Claims (7)
입력되는 상승 제어신호에 따라 동작하여, 안기되는 구동전압을 출력하여 전압을 상승시키는 전압 상승수단(10)과; 입력되는 하강 제어신호에 따라 동작하여, 상기 전압 상승수단(10)에 의해 상승된 전압을 하강시키는 전압 하강수단(20)과; 상기 전압 하강수단(20)의 하강 전압이 일정한 비율로 작아지도록 제어하는 하강신호 제어수단(30)으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 정밀 고전류 구동용 충전 펌프.A voltage raising means (10) which operates in accordance with an input rising control signal and outputs a driving voltage to be raised; A voltage lowering means (20) which operates in accordance with an input falling control signal to lower the voltage raised by the voltage raising means (10); Precision high current drive charge pump, characterized in that consisting of the falling signal control means for controlling the falling voltage of the voltage lowering means 20 to be reduced at a constant rate.
제1항에 있어서, 상기 전압 상승수단(10)은, 전류 미러 회로를 이용하는 것을 특징으로 하는 정밀 고전류 구동용 충전 펌프.The charge pump for driving high precision current according to claim 1, wherein the voltage raising means (10) uses a current mirror circuit.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전압 상승수단(10)의 구성은, 구동전원(VDD)이 소스로 입력되는 제1피모스(MP11)와; 구동전원(VDD)이 소스로 입력되고 제1기준전류(I1)가 드레인으로 입력되면 드레인과 게이트(gate)가 연결되어 있는 제2피모스(MP12)와, 구동전원(VDD)이 소스로 입력되고 상승 제어신호(CS1)가 게이트로 입력되며 상기 제1피모스(MP11)의 게이트가 드레인으로 연결되어 있는 제3피모스(MP13)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 정밀 고전류 구동용 충전 펌프.3. The voltage raising means (10) according to claim 1 or 2, further comprising: a first PMOS (MP11) into which a drive power source (VDD) is input as a source; When the driving power source VDD is inputted as a source and the first reference current I1 is inputted as a drain, the second PMOS MP12 connected with the drain and the gate is input, and the driving power source VDD is inputted as a source. And the rising control signal CS1 is input to the gate, and the third PMOS MP13 having the gate of the first PMOS MP11 connected to the drain.
제1항에 있어서, 상기 전압 하강 수단(20)은, 전류 미러 회로를 이용하는 것을 특징으로 하는 정밀 고전류 구동용 충전 펌프.The charge pump for precision high current drive according to claim 1, wherein the voltage drop means (20) uses a current mirror circuit.
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 전압 하강수단(20)의 구성은, 기준전원(VSS)이 소스로 입력되고 게이트와 드레인이 연결되어 있는 제1엔모스(MN21)와; 상기 전압 상승수단(10)의 제1피모스(MP11)의 드레인이 드레인으로 연결되고 상기 제1엔모스(MN21)의 게이트가 게이트로 연결되고 기준전원(VSS)이 소스로 입력되는 제2엔모스(MN22)와; 상기 제1엔모스(MN21)의 게이트가 드레인으로 연결되고 하강 제어신호(CS2)가 게이트로 입력되고 기준전원(VSS)이 소스로 입력되는 제3엔모스(MN23)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 정밀 고전류 구동용 충전 펌프.5. The apparatus of claim 1 or 4, wherein the voltage lowering means (20) comprises: a first NMOS (MN21) having a reference power source (VSS) input as a source and a gate and a drain connected thereto; The second yen in which the drain of the first PMOS MP11 of the voltage raising means 10 is connected to the drain, the gate of the first NMOS MN21 is connected to the gate, and the reference power source VSS is input to the source. Morse (MN22); And a third NMOS MN23 having a gate connected to the drain of the first NMOS MN21, a falling control signal CS2 being input to the gate, and a reference power supply VSS being input to the source. Charge pump for precision high current drive.
제1항에 있어서, 상기 하강신호 제어수단(30)은, 종속적으로 연결된 전류 미러 회로를 이용하는 것을 특징으로 하는 정밀 고전류 구동용 충전 펌프.The charge pump for driving high precision current according to claim 1, wherein the falling signal control means (30) uses a cascaded current mirror circuit.
제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 하강신호 제어수단(30)의 구성은, 구동전원(VDD)이 소스로 입력되고 게이트가 드레인이 연결되어 있는 제1피모스(MP31)와; 구동전원(VDD)이 소스로 입력되고 상기 제1피모스(MP31)의 게이트가 게이트로 연결되어 있는 제2피모스(MP32)와; 상기 제1피모스(MP31)의 드레인이 소스로 연결되고 제2기준전류(I2)가 드레인으로 입력되고 게이트와 드레인이 연결되어 있는 제3피모스(MN33)와, 상기 제2피모스(MP32)의 드레인이 소스로 연결되고 상기 제3피모스(MN33)의 게이트가 게이트로 연결되고 상기 전압 하강수단(20)의 제1엔모스(MN21)의 드레인이 드레인으로 연결되어 있는 제4피모스(MP34)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 정밀 고전류 구동용 충전 펌프.7. The structure of claim 1 or 6, wherein the falling signal control means (30) comprises: a first PMOS (MP31) having a driving power source (VDD) input thereto as a source and a drain connected thereto; A second PMOS MP32 to which a driving power source VDD is input as a source, and a gate of the first PMOS MP31 is connected to a gate; A third PMOS MN33 having a drain connected to the source of the first PMOS MP31 as a source, a second reference current I2 being input to the drain, and a gate and a drain connected thereto, and the second PMOS MP32 ) Is connected to a source, a gate of the third PMOS (MN33) is connected to a gate, and a fourth PMOS is connected to a drain of the first NMOS (MN21) of the voltage lowering means (20). Charge pump for precision high current drive, characterized in that (MP34).
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.