KR970005708B1 - Hifrequency device package - Google Patents
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Abstract
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Description
제1도는 본 발명의 제1고주파소자용 패키지의 신호선로 주변의 확대사시도.1 is an enlarged perspective view around a signal line of a package for a first high frequency device of the present invention.
제2도는 본 발명의 제1고주파소자용 패키지의 평면도.2 is a plan view of a package for a first high frequency device of the present invention.
제3도는 본 발명의 제2고주파소자용 패키지의 신호선로 주변의 확대사시도.3 is an enlarged perspective view of the signal line of the second high frequency device package of the present invention.
제4도는 본 발명의 제2고주파소자용 패키지의 평면도.4 is a plan view of a package for a second high frequency device of the present invention.
제5도는 종래의 고주파소자용 패키지의 신호선로 주변의 확대사시도.5 is an enlarged perspective view around a signal line of a conventional high frequency device package.
본 발명은 고주파신호로 동작시키는 반도체칩등을 수용하는 고주파소자용 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a package for a high frequency device for accommodating a semiconductor chip or the like operated by a high frequency signal.
상기 패키지로써 제5도에 나타낸 것과 같은 고주파소자용 패키지가 있다.As the package, there is a package for a high frequency device as shown in FIG.
이 패키지는 그 신호선로(10)를 설비한 프레임(20)이 세라믹으로 형성되어 있다. 프레임(20)은 그 내외에 계단면(22, 24)을 각각 구비하여 그들의 계단면(22,24)에 메탈라이징으로 된 가는 띠모양의 신호선로(10)를 프레임(20)내부를 관통시켜서 연속으로 설비하고 있다. 신호선로(10)상방과 그 하방에 맞닿는 프레임(20)의 상면과, 그 하면에는 메탈하이징으로 된 그라운드층(40,42)을 각각 설비하고 있다. 그리고 그들의 그라운드층(40,42)이나 시일링(seal ring)(70)이나 히트싱크(60)에 의해서 프레임 내외의 계단면(22,24)에 프레임(20)내부를 관통시켜서 설비한 신호선로(10)를 마이크로 스트립 차례로 형성하고 있다. 그리고 신호선로(10)의 특성임피던스를 50등에 매칭시키고 있다.In this package, the frame 20 provided with the signal line 10 is formed of ceramic. The frame 20 has stepped surfaces 22 and 24 inside and outside thereof, and passes through the inside of the frame 20 through a thin band-shaped signal line 10 made of metallized on the stepped surfaces 22 and 24, respectively. We are equipped continuously. The upper surface of the frame 20 which abuts above and below the signal line 10, and the ground layers 40 and 42 made of metal hydride are provided on the lower surface thereof. And signal lines provided by penetrating the inside of the frame 20 through the step surfaces 22 and 24 inside and outside the frame by means of their ground layers 40 and 42, seal rings 70, and heat sinks 60. (10) is formed in a microstrip order. And the characteristic impedance of the signal line 10 is 50 And the like.
프레임(20)의 상하면에 각각 설비한 그라운드층(40,42)간은 제5도에 파선으로 나타낸 것과같이 프레임의 코너부(20a)에 상하로 관통하여 설비한 메탈라이즈 폴(Metallized pole)로 된 비어(Via)950)로 접속하고 있다.Between the ground layers 40 and 42 provided on the upper and lower surfaces of the frame 20 are metallized poles installed through the corner portions 20a of the frame, as shown by broken lines in FIG. Connected via Via 950.
그리고 그들의 그라운드층(40,42)의 그라운드 전위가 대략 동일치로 보지되게 하고 있다.The ground potentials of the ground layers 40 and 42 are held at approximately the same value.
그러나 상기 패키지에 있어서는 그 신호선로(10)에 5GHZ이상등의 고주파신호를 전송한 선로구조, 스트립선로구조, 마이크로스트립선로구조로 경우에 그 신호선로(10)자체가 갖는 도체손실 이상의 큰 삽입손실등의 전송손실이 발생되어 그 신호선로(10)를 고주파신호를 효율좋게 전송할 수 없었다.However, in the package, in the case of a line structure, a strip line structure, and a microstrip line structure in which a high frequency signal such as 5 GHZ or more is transmitted to the signal line 10, the insertion loss is larger than the conductor loss of the signal line 10 itself. Transmission loss, etc. occurred, and the signal line 10 could not efficiently transmit a high frequency signal.
그 원인을 추구한 결과 상기 패키지에서는 신호선로(10)가 그 상방과 하방에 그라운드층(40,42)을 각각 설비하는 동시에 그 양측의 프레임의 코너부(20a)에 비어(50)를 각각 설비한 의사 4각형 동축구조로 되어 있고 그 의사 4각형 동축벽의 가로폭, 즉 비어(50)간의 폭이 넓게 형성되어 있다. 그 때문에 그 의사 4각형 동축구조로 된 신호선로(10)의 기생공진주파수가 신호선로(10)로 전송되는 고주파신호의 사용주파수 대역내에 있고 신호 선로(10)에 고주파 신호를 전송한 경우에 그 의사 4각형 동축구조로 된 신호선로(10)에 기생공진이 발생되는 것이 판명되었다.As a result of pursuing the cause, in the package, the signal line 10 equips the ground layers 40 and 42 above and below, respectively, and the vias 50 are provided in the corner portions 20a of the frames on both sides thereof. It has a pseudo quadrangular coaxial structure, and the width of the pseudo tetragonal coaxial wall, that is, the width between the vias 50 is formed wide. Therefore, when the parasitic resonant frequency of the signal line 10 of the quasi-hexagonal coaxial structure is within the use frequency band of the high frequency signal transmitted to the signal line 10 and the high frequency signal is transmitted to the signal line 10, It has been found that parasitic resonance occurs in the signal line 10 having a pseudo-square coaxial structure.
그와 동시에 상기 패키지에 있어서는 신호선로(10) 상방과 그 하방에 각각 구비한 그라운드층(40,42)이 확실하게 동일 그라운드 전위로 보지되지 않기 때문에 신호선로(10)에 마이크로스트립 공진등이 발생되기 때문이라는 것이 판명되었다.At the same time, in the package, microstrip resonance or the like occurs in the signal line 10 because the ground layers 40 and 42 respectively provided above and below the signal line 10 are not held at the same ground potential. It turned out to be.
본 발명은 이와같은 과제를 해소한 신호선로에 고주파신호를 전송한 경우에 그 의사 4각형 동축구조를 한 신호선로에 기생공진, 마이크로스트립 공진등이 발생되어 신호선로에 전송되는 고주파신호의 전송손실이 커지는 것을 방지할 수 있는 고주파소자용 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.In the present invention, when a high frequency signal is transmitted to a signal line that solves such a problem, parasitic resonance, microstrip resonance, etc. are generated in a signal line having a pseudo-square coaxial structure, and thus transmission loss of a high frequency signal transmitted to the signal line. It is an object of the present invention to provide a package for a high frequency device that can prevent the growth thereof.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1고주파소자용 패키지는 세라믹으로 된 프레임 신호선로와 DC선로를 설비한 패키지이고 상기 신호선로의 상방과 그 하방의 상기 프레임 그라운드층을 각각 설비하여 그들의 그라운드층에 의해서 상기 신호선로를 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조, 마이크로스트립선로구조로 차례로 형성한 고주파 소장용 패키지에 있어서 상기 DC선로의 양측 프레임에 상기 신호선로의 상방과 그 하방의 그라운드층을 전위차없이 접속하는 비어를 각각 구비하는 동시에 상기 신호선로의 양측프레임에 상기 그라운드층에 접속된 그라운드 비어를 신호선로의 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조를 손상시키지 않도록 하여 신호선로에 접근시켜 각각 설비하여 그들이 그라운드비어와 상기 그라운드층으로 둘러싸인 상기 신호선로의 의사 4각형 동축벽의 가로폭을 좁힌 것을 특징으로 하고 있다.In order to achieve the above object, the first high frequency device package of the present invention is a package provided with a ceramic frame signal line and a DC line, and the ground layer is provided by installing the frame ground layer above and below the signal line, respectively. In the high-frequency package for which the signal line is formed by the microstrip line structure, the strip line structure, and the microstrip line structure, the upper and lower ground layers of the signal line are placed on both sides of the DC line without a potential difference. A via via connected to the ground layer is provided on both side frames of the signal line at the same time so that the micro strip line structure and the strip line structure of the signal line are not damaged. Surrounded by beer and ground The width of the pseudo-square coaxial wall of the said signal line is narrowed.
본 발명의 제2고주파소자용 패키지는 세라믹으로 된 프레임 신호선로를 설비한 패키지이고 상기 신호선로의 상방과 그 하방에 상기 프레임에 그라운드층을 각각 설비하여 그들의 그라운드층에 의해서 상기 신호선로를 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조, 마이크로스트립선로구조로 차례로 형성한 고주파소자용 패키지에 있어서 상기 신호선로의 양측 프레임에 상기 그라운드층에 접속된 그라운드비어를 신호선로의 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조를 손상시키지 않도록 하여 신호선로에 접근시켜서 각각 설비하여 동시에 상기 신호선로의 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조를 손상시키지 않도록 하여 신호선로에 접근시켜서 각각 설비하는 동시에 상기 신호선로의 양측 프레임표면에 상기 신호선로 상방과 그 하방의 그라운드층을 전위차없이 접속하는 그라운드벽을 신호선로의 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조를 손상시키지 않도록 하여 신호선로에 접근시켜 각각 설비하고 그들의 그라운드 비어와 그라운드벽과 상기 그라운드층으로 둘러싸인 상기 신호선로의 의사 4각형 동축벽의 가로폭을 좁힌 것을 특징으로 하고 있다.The second high frequency device package of the present invention is a package provided with a frame signal line made of ceramic, and a ground layer is provided on the frame above and below the signal line, respectively, and the signal lines are microstrip by their ground layers. In a package for a high frequency device formed by a line structure, a strip line structure, and a microstrip line structure, ground vias connected to the ground layer on both sides of the signal line are damaged by the microstrip line structure and the strip line structure of the signal line. Approach the signal line so as not to damage the microstrip line structure and strip line structure of the signal line at the same time so as not to damage the signal line so as to approach the signal line and install the device separately, and at the same time above the signal line on both frame surfaces of the signal line. And the ground below The ground wall connecting the layers without potential difference is provided by accessing the signal lines so as not to damage the microstrip line structure and the strip line structure of the signal line, and equip them with their ground vias, ground walls, and the signal line surrounded by the ground layer. It is characterized by narrowing the width of the square coaxial wall.
상기 구성을 제1, 제2고주파소자용 패키지에 있어서는 신호선로의 양측 프레임에 그라운드비어를 신호선로의 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조를 손상시키지 않도록 하여 신호선로에 접근시켜 각각 설비하고 있다. 다시말하면, 신호선로 양측에 그라운드비어로 된 의사그라운드벽을 신호선로에 접근시켜서 각각 설비하고 있다.In the first and second high frequency device packages described above, the ground vias are provided on both sides of the signal line so as to not damage the microstrip line structure and the strip line structure of the signal line so as to approach the signal line. In other words, the pseudo ground walls, which are ground blanks on both sides of the signal line, are provided close to the signal line.
또 제2고주파소자용 패키지에 있어서는 신호선로의 양측 프레임 표면에 그라운드벽을 신호선로의 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조를 손상시키지 않도록 하여 신호선로에 접근시켜 각각 설비하고 있다.In the package for the second high frequency device, ground walls are provided on both surface surfaces of the signal line so as not to damage the microstrip line structure and the strip line structure of the signal line so as to approach the signal line.
그와 동시에, DC선로의 양측 프레임에 신호선로 상방과 그 하방의 그라운드층을 전위차없이 접속하는 비어를 각각 설비하든지 신호선로의 양측프레임표면에 신호선로의 상방과 그 하방의 그라운드층을 전위차없이 접속하는 그라운드벽을 각각 설비하든지 신호선로의 상방과 하방의 그라운드층을 확실하게 동일 그라운드 전위로 보지할 수 있게 되어있다.At the same time, vias for connecting the upper and lower ground layers of the signal line with no potential difference are respectively provided on both frames of the DC line, or the upper and lower ground layers of the signal line are connected without potential difference on both surface surfaces of the signal line. Even if the ground walls are provided separately, the ground layers above and below the signal line can be reliably held at the same ground potential.
그 때문에 상기 구성의 제1, 제2고주파 소자용 패키지에 있어서는 신호선로의 상방과 하방의 그라운드층과 그것에 접속된 신호선로의 양측 그라운드 비어로 한 의사그라운드벽이나 그라운드벽으로 둘러싸인 신호선로의 의사 4각형 동축벽의 가로폭이 좁혀진다. 그리고 그들의 그라운드층과 의사그라운드벽과 그라운드벽으로 둘렀아니 의사 4각형 동축구조로 된 신호선로에 발생되는 기생공진주파수가 신호선로에 전송되는 고주파신호의 사용주파수 대역보다 높여진다. 그와 동시에 신호선로의 상방과 하방의 그라운드층이 확실하게 동일 그라운드 전위로 보지되어 신호선로에 마이크로 스트립공진등이 생기는 것이 방진된다.Therefore, in the package for the first and second high frequency devices of the above-described configuration, pseudo 4 of the signal line enclosed by a pseudo ground wall or a ground wall, which are both ground vias above and below the signal line, and both ground vias of the signal line connected thereto. The width of the square coaxial wall is narrowed. In addition, the parasitic resonance frequency generated in the signal line of the pseudo-square coaxial structure becomes higher than the used frequency band of the high frequency signal transmitted to the signal line. At the same time, the ground layers above and below the signal line are reliably held at the same ground potential, so that microstrip resonance and the like occur in the signal line.
그 결과, 신호선로에 고주파신호를 전송했을 때에 그 의사 4각형 동축구조로 된 전송했을 때에 그 의사 4각형 동축구조로 된 신호선로에 기생공진, 마이크로스트립 공진등이 발생되어 신호선로에 전송되는 고주파신호의 삽입손실등의 전송손실이 증대되는 것이 방지된다.As a result, when a high frequency signal is transmitted to the signal line, parasitic resonance, microstrip resonance, etc. are generated on the signal line of the pseudo quadrangular coaxial structure and transmitted to the signal line. Increase in transmission loss such as insertion loss of signals is prevented.
다음에 본 발명이 실시예를 도면에 의해서 설명하겠다.Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
제1도와 제2도는 본 발명의 제1고주파 소자용 패키지의 실시예를 나타내고 제1도는 그 신호선로 주변의 확대사시도, 제2도는 그 평면도를 나타내고 있다.1 and 2 show an embodiment of the first high frequency device package of the present invention, and FIG. 1 shows an enlarged perspective view of the periphery of the signal line, and FIG. 2 shows a plan view thereof.
이하에 이 패키지를 설명하겠다.This package is described below.
도면에서 20은 대략 4각형 프레임상으로 된 세라믹으로 된 프레임이고 패키지 측벽을 형성하고 있다.20 in the figure is a frame made of ceramic in the shape of an approximately quadrangular frame and forms a package sidewall.
프레임(20)의 4방의 내외에는 계단면(22,24)을 각각 설비하고 있다.Steps 22 and 24 are provided inside and outside the four chambers of the frame 20, respectively.
프레임좌우의 계단면(22,24)에는 메탈라이징으로 된 가는 띠모양의 신호선로(10)를 프레임(20)내부를 관통하여 동일 평면위에 연속해서 설비하고 있다.Steps 22 and 24 on the left and right sides of the frame are provided with metal banded thin band-shaped signal lines 10 continuously through the inside of the frame 20 on the same plane.
신호선로(10)의 상방과 그 하방에 맞닿는 프레임(20)의 상하면에는 메탈라이징으로 된 그라운드층(40,42)을 연속해서 넓게 층모양으로 각각 설비하고 있다. 그리고 그들의 그라운드층(40,42)에 의해서 신호선로(40,42)를 그 내측으로부터 외측으로 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조, 마이로스트립선로구조로 된 신호선로(10)의 특성임피던스를 패키지에 수용하는 반도체 칩등의 내부신호회로가 갖는 특성임피던스의 50Ω등에 매칭시키고 있다.On the upper and lower surfaces of the frame 20 which is in contact with the upper part of the signal line 10 and the lower part thereof, metallized ground layers 40 and 42 are continuously provided in a wide layer shape. Then, the signal lines 40 and 42 are packaged with their ground layers 40 and 42 from the inner side to the outer side to package the characteristic impedance of the signal line 10 having the microstrip line structure, the strip line structure, and the miro strip line structure. 50 kHz of the characteristic impedance of an internal signal circuit such as a semiconductor chip to be accommodated.
프레임 4귀퉁이의 코너부(20a)에는 프레임(20)의 상하면에 설비된 그라운드층(40,42)을 접속하는 굵은 비어(50)을 프레임(20)을 상하로 관통시켜 각각 설비하고 있다. 그리고 프레임 상하면의 그라운드층(40,42)을 대략동일 그라운드 전위로 보지할 수 있도록 되어 있다.In the corner portion 20a of the four corners of the frame, a thick via 50 connecting the ground layers 40 and 42 provided on the upper and lower surfaces of the frame 20 is installed through the frame 20 up and down, respectively. The ground layers 40 and 42 on the upper and lower surfaces of the frame can be held at approximately the same ground potential.
프레임 전후의 계단면(22,24)에는 메탈라이징을 된 가는 띠모양의 DC선로(30)를 프레임(20)내부를 관통시켜 동일 평면위에 연속해서 복수개 배열하여 설비하고 있다.The stepped surfaces 22 and 24 before and after the frame are provided with a plurality of metal banded DC lines 30 passing through the inside of the frame 20 and arranged in series on the same plane.
프레임(20)하면에는 고열상산성의 금속판으로 된 히트싱크(60)가 접합되어 있다. 상세하거는 히트싱크(60)를 프레임(20)하면에 설비한 메탈라이징으로 된 그라운드층(42)에 경납땜으로 접합하고 있다.The heat sink 60 made of a high thermally acidic metal plate is joined to the lower surface of the frame 20. In detail, the heat sink 60 is bonded to the metalized ground layer 42 provided on the lower surface of the frame 20 by brazing.
프레임(20)상면에는 금속제의 시일링(70)이 접합되어 있다. 상세하게는 시일링(70)을 프레임(20)상면의 메탈라이징으로 되는 그라운드층(40)에 경납땜으로 접합하고 있다. 그리고 시일링(70)을 거쳐서 캡(도시하지 않음)을 패키지 상면에 기밀하게 접합가능하게 되어있다.A metal sealing ring 70 is joined to the upper surface of the frame 20. In detail, the sealing ring 70 is brazed to the ground layer 40 which becomes the metallization of the upper surface of the frame 20 by brazing. The cap (not shown) is hermetically joined to the package upper surface via the seal ring 70.
이상의 구성은 종래의 고주파소자용 패키지와 마찬가지이지만 도면의 패키지에서는 프레임 전후의 계단면(22,24)에 복수개 배열하여 설비된 DC선로(30)의 양측 프레임(20)에 그 상하면에 설비된 그라운드층(40,42)을 전위차없이 접속하는 메탈라이징등의 도체폴로되 비어(이하 단지 비어라함)(400)을 각각 설비하고 있다. 상세하게는 프레임(20)내부를 관통하는 DC선로(30)의 양측프레임(20)에 비어(400)를 프레임(20)을 상하로 관통시켜 각각 복수개 배열하여 설비하고 그들의 비어(400)를 그라운드층(40,42)에 각각 접속하고 있다. 그리고 그들의 비어(400)와 전술한 프레임의 4귀퉁이의 비어(50)에 의해서 프레임 상하면의 그라운드층(40,42)을 확실하게 동일 그라운드 전위로 보지가능하게 되어있다.The above structure is the same as that of the conventional high frequency device package, but in the package shown in the figure, ground is provided on the upper and lower surfaces of both frames 20 of the DC line 30 arranged on the step surfaces 22 and 24 before and after the frame. Conductor polos (hereafter simply referred to as vias) 400, such as metallizing, which connect the layers 40 and 42 without potential difference, are provided respectively. In detail, a plurality of vias 400 are arranged on both side frames 20 of the DC line 30 penetrating the inside of the frame 20 by arranging a plurality of vias 20 up and down, and the vias 400 are grounded. It is connected to the layers 40 and 42, respectively. The vias 400 and the vias 50 at the four corners of the frame make it possible to reliably hold the ground layers 40 and 42 on the upper and lower surfaces of the frame at the same ground potential.
그와 동시에 신호선로(10)의 양측프레임(20)에 메탈라이징등의 도체폴로 된 그라운드비어(이하 단지 그라운드비어라고 칭함)(500)를 신호선로(10)의 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조를 손상시키지 않도록하여 신호선로(10)에 접근시켜서 각각 설비하고 있다. 상세하게는 제1도면에 나타낸 것과 같이 프레임외측의 계단면(24)에 설비된 신호선로(10a)에 양측에 그라운드비어(500)를 신호선로(10a)에 접근시켜서 각각 복수개 배열하여 설비하고 있다. 또 제2도에 나타낸 것과같이 프레임내측의 계단면(22)에 설비된 신호선로(10c)의 양측에 그라운드비어(500)를 신호선로(10c)에 접근시켜서 각각 복수개 배열하여 구비하고 있다.At the same time, the ground vias 500 (hereinafter, simply referred to as ground vias) made of conductor poles such as metallizing are formed on both side frames 20 of the signal line 10. The microstrip line structure and the strip line structure of the signal line 10 are provided. The signal line 10 is provided close to each other so as not to damage it. In detail, as shown in the first drawing, a plurality of ground vias 500 are provided on both sides of the signal line 10a provided on the stepped surface 24 on the outside of the frame, and are arranged in a plurality, respectively. . As shown in FIG. 2, a plurality of ground vias 500 are provided in close proximity to the signal line 10c on both sides of the signal line 10c provided on the step surface 22 inside the frame.
또 제2도네 나태낸 것과같이 프레임(20)내부를 관통시켜 설비한 신로선로(10b)의 양측에 그라운드비어(500)를 신호선로(10b)에 접근시켜서 각각 복수개 설비하고 있다.As shown in FIG. 2, a plurality of ground vias 500 are provided near the signal line 10b on both sides of the passage line 10b provided through the inside of the frame 20, respectively.
그라운드비어(500)는 프레임(20)을 상하로 관통시켜 설비하고 있어서 그라운드비어(500)를 프레임하면의 그라운드층(42)또는 그것에 더하여 프레임상면의 그라운드층(40)에 접속하고 있다. 그리고 그라운드비어(500)를 그라운드층(40,42)과 동일 그라운드전위로 보지가능하게 되어 있고 그라운드비어(500)가 신호선로(10)의 양측에 의사그라운드벽(502)을 각각 형성하고 있다.The ground via 500 is provided by penetrating the frame 20 up and down, and the ground via 500 is connected to the ground layer 42 on the lower surface of the frame or to the ground layer 40 on the upper surface of the frame. The ground via 500 can be held at the same ground potential as the ground layers 40 and 42, and the ground via 500 forms pseudo ground walls 502 on both sides of the signal line 10, respectively.
제1도와 제2도에 나타난 제1고주파소자용 패키지는 이상과 같이 구성하고 있고 이 패키지에서는 신호선로(10)의 양측의 복수개의 그라운드비어(500)로 된 의사그라운드벽(502)과 신호선로(10)상방과 그 하방의 그라운드층(40,42)으로 신호선로(10)주위에 의사 4각형 동축벽을 형성하고 있고 그 의사 4각형 동축구조로 된 신호선로(10)의 의사 4각형 동축벽의 횡축 즉 신호선로(10)의 양측에 설비된 복수개의 그라운드비어(500)로 된 의사그라운드벽(592)간의 폭을 좁히고 있다. 그와 동시에 DC선로(30)의 양측프레임(20)에 복수개 배열하여 설비된 비어(400)와 프레임 4귀퉁이의 비어(50)에 의하여 프레임상 하면의 그라운드층(40,42)과 그것에 접속된 그라운드비어(500)을 확실하게 동일 그라운드전위로 보지가능하게 되어 있다. 그리고 신호선로(10)에 전달되는 고주파신호에 의해서 의사 4각형 동축구조로 된 신호선로(10)에 기생공진, 마이크로스트립 공진등이 발생되는 것을 방지하고 있다.The first high frequency device package shown in FIG. 1 and FIG. 2 is constituted as described above. In this package, the pseudo ground wall 502 and the signal line made of a plurality of ground vias 500 on both sides of the signal line 10 are provided. (10) Pseudo-quartz coaxial walls of signal lines 10 having pseudo quaternary coaxial walls around the signal line 10 with upper and lower ground layers 40 and 42 formed therein. The width between the horizontal axis of the wall, that is, the pseudo ground walls 592 made of a plurality of ground vias 500 provided on both sides of the signal line 10 is narrowed. At the same time, the via layers 400 and 42 on the lower surface of the frame and connected to the vias 400 and the vias 50 at the four corners of the frame are arranged in plural on both side frames 20 of the DC line 30. The ground via 500 can be held reliably at the same ground potential. In addition, parasitic resonance, microstrip resonance, and the like are prevented from occurring in the signal line 10 having a pseudo-square coaxial structure by the high frequency signal transmitted to the signal line 10.
제3도와 제4도는 본 발명의 제2고주파소자용 패키지의 실시예를 나타내고 제3도는 그 신호선로주변의 확대사시도, 제4도는 그 평면도를 나타내고 있다. 이하에 이 패키지를 설명하겠다.3 and 4 show an embodiment of the second high frequency device package of the present invention, FIG. 3 shows an enlarged perspective view of the periphery of the signal line, and FIG. 4 shows a plan view thereof. This package is described below.
도면의 패키지에서는 DC선로(30)의 양측프레임(20)에 비어를 구비하지 않고 그 대신에 신호선로(10)양측의 프레임(20)표면에 신호선로(10)의 상방과 그 하방에 맞닿는 프레임 상하면의 그라운드층(40,42)을 전위차없이 접속하는 그라운드벽(600)을 신호선로(10)의 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조를 손상시키지 않도록하여 신호선로(10)에 접근시켜서 각각 설비하고 있다.In the package shown in the figure, the frame on both sides of the DC line 30 does not have a via, but instead the frame which abuts the signal line 10 above and below the surface of the frame 20 on both sides of the signal line 10. The ground wall 600 connecting the upper and lower ground layers 40 and 42 without potential difference is provided to approach the signal line 10 so as not to damage the microstrip line structure and the strip line structure of the signal line 10. have.
상게하게는 제3도에 나타낸 것과같이 신호선로(10a)의 양측의 계단면(24)과 그것에 연결되는 계단면(24)의 전단면에 메탈라이징으로 된 그라운드벽(600)을 그 신호선로(10a)에 대향하는 내측연부가 신호선로(10a)의 측연부와 평행이 되게 넓게 층상으로 각각 설비하고 있다. 또 제4도에 나타낸 것과같이 신호선로(10c)의 양측 계단면(22)과 그것에 연결되는 계단면(22)의 전단면에 메탈라이징으로 된 그라운드벽(600)을 그 신호선로(10c)에 대향하는 내측연부가 신호선로(10c)의 측연부와 평행이 되게 넓게 층상으로 각각 설비하고 있다. 또 제3도와 제4도에 나타낸 것과같이 신호선로(10b)의 출입구주변의 계단면(22,24)의 후단부에 연결되는 프레임의 상승벽면(26,28)에 메탈라이징으로 된 그라운드벽(600)을 그 신호선로(10b)에 대향하는 내측연부가 평행이 되게 넓은 층상으로 각각 설비하고 있다. 이들의 그라운드벽(600)은 그라운드층(40,42)에 각각 연속해서 접속하고 있어 그들의 그라운드벽(600)을 그라운드층(40,42)과 동일 그라운드전위로 보지가능하게 되어있다.As shown in FIG. 3, a ground wall 600 made of metallized on the step surface 24 on both sides of the signal line 10a and the front end surface of the step surface 24 connected thereto is connected to the signal line ( The inner edge facing 10a) is provided in a layered manner so as to be parallel to the side edge of the signal line 10a. In addition, as shown in FIG. 4, the ground wall 600 made of metallized on both side faces 22 of the signal line 10c and the front face of the step 22 connected to the signal line 10c is attached to the signal line 10c. The opposite inner edges are provided in a layered manner so as to be parallel to the side edges of the signal line 10c. In addition, as shown in FIG. 3 and FIG. 4, a ground wall made of metallized on the rising wall surfaces 26 and 28 of the frame connected to the rear ends of the step surfaces 22 and 24 around the entrance and exit of the signal line 10b ( 600 are respectively provided in a wide layer form so that the inner edge which opposes the signal line 10b becomes parallel. These ground walls 600 are continuously connected to the ground layers 40 and 42, respectively, so that the ground walls 600 can be held at the same ground potential as the ground layers 40 and 42. FIG.
그외는 전술한 제1도와 제2도에 나타낸 제1고주파소자용 패키지와 같이 구성되어 있고 이 제2고주파소자용 패키지에서는 신호선로(10)의 양측의 복수개의 그라운드비어(500)로 된 의사그라운드벽(502) 및 그라운드벽(600)과 신호선로(10)의 상방과 그 하방의 그라운드층(40,42)으로 신호선로(10)주위에 의사 4각형 동축벽을 형성하고 있고 그 의사 4각형 동축구조된 신호선로(10)의 의사 4각형 동축벽위에 의사4각형 동축벽을 형성하고 있고 그 의사 4각형 동축구조된 신호선로(10)의 의사4각형 동축벽의 가로폭 즉, 신호선로(10)의 양측에 설비된 복수개의 그라운드비어(500)로 된 의사그라운드벽(502)간이나 그라운드벽(600)간의 폭을 좁혔다. 그와 동시에 그라운드벽(500)과 프레임의 4귀퉁이의 비어(50)에 의해서 프레임 상하면의 그라운드층(40,42)을 동일 그라운드전위로 확실하게 보지가능하게 되어있다. 그리고 신호선로(10)에 전달되는 구조파신호로 의해서 의사 4각형 동축구조로 된 신호선로(10)에 기생공진, 마이크로스트립공진 등이 발생되는 것을 방지하고 있다.Otherwise, the first high frequency device package shown in FIG. 1 and FIG. 2 is configured, and the second high frequency device package includes a pseudo ground including a plurality of ground vias 500 on both sides of the signal line 10. The pseudo hexagonal coaxial wall is formed around the signal line 10 by the ground layers 40 and 42 above and below the wall 502 and the ground wall 600 and the signal line 10. A pseudo quadrangular coaxial wall is formed on the pseudo quadrangular coaxial wall of the coaxial structured signal line 10, and the width of the pseudo quadrangular coaxial wall of the pseudo quadrangular coaxial structured signal line 10, that is, the signal line ( The width | variety between the pseudo ground walls 502 and the ground walls 600 which consist of several ground vias 500 provided in both sides of 10) was narrowed. At the same time, the ground walls 500 and the vias 50 at the four corners of the frame ensure that the ground layers 40 and 42 on the upper and lower surfaces of the frame can be reliably held at the same ground potential. In addition, parasitic resonance, microstrip resonance, and the like are prevented from occurring in the signal line 10 having a pseudo-hexagonal coaxial structure by the structure wave signal transmitted to the signal line 10.
또 상술한 제2고주파소자용 패키지에 있어서 그라운드벽(600)은 신호선로(10)의 양측프레임(20)표면에 띠모양으로 설비해도 좋고 그와같이 하여도 패키지와 대략 같은 작용을 갖는 본 발명의 제2고주파소자용 패키지를 형성할 수 있다.In the above-described second high frequency device package, the ground wall 600 may be provided on the surface of both frame 20 of the signal line 10 in a band shape, and in this way, the present invention has substantially the same effect as the package. The second high frequency device package can be formed.
또 상술한 제1, 제2고주파소자용 패키지에 있어서 프레임의 4귀퉁이에 비어(50)를 설비하지 않고 DC선로(30)의 양측프레임(20)에 설비된 비어(400)또는 신호선로(10)의 양측 프레임(20)표면에 설비된 그라운드벽(600)만을 사용하여 프레임의 상하면의 그라운드층(40,42)을 전위차없이 접속해도 좋고 그와같이 하여도 상술한 패키지와 같은 작용을 갖는 본 발명의 제1, 제2고주파소자용 패키지를 형성할 수 있다.In the above-described first and second high frequency device packages, the via 400 or the signal line 10 provided on both sides of the frame 20 of the DC line 30 without the via 50 is provided at the four corners of the frame. By using only the ground wall 600 provided on the surface of both sides of the frame 20, the ground layers 40 and 42 on the upper and lower surfaces of the frame may be connected without a potential difference, and as such, the bone having the same action as the package described above. Packages for the first and second high frequency devices of the invention can be formed.
또 본 발명의 제1, 제2고주파소자용 패키지에 있어서는 그 의사 4각형 동축구조로 된 신호선로(10)주위의 의사구형동축벽의 세로폭이 고려되어 있지 않다.In the first and second high frequency device packages of the present invention, the vertical width of the pseudo spherical coaxial wall around the signal line 10 of the pseudo quadrangular coaxial structure is not considered.
이것은 신호선로(10)를 메탈라이징등의 두꺼운 막으로 형성한 경우에는 신호선로(10)의 폭을 최소0.2mm이하로 형성하기 곤란하다.When the signal line 10 is formed of a thick film such as metalizing, it is difficult to form the width of the signal line 10 at least 0.2 mm or less.
그 때문에 세라믹으로 된 프레임(20)의 유전율(ε)을 고려하여 신호선로(10)를 그 상방과 하방의 프레임(20)에 설비된 그라운드층(40,42)을 사용하여 마이크로스트립선로구조나 스트립선로구조로 형성하여 그 신호선로(10)의 특성 임피던스를 50Ω에 매칭시키는 동시에 신호선로(10)의 양측프레임(20)이나 그 표면에 그라운드비어(500)로 된 의사그라운드벽(502)이나 그라운드벽(600)을 그 신호선로(10)의 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조를 손상하지 않도록 설비하려고 하면 신호선로(10)의 마이크로스트립선로구조, 스트립선로구조를 손상하지 않도록 설비하려고 하면 신호 선로(10)의 양측의 의사그라운드벽(502)간이나 그라운드벽(600)간의 거리가 신호선로(10)의 상방과 그 하방의 그라운드층(40,42)간의 거리에 비해서 필연적으로 길어지기 때문이다. 즉, 의사 4각형 동축구조로 된 신호선로(10)의 기생공진주파수의 값이 그 신호선로(10)주위의 의사 4각형 동축벽의 가로폭에만 규제되게 되기 때문이다.Therefore, in consideration of the dielectric constant ε of the frame 20 made of ceramic, the signal line 10 is used as the microstrip line structure by using the ground layers 40 and 42 provided on the upper and lower frames 20. Formed with a strip line structure, the characteristic impedance of the signal line 10 is matched to 50 kHz, and the pseudo ground wall 502 made of ground vias 500 on both sides of the frame 20 or the surface of the signal line 10 or If the ground wall 600 is to be installed so as not to damage the microstrip line structure and the strip line structure of the signal line 10, the signal is to be installed so as not to damage the microstrip line structure and the strip line structure of the signal line 10. This is because the distance between the pseudo ground walls 502 and the ground walls 600 on both sides of the line 10 is necessarily longer than the distance between the upper and lower ground layers 40 and 42 of the signal line 10. to be. In other words, the parasitic resonance frequency of the signal line 10 having a pseudo-square coaxial structure is limited only to the width of the pseudo-square coaxial wall around the signal line 10.
이상 설명한 바와같이 본 발명의 제1, 제2고주파소자용 패키지에 의하면 신호선로에 5GHz이상등의 소주파신호를 전송한 경우에 그 의사 4각형동축구조로 된 신호선로에 기생공진, 마이크로스트립공진등이 발생되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.As described above, according to the first and second high frequency device packages of the present invention, when a small frequency signal such as 5 GHz or more is transmitted to a signal line, parasitic resonance and microstrip resonance are applied to a signal line having a pseudo quadrangular coaxial structure. And the like can be reliably prevented from occurring.
그리고 그 신호선로를 5GHz이상등의 고주파 신호를 삽입손실등의 전송손실이 적고 효율좋게 전송할 수 있게 된다.The signal line can efficiently transmit high frequency signals such as 5 GHz or more with low transmission loss such as insertion loss.
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