KR970011028A - 단결정 연속 성장 장치 - Google Patents
단결정 연속 성장 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970011028A KR970011028A KR1019950026932A KR19950026932A KR970011028A KR 970011028 A KR970011028 A KR 970011028A KR 1019950026932 A KR1019950026932 A KR 1019950026932A KR 19950026932 A KR19950026932 A KR 19950026932A KR 970011028 A KR970011028 A KR 970011028A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- single crystal
- continuous growth
- container
- growth apparatus
- grown
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/002—Continuous growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
- C30B15/12—Double crucible methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
본 발명은 연속 성장 장치에 관하여 개신한 것으로서, 본 발명의 특징에 의하면 2중 구조를 가지는 용기와, 상기 용기내부로 원료를 공급하기 위한 원료공급기, 상기 용기를 가열하는 가열수단, 상기 용기의 상부에서 종자결정을 지지하여 승강가능하도록 마련되는 제1지지수단 및 상기 가열수단과 상기 종자결정 지지수단을 상관적으로 제어하는 제어수단을 포함하여 이루어진 단결정 연속 성장 장치에 있어서, 상기 원료공급기는 상기 제어수단에 의해 제어되는 투입원료량 조절수단을 구비하며, 상기 용기는 그 하부가 상기 제어수단에 연결되어 제어되는 제2지지수단에 지지되어 이루어진 것을 특징으로 한다. 이러한 특징에 의하여, 본 발명에 따른 단결정 연속성장 장치는 성장된 결정의 무게만큼 원료를 정확하게 추가로 공급해 주는 기능을 가진다. 따라서, 성장되는 단결정의 길이를 적어도 2배 내지 3배 이상의 크기로 성장시킬 수 있고, 도가니에 투입되는 원료의 양이 성장된 결정의 무게와 동일하게 제어되어 용융액면이 일정하게 유지되므로, 결정의 성장속도가 균일하게 되고, 성장되는 결정의 조성 또한 균일하게 유지할 수 있는 효과를 얻을 수 있도록 한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술에 의한 단결정 연속 성장 장치를 나타낸 보인 개략적 구성도이고,
제2도는 본 발명에 의한 단결정 연속 성장 장치를 나타내 보인 개략적 구성도이다.
Claims (3)
- 2중 구조를 가지는 용기와, 상기 용기내부로 원료를 공급하기 위한 원료공급기, 상기 용기를 가열하는 가열수단, 상기 용기의 상부에서 종자결정르 지지하여 승강가능하도록 마련되는 제1지지수단 및 상기 가열수단과 상기 종자결정 지지수단을 상관적으로 제어하는 제어수단을 포함하여 이루어진 단결정 연속 성장 장치에 있어서, 상기 원료공급기는 상기 제어수단에 의해 제어되는 투입원료량 조절수단을 구비하며, 상기 용기는 그 하부가 상기 제어수단에 연결되어 제어되는 제2지지수단에 지지되어 이루어진 것을 특징으로 하는 단결정 연속 성장 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 조절수단은 전자밸브인 것을 특징으로 하는 단결정 연속 성장 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1지지수단 및 제2지지수단은 중량 감지가 가능하게 된 로드셀로 이루어진 것을 특징으로 하는 단결정 연속 성장 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950026932A KR100327475B1 (ko) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 단결정연속성장장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950026932A KR100327475B1 (ko) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 단결정연속성장장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970011028A true KR970011028A (ko) | 1997-03-27 |
KR100327475B1 KR100327475B1 (ko) | 2002-06-29 |
Family
ID=37478413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950026932A KR100327475B1 (ko) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 단결정연속성장장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100327475B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101270071B1 (ko) | 2011-06-30 | 2013-06-04 | (주)세미머티리얼즈 | 실리콘 연속 주조 장치 및 방법 |
KR101420840B1 (ko) | 2012-02-24 | 2014-07-17 | 주식회사 사파이어테크놀로지 | 사파이어 단결정 성장방법 |
CN112080794B (zh) * | 2020-04-20 | 2022-10-21 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 用于晶体生长过程中温度控制的方法和系统 |
-
1995
- 1995-08-28 KR KR1019950026932A patent/KR100327475B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100327475B1 (ko) | 2002-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5229082A (en) | Melt replenishment system for dendritic web growth | |
KR900004972A (ko) | 실리콘 단결정의 제조방법 및 제조장치 | |
KR970011028A (ko) | 단결정 연속 성장 장치 | |
US4556784A (en) | Method for controlling vertically arranged heaters in a crystal pulling device | |
AU8547798A (en) | Apparatus and process for crystal growth | |
Swiggard | Liquid encapsulated vertical zone melt (VZM) growth of GaAs crystals | |
CA2333194A1 (en) | Crystal growth apparatus and method | |
AU2003229290A1 (en) | Device for the production of crystal rods having a defined cross-section and column-shaped polycrystalline structure by means of floating-zone continuous crystallization | |
JPS5688896A (en) | Growth of single crystal | |
Otani et al. | Automatic preparation of LaB6 single crystals by the floating zone technique | |
KR940022680A (ko) | 실리콘단결정의 제조방법 | |
Kurlov et al. | Growth of sapphire core-doped fibers | |
JPS5547300A (en) | Crystal pulling device | |
KR930016568A (ko) | 단결정 성장장치 | |
JPS6027685A (ja) | 複数段ヒ−タ−の制御方法 | |
Higuchi et al. | Growth of rutile single crystals by the pulling-down method | |
JPS5815472B2 (ja) | 結晶育成装置 | |
JP3713739B2 (ja) | GaAs単結晶の成長方法 | |
JPS55140793A (en) | Single crystal pulling device | |
JPS57179095A (en) | Method and apparatus for manufacturing single crystal | |
Robertson et al. | Observations on the unrestrained growth of germanium crystals | |
JPS52120290A (en) | Production of gap single crystal | |
SU798175A1 (ru) | Способ автоматического управлени пРОцЕССОМ гидРОлизА РАСТиТЕльНОгОСыРь | |
Han et al. | Automatic diameter control system for Czochralski growth | |
JPS63190796A (ja) | As分子線源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110103 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |