KR970003852B1 - 비정실 실리콘 태양전지의 전극패턴형성방법 - Google Patents

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Abstract

요약없슴

Description

비정질 실리콘 태양전지의 전극패턴형성방법
제1도는 종래의 전극 패턴형성방법을 나타낸 비정질 실리콘 태양전지의 종단면도.
제2도는 본 발명의 전극패턴형성방법을 나타낸 비정질 실리콘 태양전지의 종단면도.
제3도는 종래의 전극패턴형성방법으로된 비정질 실리콘태양전지의 전극을 측정한 결과를 나타낸 특성도.
제4도는 본 발명의 전극패턴형성방법으로된 비정질 실리콘 태양전지의 전극을 측정한 결과를 나타낸 옥상
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 기판지지대2 : 마스크홀더
3 : 마스크4 : 시료
5 : 자석
본 발명은 비정질실리콘 태양전지의 전극패턴 형성 방법에 관한 것으로 특히 비정질실리콘 p층, i층, n층으로 형성된 비정질실리콘 태양전지에 있어서 전극층의 패턴을 형성할 때 보다 정밀한 마스크정렬(align) 방식과 유효면적을 크게하기 위한 얇은 선폭을 갖는 비정질실리콘 태양전지의 전극 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
종래의 비정질실리콘 태양전지는 제1도에 도시한 바와같이 증발기나 스퍼터링장치내의 기판지지대(1)상에 유리 또는 웨이퍼인 시료(4)를 제작하고 이에 마스크(3)를 제작한 후 상기 기판지지대(1)상에 시료(4)와 마스크(3)을 고정하는 마스크홀더(2)를 제작한 후 전극을 증착하여 된 것으로 이와같이 제작된 비정질실리콘 태양전지는 마스크(3)와 시료(4)의 정교한 정렬이 안되고 마스크(3)와 시료(4)사이의 간격이 생김으로써 전극의 선폭을 500μm 이하로 줄이기가 어려웠다. 따라서 식각(eching)에 의한 방법으로 선폭을 80μm까지 줄였으나 에칭공정으로 인한 생산설비의 증가, 수율저하, 생산공정시간의 증가하는 문제점을 가지고 있었다.
본 발명은 상기와같은 문제점을 해결하기 위하여 시료상에 자석을 제작하여 이 자석에 의한 자력으로 마스크를 부척시키는 물리적공정으로 전극층을 형성함으로써 태양전지의 유효면적의 극대화 및 고효율을 얻을 수 있게한 것으로 이하 첨부된 실시예에 의하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
(실시예)
먼저 기판지지대(1)상에 제2도에 도시한 바와같이 잔류자속밀도(residual flux density)가 200Gauss~15,000Gauss인 페라이트나 알루미늄(Al)+니켈(Ni)+코발트(Co) 합금인 알리코(Alnico)로된 자석(5)을 부착시키고 이 자석(5)상에 유리나 웨이퍼종류의 시료(4)를 부착한 후 이 시료(4)의 상면에는 마스크(3)을 자석(5)의 자력으로 밀착고정한 후 증발기 또는 스퍼터링법으로 전국층(도시되지않음)을 형성시켜서된 것으로 이와같이 제작된 본 발명과 비교제인 종래의 발명과 비교측정한 결과 다음과 같은 결과를 얻었다.
본 발명의 마스크(3)상에 알루미늄 전극층으로 증발기로서 두께 900Å, 1400Å을 각각 증착한 후 에지(edge)의 단면(profile)을 텔리스텝(taly step)으로 측정한 결과 비교제인 경우 제3도에 도시한 바와같이 0~90%가 되는 에지의 길이가 298μm임이 나타났고 발명제인 경우 제4도에 도시한 바와같이 에지의 길이가 3.7μm로 크게 줄일 수 있게됨으로 태양전지의 유면적을 극대화하여 고효율의 태양전지의 얻을 수 있는 측정결과를 얻었다.
이상에서 설명한 바와같이 본 발명은 증발기 또는 스퍼터링장치의 내부기판상에 페라이트 또는 알니코인 자석을 부착하고 이 자석으로 마스크와 시료를 정밀하게 정렬시켜 밀착고정함으로써 종래의 마스크와 시료를 고정하기 위하여 홀더를 사용하지 않아도되고 또한 마스크상에 제작된 알루미늄 전극의 에지의 단면의 길이를 10μm이하로 줄일 수 있게됨으로해서 태양전지의 유효면적을 극대화하여 고효율의 태양전지를 얻을 수 있으며 아울러 에지의 단면을 줄이기 위하여 식각법을 사용하지 않아도 됨으로 해서 작업공정이 간단하여 생산성을 향상 시킬 수 있는 장점을 제공해줄 수 있는 것이다.

Claims (2)

  1. 비정질실리콘 태양전지의 전극패턴 형성방법에 있어서 기판지지대(1)상에 전자석(5)을 부착하고 전자석(5)의 자력으로 시료(4) 마스크(3)을 부착하고 전자석(5)의 자력으로 시료(4) 마스크(3)를 밀착 고정한 후 이에 전극을 증착시켜 전극의 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 태양전지의 전극패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서 마스크(3)는 자화성을 띰과 동시에 전자석(5)은 페라이트 또는 알리코로 된 것임을 특징으로 하는 비정질실리콘 태양전지의 전극패턴 형성방법.
KR1019880002964A 1988-03-19 1988-03-19 비정실 실리콘 태양전지의 전극패턴형성방법 KR970003852B1 (ko)

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