KR970003829B1 - Graphite tool coated by sic and manufacturing method for semiconductor wafer - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
본 발명은 열충격 내성이 개량된 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구(治具) 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세히 설명하자면, 본 발명은 흑연 기재와 탄화규소 피복층 사이에, 흑연 기재로부터 탄화규소층에 이르기까지 탄화규소의 함량이 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 흑연과 탄화규소와의 복합 재료층을 갖는 것을 특징으로 하는 탄화규소 피복 흑연 치구 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a silicon carbide coated graphite jig for semiconductor wafer processing with improved thermal shock resistance and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention has a composite material layer of graphite and silicon carbide having a gradient between the graphite substrate and the silicon carbide coating layer having a gradually increasing content of silicon carbide from the graphite substrate to the silicon carbide layer. The present invention relates to a silicon carbide coated graphite jig and a method for producing the same.
일반적으로, 반도체 웨이퍼 처리용 치구는 실온으로부터 1200℃로의 급열, 급냉 및 고온의 염산(HCl) 기체를 사용한 애칭 등이 조건에서 충분히 견딜 수 있어야 하고, 고순도의 실리콘 웨이퍼 등의 제품과 접촉시 이를 오명시키지 않아야 한다.Generally, the jig for semiconductor wafer processing should be able to withstand the conditions such as rapid quenching from room temperature to 1200 ° C., quenching and high temperature hydrochloric acid (HCl) gas, etc., and it is stigmatized upon contact with products such as high-purity silicon wafers. It should not be.
이러한 특성을 만족시키는 재료로서는 종래부터 흑연 기재에 고순도와 탄화규소를 증착법으로 피복한 탄화규소 피복 흑연 소재가 사용되고 있다. 그러나, 이러한 종래의 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구에는 다음과 같은 문제점들이 있다.As a material which satisfies such a characteristic, the silicon carbide coated graphite material which conventionally coat | covered the graphite base material with the high purity and silicon carbide by the vapor deposition method is used. However, these conventional silicon carbide coated graphite jig for semiconductor wafer processing has the following problems.
(1) 급열 및 급냉시, 흑연 기재와 탄화규소 피복층 사이의 열팽창 계수의 차이에 기인한 탄화규소 피복층의 균열 또는 박리 현상.(1) Cracking or peeling phenomenon of the silicon carbide coating layer due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the graphite substrate and the silicon carbide coating layer during quenching and quenching.
(2) 열처리 도중, 흑연 기재에 흡착되어 있던 불순불의 방출에 의한 반도체 웨이퍼의 오염 발생.(2) During the heat treatment, contamination of the semiconductor wafer due to the release of the impurity adsorbed on the graphite substrate.
(3) 고주파 유도에 의한 가열시, 가열의 불균형으로 인한 반도체 웨이퍼 처리용 치구 내에서의 온도의 불균일성.(3) Nonuniformity of temperature in the jig for semiconductor wafer processing due to unbalance of heating during heating by high frequency induction.
따라서 전술한 문제점들을 해결하기 위한 기술들이 다수 제안되었다. 예를 들면, 미합중국 특허 제4,624,735호는 흑연 기재에 흡착되어 있던 불순물의 방출에 의한 반도체 웨이퍼의 오염을 줄일 수 있는 방법을 제시하고 있다. 이 방법에서는, 두께0.15㎛ 이상 및 너비 5㎛ 이상인 육각 기둥의 탄화규소 결정 입자가 탄화규소 피복층의 표면적의 30% 이상을 차지하도록 하여, 탄화규소 피복층면에 대한 X선 회절 피크에서 피트 중간치의 너비가 0.35°이하인 탄화규소 피복층을 형성시킴으로써, 흑연 기재중에 흡착되어 있는 불순물이 외부로 확산되는 것을 방지하여 실리콘 웨이퍼의 오염을 최소화하고자 하였다.Therefore, a number of techniques for solving the above problems have been proposed. For example, US Pat. No. 4,624,735 discloses a method for reducing the contamination of semiconductor wafers by the release of impurities adsorbed on the graphite substrate. In this method, silicon carbide crystal grains of hexagonal columns having a thickness of at least 0.15 μm and a width of at least 5 μm occupy 30% or more of the surface area of the silicon carbide coating layer, so that the width of the mid-pit width at the X-ray diffraction peaks on the silicon carbide coating layer surface. By forming a silicon carbide coating layer having a thickness of 0.35 ° or less, it was intended to minimize contamination of the silicon wafer by preventing impurities adsorbed in the graphite substrate from diffusing to the outside.
일본국 특허 공개 공보 (평)3-246931호에서는 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구의 내부에 기공을 만들고, 실리콘 웨이퍼 탑재면의 뒷면에 반도체 웨이퍼 처리용 치구의 내부 기공으로 통하는 구멍을 만들어서 흑연 기재 중에 흡착되어 있는 불순물이 웨이퍼를 오염시키지 않고 신속히 방출될 수 있도록 하였다.In Japanese Patent Laid-Open No. 3-246931, graphite is formed by forming pores inside the silicon carbide coated graphite jig for semiconductor wafer processing, and by making holes through the internal pores of the semiconductor wafer processing jig on the back surface of the silicon wafer mounting surface. The impurities adsorbed in the substrate can be released quickly without contaminating the wafer.
일본국 특허 공개 공보 (평)2-186623호에서는 실리콘 웨이퍼 탑재면의 뒷면에 제거 가능한 방열 돌기를 다수 부착한 후 온도가 낮은 부분의 방열 돌기는 제거하고 온도가 높은 부분의 방열 돌기는 그냥 둠으로써 반도체 웨이퍼 처리용 치구 내의 온도를 균일하게 유지시키는 한편, 방열 돌기를 제거한 부위의 탄화규소 피복층에 생긴 구멍은 흑연 기재 중에 흡착되어 있는 불순물의 방출 통로로 작용하도록 하였다. 이에 의하여, 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구의 내부 온도 불균일 및 흑연 기재 중에 흡착되어 있던 불순물에 의한 웨이퍼 오염의 문제를 동시에 해결할 수 있다고 기재되어 있다.In Japanese Patent Laid-Open No. 2-186623, after attaching a plurality of removable heat dissipation protrusions to the back surface of the silicon wafer mounting surface, the heat dissipation protrusions of the low temperature part are removed and the heat dissipation protrusions of the high temperature part are left alone. While maintaining the temperature in the semiconductor wafer processing jig uniformly, the holes formed in the silicon carbide coating layer at the portion where the heat dissipation protrusions were removed were to act as discharge passages of impurities adsorbed in the graphite substrate. Thereby, it is described that the problem of wafer contamination due to the internal temperature irregularity of the silicon carbide coated graphite jig for semiconductor wafer processing and the impurities adsorbed in the graphite substrate can be solved at the same time.
그러나, 이러한 선행 기술들은 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구가 갖고 있는 근본적인 문제점인, 급열 및 급냉시 흑연 기재와 탄화규소 피복층 사이의 열팽창 계수 차이에 기인한 탄화규소 피복층의 균열 또는 박리의 문제를 해결할 수는 없었다.However, these prior arts solve the problem of cracking or peeling of the silicon carbide coating layer due to the difference in coefficient of thermal expansion between the graphite substrate and the silicon carbide coating layer during quenching and quenching, which is a fundamental problem of the silicon carbide coated graphite jig for semiconductor wafer processing. I could not solve it.
이 점을 보완하기 위하여, 일본국 특허 공개 공보 (평)3-60117호에서는 흑연 기재의 표면 및 기공에 탄화규소의 뿌리를 박는 방법을 제시하였다. 이 방법은 흑연 기재에 실리콘을 화학 증착법으로 증착시킨 다음, 1420℃ 이상의 온도에서 열처리하여 흑연 기재의 표면 및 표면의 기공 주위에 증착된 실리콘과 흑연 기재 사이에 Si+C→SiC 반응을 일으켜 탄화규소층을 형성시켜 이 층이 뿌리로 작용하도록 하였다. 이어서, 다시 화학 증착법으로 탄화규소층을 증착시키는데, 이때 증착되는 탄화규소 피복층의 표면적의 50% 이상이 직경 80㎛ 이하의 반구상 결정 집합 조직으로 이루어지도록 증착시켜 표면 거칠기를 10㎛ 이하로 하여, 탄화규소 피복층과 접촉하는 실리콘 웨이퍼에 손상을 주지 않을 뿐만 아니라 탄화규소 피복층과 접촉하는 실리콘 웨이퍼의 접촉 면적을 넓게 하여 치구의 열전도율도 향상시켰다. 따라서, 이 방법에 의하면, 뿌리로 작용하는 탄화규소층 때문에 사용 도중 탄화규소 피복층의 박리를 최소화할 수 있으며, 향상된 열전도율에 의해 반도체 웨이퍼 처리용 치구 내의 온도의 불균일 문제도 해결할 수 있다고 기재되어 있다.To compensate for this, Japanese Patent Laid-Open No. 3-60117 has proposed a method of rooting silicon carbide on the surface and pores of a graphite substrate. This method deposits silicon on a graphite substrate by chemical vapor deposition, and then heat-treats it at a temperature of 1420 ° C. or higher to cause a Si + C → SiC reaction between the surface of the graphite substrate and the silicon deposited on the surface pores and the graphite substrate. A layer was formed so that this layer served as the root. Subsequently, a silicon carbide layer is deposited by chemical vapor deposition. At this time, at least 50% of the surface area of the silicon carbide coating layer to be deposited is made of a hemispherical crystal aggregate structure having a diameter of 80 μm or less so that the surface roughness is 10 μm or less. Not only did the silicon wafer in contact with the silicon carbide coating layer be damaged, but the contact area of the silicon wafer in contact with the silicon carbide coating layer was widened to improve the thermal conductivity of the jig. Therefore, it is described that this method can minimize the peeling of the silicon carbide coating layer during use due to the silicon carbide layer serving as the root, and solve the problem of temperature non-uniformity in the jig for semiconductor wafer processing by improved thermal conductivity.
이 방법을 사용할 경우, 탄화규소 피복층의 박리를 다소 줄일 수는 있었지만, 흑연 기재와 탄화규소 뿌리 사이의 열팽창 계수의 차이 때문에 탄화규소 피복층의 균열 또는 박리의 문제를 근본적으로 해결할 수는 없었다.When this method was used, the peeling of the silicon carbide coating layer could be somewhat reduced, but the problem of cracking or peeling of the silicon carbide coating layer was not fundamentally solved due to the difference in thermal expansion coefficient between the graphite substrate and the silicon carbide root.
일반적으로, 열팽창 계수의 차이에 의한 피복층의 박리 및 균열 현상을 최소화하기 위하여 가능한 한 탄화규소 피복층의 열팽창 계수와 근접한 열팽창 계수를 갖는 흑연 기재를 사용하고 있다. 반도체 웨이퍼 처리용 치구에 사용되는 흑연기재의 열팽창 계수는 제조 회사의 제조 방법에 따라 다르기는 하지만, 보통은 2.8 내지 5.5×10-6/℃ 정도이고, 화학 증착법으로 피복된 탄화규소의 열팽창 계수는 4.2 내지 4.6×10-6/℃이다. 그러나, 흑연 기재의 경우 같은 회사에서 같은 방법으로 제조하여도 매번 그의 열팽창 계수가 동일하지 않고, ±10% 정도로 크게 변하므로 흑연 기재의 열팽창 계수를 정확하게 조절할 수 없다. 결국, 탄화규소 피복층의 열팽창 계수와 흑연 기재의 열팽창 계수를 동일하게 할 수는 없기 때문에, 사용 도중 피복층의 균열 및 박리 현상은 필연적으로 일어나기 마련이다.In general, in order to minimize peeling and cracking of the coating layer due to the difference in thermal expansion coefficient, a graphite substrate having a thermal expansion coefficient as close to that of the silicon carbide coating layer as possible is used. The coefficient of thermal expansion of the graphite substrate used for the semiconductor wafer processing jig varies depending on the manufacturing method of the manufacturing company, but is usually about 2.8 to 5.5 × 10 −6 / ° C., and the coefficient of thermal expansion of the silicon carbide coated by the chemical vapor deposition method is 4.2 to 4.6 × 10 −6 / ° C. However, even if the graphite substrate is manufactured by the same method in the same company, the coefficient of thermal expansion is not the same every time, and large changes to about ± 10%, it is not possible to accurately control the coefficient of thermal expansion of the graphite substrate. As a result, since the thermal expansion coefficient of the silicon carbide coating layer and the thermal expansion coefficient of the graphite substrate cannot be made the same, cracking and peeling of the coating layer inevitably occur during use.
본 발명자들은 위와 같은 선행 기술의 단점을 해소하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 흑연 기재와 탄화규소 피복층 사이에, 흑연 기재로부터 탄화규소층에 이르기까지 탄화규소의 함량이 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 흑연과 탄화규소의 복합 재료층을 배치시킴으로써, 흑연 기재로부터 탄화규소층에 이르기까지 열팽창 계수가 점진적으로 변화하게 되므로, 급열 및 급냉의 사용 조건에서도 피복층의 박리 및 균열이 발생하지 않는 우수한 열충격 내성을 갖는 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구를 제조할 수 있다는 사실을 밝혀내고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The present inventors have intensively studied to solve the above disadvantages of the prior art, and as a result, there is a gradient of gradually increasing the content of silicon carbide between the graphite substrate and the silicon carbide layer, between the graphite substrate and the silicon carbide coating layer. By arranging the composite material layer of graphite and silicon carbide, the coefficient of thermal expansion gradually changes from the graphite substrate to the silicon carbide layer, thereby providing excellent thermal shock resistance that does not cause peeling and cracking of the coating layer even under conditions of rapid quenching and quenching. It has been found that the silicon carbide-coated graphite jig for processing semiconductor wafers can be produced and the present invention has been completed.
따라서, 본 발명의 목적은 사용 도중 탄화규소 피복층의 박리 및 균열이 발생하지 않는 우수한 열충격 내성을 갖는 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구를 제공하고자 함에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a silicon carbide coated graphite jig for semiconductor wafer processing with excellent thermal shock resistance that does not cause peeling and cracking of the silicon carbide coating layer during use.
본 발명의 또 다른 목적은 종래의 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구가 갖고 있는 문제점인 탄화규소 피복층과 흑연 기재 사이의 열팽창 계수의 차이에서 기인하는 문제점을 극복함으로써 사용 도중 탄화규소 피복층의 박리 및 균열이 발생하지 않는 우수한 열충격 내성을 갖는 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구를 제조할 수 있는 방법을 제공하기 위한 것이다.It is still another object of the present invention to overcome the problems caused by the difference in thermal expansion coefficient between the silicon carbide coating layer and the graphite substrate, which is a problem with conventional silicon carbide coated graphite jig for semiconductor wafer processing, SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for producing a silicon carbide coated graphite jig for semiconductor wafer processing having excellent thermal shock resistance without cracking.
이러한 본 발명의 목적은, a) 원하는 형상으로 가공된 흑연 기재를 고온에서 할로겐화수소 기체를 사용하여 고순도화시킨 후, b) 흑연 및 탄화규소로 이루어진 복합 재료층을 화학 증착법으로 증착시키는데, 이 때, 증착 도중 흑연 기재의 전구체인 메탄(CH4)의 농도를 점차적으로 감소시키는 한편, 탄화규소의 전구체인 메틸리클로로실렌(CH3SiCl3)의 농도는 점차적으로 증가시킴으로써 복합 재료층 중의 탄화규소의 함량이 흑연 기재로부터 표면에 이르기까지 점진적으로 증가하도록 증착시킨 다음, c) 복합 재료층의 표면 상에 다시 탄화규소를 화학 증착법으로 증착시키는 것으로 이루어진 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구의 제조 방법에 의해 달성될 수 있다.The object of the present invention is to a) purify a graphite substrate processed into a desired shape at high temperature using hydrogen halide gas, and then b) deposit a composite material layer composed of graphite and silicon carbide by chemical vapor deposition. During deposition, the concentration of methane (CH 4 ), which is a precursor of graphite substrate, is gradually reduced, while the concentration of methyllichlorosilane (CH 3 SiCl 3 ), which is a precursor of silicon carbide, is gradually increased to increase the concentration of silicon carbide in the composite material layer. Is deposited so that the content of is gradually increased from the graphite substrate to the surface, and then c) again depositing silicon carbide by chemical vapor deposition on the surface of the composite material layer. Can be achieved by
이하, 본 발명의 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구의 제조 방법을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method of the silicon carbide coated graphite jig for semiconductor wafer processing of this invention is demonstrated in detail.
먼저, 원하는 형상으로 가공된 흑연 기재의 고순도화 공정은 1250℃ 이상의 온도에서 할로겐화수소 기체, 바람직하게는 HCl 기체를 사용하는 열처리에 의하여 행한다.First, the high purity process of the graphite substrate processed into the desired shape is performed by the heat processing using hydrogen halide gas, preferably HCl gas at the temperature of 1250 degreeC or more.
이어서, 흑연 기재 상에 흑연 및 탄화규소로 이루어진 복합 재료층을 화학증착법으로 증착시킨다. 이때, 이 복합 재료층의 두께는 흑연 기재 상에 피복되는 전체 피복층 두께의 25 내지 75% 정도가 되도록 한다. 바람직하게는, 복합재료층의 두께는 약 17 내지 900㎛이다. 화학 증착 공정은 1050 내지 1500℃이 온도 및 10 내지 360 Torr의 압력에서 행한다.Subsequently, a composite material layer composed of graphite and silicon carbide is deposited on the graphite substrate by chemical vapor deposition. At this time, the thickness of the composite material layer is about 25 to 75% of the total thickness of the coating layer coated on the graphite substrate. Preferably, the thickness of the composite material layer is about 17-900 μm. The chemical vapor deposition process is carried out at a temperature of 1050 to 1500 ° C. and a pressure of 10 to 360 Torr.
공급 기체의 조성은 CH42 내지 24%, CH3SiCl32 내지 13% 및 H245 내지 90%로 하되, 증착 초기에는 CH4의 농도를 20% 이상, 그리고 CH3SiCl3의 농도를 4% 이하로 하여 증착되는 복합 재료 중의 흑연 함량이 80% 이상이 되도록 하고, 증착이 진행됨에 따라 점차적으로 CH4의 농도는 낮추고 CH3SiCl3의 농도는 12% 이상이 되도록 하여 증착되는 복합 재료 중의 탄화규소 함량이 80% 이상으로 되도록 하는 것이 좋다.The composition of the feed gas is CH 4 2 to 24%, CH 3 SiCl 3 2 to 13% and H 2 45 to 90%, the initial concentration of CH 4 to 20% or more, and the concentration of CH 3 SiCl 3 The composite material deposited to 4% or less so that the graphite content in the deposited composite material is 80% or more, and as the deposition proceeds, the concentration of CH 4 is gradually lowered and the concentration of CH 3 SiCl 3 is 12% or more. It is good to make the silicon carbide content in 80% or more.
전술한 바와 같이, 탄화규소의 함량이 점진적으로 증가하도록 증착된 복합 재료층 상에 다시 탄화규소층을 화학 증착법으로 증착시킨다. 이 때, 탄화규소 피복층의 두께는 50 내지 300㎛ 정도로 하는 것이 좋다. 화학 증착 공정은 1050 내지 1500℃의 온도 및 10 내지 360Torr의 압력에서 행하며, 공급 기체의 조성은 CH3SiCl35 내지 15% 및 H285 내지 95%로 한다.As described above, the silicon carbide layer is again deposited by chemical vapor deposition on the deposited composite material layer so that the content of silicon carbide gradually increases. At this time, the thickness of the silicon carbide coating layer is preferably about 50 to 300 m. The chemical vapor deposition process is carried out at a temperature of 1050 to 1500 ° C. and a pressure of 10 to 360 Torr, and the composition of the feed gas is 5 to 15% of CH 3 SiCl 3 and 85 to 95% of H 2 .
상기 방법에 따라 제조된 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구는 흑연 기재와 탄화규소 피복층 사이에, 흑연 기재로부터 탄화규소층에 이르기까지 탄화규소의 함량이 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 흑연과 탄화규소와의 복합재료층이 있어 흑연 기재로부터 탄화규소층에 이르기까지 열팽창 계수가 점진적으로 변화하게 되므로 급열 및 급냉의 사용 조건에서 장기간 사용하여도 피복층의 박리 및 균열이 발생하지 않아 우수한 열충격 내성을 나타낸다.The silicon carbide coated graphite jig for semiconductor wafer processing according to the above method has a graphite and silicon carbide having a gradient in which the content of silicon carbide gradually increases between the graphite substrate and the silicon carbide coating layer, from the graphite substrate to the silicon carbide layer. Since the thermal expansion coefficient gradually changes from the graphite substrate to the silicon carbide layer due to the composite material layer of, it shows excellent thermal shock resistance because no peeling and cracking of the coating layer occurs even when used for a long time under the conditions of rapid quenching and quenching.
이하, 본 발명을 실시예에 의하여 구체적으로 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 예시의 목적으로 제공된 것으로서, 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.Hereinafter, an Example demonstrates this invention concretely. However, these examples are provided for the purpose of illustration and are not intended to limit the scope of the invention.
실시예Example
실시예 3인치 웨이퍼 8장을 처리할 수 있는 팬케이크 형상으로 가공된 흑연 기재를 1400℃의 온도에서 HCl 기체를 사용하여 고순도화시킨 후, 흑연 및 탄화규소로 이루어진 복합 재료를 두께가 80㎛가 되도록 1150℃의 온도 및 15Torr의 압력에서 화학 증착법으로 증착시켰다. 이 때, 공급 기체의 조성은 하기 표 1에 나타낸 조성 1로부터 조성 12까지 순차적으로 변화시키되, 각 조성에서 20분씩 증착시켜 총 240분간 증착시킨다. 이어서, CH3SiCl39% 및 H291%의 공급 기체 조성으로 1150℃의 온도 및 15Torr의 압력에서 300분간 증착시켜 탄화규소층을 두께 100㎛로 피복시켰다. 이에 따라, 흑연 기재와 두께 100㎛이 탄화규소 피복층 사이에, 흑연 기재로부터 탄화규소층에 이르기까지 탄화규소의 함량이 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 두께 80㎛의 흑연과 탄화규소와의 복합 재료층을 갖는 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구를 제조할 수 있었다.Example A graphite substrate processed into a pancake shape capable of processing eight 8-inch wafers was highly purified using HCl gas at a temperature of 1400 ° C., and then a composite material composed of graphite and silicon carbide was 80 μm thick. Deposited by chemical vapor deposition at a temperature of 1150 ℃ and a pressure of 15 Torr. At this time, the composition of the feed gas is sequentially changed from the composition 1 to the composition 12 shown in Table 1 below, it is deposited for 20 minutes in each composition for a total of 240 minutes. Subsequently, the silicon carbide layer was coated to a thickness of 100 탆 by depositing 300 minutes at a temperature of 1150 ° C. and a pressure of 15 Torr with a feed gas composition of 9% CH 3 SiCl 3 and 91% H 2 . Accordingly, the composite material layer of graphite and silicon carbide having a thickness of 80 µm having a gradient of gradually increasing in content of silicon carbide between the graphite substrate and the silicon carbide coating layer, and from the graphite substrate to the silicon carbide layer. Silicon carbide coated graphite jig for semiconductor wafer processing having
상기한 바와 같이 제조된 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구는 급열 및 급냉 조건 하에서 300회 이상 사용하여도 탄화규소 피복층의 균열 및 박리가 발생하지 않았다.The silicon carbide-coated graphite jig for semiconductor wafer processing prepared as described above did not cause cracking or peeling of the silicon carbide coating layer even when used more than 300 times under rapid and quenching conditions.
[표 1]TABLE 1
탄화규소-흑연 복합 재료 증착시의 공급 기체 조성Feed gas composition during deposition of silicon carbide-graphite composites
Claims (8)
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|---|
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