기 플라즈마 처리장치는, 상기 긴 슬롯의 수평길이가 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 1/2 또는 그 이상으로 설정되고, 상기 플라즈마처리장치는, 마이크로웨이브의 안내파장의 1/2 또는 그 이상으로 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향을 따라 이동하도록 상기 장방형 도파관의 종단에 제공된 이동 가능한 단락회로판과; 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향을 따라 주기적으로 또는 비주기적으로 상기 이동 단락회로판을 이동시키는 이동구동수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.The plasma processing apparatus includes a plasma chamber having a narrow window disposed on a side wall, and an object to be processed is provided inside the narrow window; And a rectangular waveguide coupled with the plasma chamber, the long waveguide having an elongated slot disposed on an E surface positioned to extend along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide opposite the narrow window of the plasma chamber. Is provided such that the waveguide axial direction of the rectangular waveguide is parallel to the horizontal direction of the narrow window of the plasma chamber; And microwave power supply means for supplying microwaves to the rectangular waveguide; Wherein the microwave is irradiated to the plasma chamber through the long slot in the rectangular waveguide, the plasma processing apparatus, the horizontal length of the long slot is set to 1/2 or more of the free-space wavelength of the microwave The plasma processing apparatus includes: a movable short circuit board provided at an end of the rectangular waveguide so as to move along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide by 1/2 or more of the guide wavelength of the microwave; And moving driving means for moving the short circuit board periodically or aperiodically along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide.
플라즈마 처리장치는, 측벽에 배설된 좁은 창을 지닌 플라즈마실을 구비하고, 피처리 물체는 상기 좁은창 내부에 제공되어 있고; 또한 상기 플라즈마실과 결합하는 장방형 도파관을 구비하고, 상기 장방형 도파관은 상기 플라즈마실의 좁은 창에 대향하여 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향을 따라 연장되도록 E면에 배설된 긴 슬롯을 지니고, 상기 장방형 도파관은 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향이 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창의 수평방향에 평행하게 되어 있고; 또한 마이크로웨이브를 상기 장방형 도파관에 공급하는 마이크로웨이브 전원 수단을 구비하고; 상기 마이크로웨이브는 상기 긴 슬롯을 통해 장방형 도파관에서 상기 플라즈마실에 조사되는 것에 있어서, 상기 플라즈마 처리장치는, 상기 긴 슬롯의 수평길이가 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 1/2 또는 그 이상으로 설정되고, 상기 플라즈마 처리장치는, 도파관 축방향으로 상기 긴 슬롯의 수평길이보다 짧은 길이를 하고, 상기 긴 슬롯의 폭과 같은 폭을 하는 개구부를 지닌 이동 가능한 슬롯판을 지니고, 상기 이동 가능한 슬롯판은 상기 개구부가 상기 긴 슬롯에 대향하도록 상기 장방형 도피관의 도파관 축방향을 따라 이동하게 상기 장방형 도파관에 긴 슬롯과 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창 사이의 공간에 배설되어 있고; 또한 마이크로웨이브의 자유공간의 1/2 또는 그 이상의 길이로 주기적으로 또는 비주기적으로 상기 이동 가능한 슬롯판을 이동시키는 이동구동수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus includes a plasma chamber having a narrow window disposed on a side wall, and an object to be processed is provided inside the narrow window; Also provided with a rectangular waveguide coupled to the plasma chamber, the rectangular waveguide has a long slot disposed on the E surface to extend along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide opposite the narrow window of the plasma chamber, the rectangular waveguide The waveguide axial direction of the rectangular waveguide is parallel to the horizontal direction of the narrow window of the plasma chamber; And microwave power supply means for supplying microwaves to the rectangular waveguide; Wherein the microwave is irradiated to the plasma chamber from the rectangular waveguide through the long slot, the plasma processing apparatus, the horizontal length of the long slot is set to 1/2 or more of the free space wavelength of the microwave The plasma processing apparatus includes a movable slot plate having an opening having a length shorter than a horizontal length of the long slot in a waveguide axial direction and having a width equal to the width of the long slot, wherein the movable slot plate has the An opening is disposed in the space between the long slot and the narrow window of the plasma chamber in the rectangular waveguide such that the opening moves along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide; And a moving driving means for moving the movable slot plate periodically or aperiodically to a length of 1/2 or more of the free space of the microwave.
플라즈마 처리장치는, 측벽에 배설된 좁은 창을 지닌 플라즈마실을 구비하고, 피처리 물체가 상기 좁은 창 내부에 제공되어 있고; 상기 플라즈마실과 결합하는 장방형 도파관을 구비하고, 상기 장방형 도파관은 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창에 대향하여 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향을 따라 연장되도록 E면에 배설된 긴 슬롯을 지니고, 상기 장방형 도파관은 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향이 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창의 수평방향에 평행하게 제공되어 있고; 또한 마이크로웨이브를 상기 장방형 도파관에 공급하는 마이크로웨이브 전원 수단을 구비하고; 상기 마이크로웨이브는 상기 긴 슬롯을 통해 장방형 도파관에서 상기 플라즈마실로 조사되는 것에 있어서, 상기 플라즈마 처리장치는, 상기 긴 슬롯의 수평길이가 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 1/2 또는 그 이상으로 설정되고, 상기 플라즈마 처리장치는, 상기 플라즈마실에 제공된 상기 물체와 상기 좁은 창 사이의 공간에서 전계를 발생시키고, 발생한 전계의 방향과 강도를 변경시키는 전계발생수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus includes a plasma chamber having a narrow window disposed on a side wall, and an object to be processed is provided inside the narrow window; A rectangular waveguide coupled with the plasma chamber, the rectangular waveguide having an elongated slot disposed on an E surface such that the rectangular waveguide extends along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide opposite the narrow window of the plasma chamber. The waveguide axial direction of the rectangular waveguide is provided parallel to the horizontal direction of the narrow window of the plasma chamber; And microwave power supply means for supplying microwaves to the rectangular waveguide; Wherein the microwave is irradiated from the rectangular waveguide through the long slot to the plasma chamber, the plasma processing apparatus, the horizontal length of the long slot is set to 1/2 or more of the free space wavelength of the microwave, And the plasma processing apparatus includes electric field generating means for generating an electric field in a space between the object provided in the plasma chamber and the narrow window, and for changing the direction and intensity of the generated electric field.
제2항에 있어서, 각각의 상기 긴 슬롯과 상기 플라즈마실 사이에 제공되고, 각각의 상기 긴 슬롯의 개구모양과 동일한 단면을 하는 마이크로웨이브 도파관을 지닌 두개 이상의 도파관 형성부재와; 어떠한 마이크로웨이브로 흡수하지 않는 재료로 만들어진 두개 이상의 유전체를 구비하고, 상기 유전체는 상기장방형 도파관의 도파관 축방향을 따라 상기 장방형 도파관의 종단 부근의 위치에서 상기 마이크로웨이브 도파관에 끼워지고, 상기 유전체는 마이크로웨이브의 부분을 반사시키고, 마이크로웨이브의 또 다른 부분을 투과시키고; 각각의 상기 긴 슬롯의 수평방향으로서 각각의 상기 유전체의 길이가 n이 자연수인 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 n/2에 설정되고; 상기 마이크로웨이브 도파관으로의 각각의 상기 유전체의 삽입길이는 상기 플라즈마실의 수평방향을 따르는 마이크로웨이브의 전계강도가 실질적으로 균일하게 되도록 각각의 상기 유전체의 마이크로웨이브 투과율을 조절하므로서 설정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.3. The apparatus of claim 2, further comprising: at least two waveguide forming members provided between each of the elongated slots and the plasma chamber and having microwave waveguides having the same cross section as the opening of each of the elongated slots; Having at least two dielectrics made of a material that does not absorb any microwaves, said dielectrics being fitted to said microwave waveguide at a position near the end of said rectangular waveguide along the waveguide axial direction of said rectangular waveguide, said dielectric being micro Reflect a portion of the wave and transmit another portion of the microwave; The length of each dielectric is set to n / 2 of the free space wavelength of the microwave where n is a natural number in the horizontal direction of each of the long slots; The insertion length of each dielectric into the microwave waveguide is set by adjusting the microwave transmittance of each dielectric such that the electric field strength of the microwave along the horizontal direction of the plasma chamber is substantially uniform. Plasma processing apparatus.
제9항에 있어서, 하나 이상의 상기 긴 슬롯을 지닌 각각의 두개 이상의 상기 장방형 도파관과; 상기 장방형 도파관의 서로 다른 하나에 인접한 상기 장방형 도파관중 하나의 방향과 다른 방향으로 마이크로웨이브를 상기 장방형 도파관의 또 다른 하나에 공급하는 마이크로웨이브 전원수단을 구비하고; 상기 긴 슬롯은 인접한 상기 긴 슬롯이 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향으로 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 (2n-1)/4까지 서로 이동하고, 여기서 n은 자연수인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.10. The apparatus of claim 9, further comprising: at least two said rectangular waveguides each having at least one said long slot; Microwave power supply means for supplying microwaves to another one of said rectangular waveguides in a direction different from one of said rectangular waveguides adjacent to each other of said rectangular waveguides; Wherein said long slots move adjacent each other up to (2n-1) / 4 of the free-space wavelength of the microwave in the waveguide axial direction of said rectangular waveguide, where n is a natural number.
제11항에 있어서, 상기 긴 슬롯과 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창 사이에 제공된 마이크로웨이브 도파관 형성부재를 포함하고, 상기 마이크로웨이브 도파관 형성부재는 상기 긴 슬롯의 개구모양과 같은 단면을 지닌 마이크로웨이브 도파관을 지니고; 또한 마이크로웨이브를 흡수하지 않는 재료로 만들어진 유전체를 구비하고, 상기 유전체는 상기 장방형 도파관의 도파관 축방향을 따라 상기 장방형 도파관의 종단 부근의 위치에서 상기마이크로웨이브 도파관에 끼워지고, 상기 유전체는 마이크로웨이브의 부분을 반사시키고, 마이크로웨이브의 또 다른 부분을 투과시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The microwave waveguide forming member according to claim 11, further comprising a microwave waveguide forming member provided between the elongated slot and the narrow window of the plasma chamber, wherein the microwave waveguide forming member has a cross section shaped like an opening of the elongated slot. Having; And a dielectric made of a material that does not absorb microwaves, the dielectric being inserted into the microwave waveguide at a position near the end of the rectangular waveguide along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide, the dielectric being microwaved Reflecting the portion and transmitting another portion of the microwave.
제9항에 있어서, 상기 긴 슬롯과 상기 플라즈마실의 상기 좁은 창 사이에 제공된 마이크로웨이브 형성부재를 구비하고, 상기 마이크로웨이브 형성부재는 상기 긴 슬롯의 개구모양과 동일한 단면을 지닌 마이크로웨이브 도파관을 지니고 또한, 어떠한 마이크로웨이브로 흡수하지 않는 재료로 만들어진 유전체를 구비하고, 상기 유전체는 상기 장방형 도파관의 상기 도파관 축방향을 따라 상기 장방형 도파관의 종단 부근의 위치에 상기 마이크로웨이브 도파관에 끼워지고, 상기 유전체는 마이크로웨이브의 일부를 반사시키고, 나머지 마이크로웨이브의 투과시키고; 상기 긴 슬롯의 수평방향의 상기 유전체 길이는 n이 자연수인 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 n/2로 설정되고, 상기 마이크로웨이브 도파관으로의 유전체의 삽입길이는 플라즈마실의 수평방향을 따르는 마이크로웨이브의 전계강도가 실질적으로 균일하도록 상기 유전체의 마이크로웨이브 투과율을 조절하므로서 설정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.10. The apparatus of claim 9, further comprising a microwave forming member provided between the elongated slot and the narrow window of the plasma chamber, wherein the microwave forming member has a microwave waveguide having a cross section identical to the opening of the elongated slot. Also provided is a dielectric made of a material that does not absorb any microwave, the dielectric being fitted to the microwave waveguide at a position near the end of the rectangular waveguide along the waveguide axial direction of the rectangular waveguide, the dielectric being Reflect a portion of the microwaves and transmit the remaining microwaves; The length of the dielectric in the horizontal direction of the long slot is set to n / 2 of the free space wavelength of the microwave where n is a natural number, and the insertion length of the dielectric into the microwave waveguide is the length of the microwave along the horizontal direction of the plasma chamber. And controlling the microwave transmittance of the dielectric so that the electric field strength is substantially uniform.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.