KR970003604A - 플라즈마 반응기 - Google Patents

플라즈마 반응기 Download PDF

Info

Publication number
KR970003604A
KR970003604A KR1019960019898A KR19960019898A KR970003604A KR 970003604 A KR970003604 A KR 970003604A KR 1019960019898 A KR1019960019898 A KR 1019960019898A KR 19960019898 A KR19960019898 A KR 19960019898A KR 970003604 A KR970003604 A KR 970003604A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
shape
plasma reactor
vertex
closer
Prior art date
Application number
KR1019960019898A
Other languages
English (en)
Inventor
살리미안 시아마크
엠. 헬러 캐롤
루민 리
Original Assignee
제임스 엠. 윌리암스
배리언 어소시에이츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제임스 엠. 윌리암스, 배리언 어소시에이츠 인코포레이티드 filed Critical 제임스 엠. 윌리암스
Publication of KR970003604A publication Critical patent/KR970003604A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 큰 직경의 기판에서 비균일한 에칭 문제를 감소시키기 위한 전극 설계에 관한 것이다. 플라즈마 반응기에서 에칭되는 기판과 대향되는 전극은 기판 전체의 에칭의 균일도를 제어하도록 테일형이될 수 있다. 이것은 일반적으로 원추형 전극, 일반적으로 피라미드형 전극 및 일반적으로 반구형 전극을 포함하는 다수의 일반적인 돔형 전극 구조로 성취된다. 에칭의 불균일은 적어도 부분적으로 반응기의 중앙에서 이온 밀도의 초과로 인한 것으로 여겨진다. 돔형 전극은 반응기의 중앙에서 기판의 주변쪽을 향하여 고농도의 이온을 분산시키도록 작용하므로써 에칭되는 기판 전체의 이온 밀도 분포를 불균일하게 한다. 이 전극은 이극 플라즈마 반응기, 상극 플라즈마 반응기 및 ICP 플라즈마 반응기에서 사용될 수 있다.

Description

플라즈마 반응기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명을 따른 테일형 차폐를 사용하는 듀얼 주파수 용량적으로 결합되는 삼극 플라즈마 반응기의 개요도.

Claims (37)

  1. 기판을 에칭하는 RF 파워화된 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 기판을 지지하는 제1전극과, 상기 제1전극과 대향되어 배치되며 상기 기판을 가로질러 에칭을 제어하도록 형태화되는 제2전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 RF 파워화된 플라즈마 반응기.
  2. 기판을 에칭하는 RF 파워화된 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 기판을 지지하는 제1전극과, 상기 제1전극과 대향되어 배치되며, 상기 제1전극 및 상기 제2전극간의 플라즈마 이온 밀도를 방사상으로 제어하도록 형태화되는 제2전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 RF 파워화된 플라즈마 반응기.
  3. 기판을 에칭하는 이극형 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 기판을 지지하도록 적응되며, RF 에너지원에 접속되는 제1파워화된 전극과, 상기 제1파워화된 전극으로부터 떨어져 일정 거리에 배치되며, 상기 기판 전체의 에칭 균일도를 제어하도록 선택되는 형태를 갖는 제2접지된 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 이극형 플라즈마 반응기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 원추형인데, 상기 원추형의 꼭지점은 상기 원추형의 베이스보다 상기 제1전극과 가까운 것을 특징으로 하는 이극형 플라즈마 반응기.
  5. 제3항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 피라미드형인데, 상기 피라미드형의 꼭지점은 상기 피라미드형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 이극형 플라즈마 반응기.
  6. 제3항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 반구형인데, 상기 반구형의 꼭지점은 상기 반구형의 베이스보다 상기 제1전극과 가까운 것을 특징으로 하는 이극형 플라즈마 반응기.
  7. 제3항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 절사된 원추형인데, 상기 절사된 원추형의 꼭지점은 상기 절사된 원추형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 이극형 플라즈마 반응기.
  8. 제3항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 절사된 피라미드형인데, 상기 절사된 피라미드형의 꼭지점은 상기 절사된 피라미드형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 이극형 플라즈마 반응기.
  9. 제3항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 절사된 반구형인데, 상기 절사된 반구형의 꼭지점은 상기 절사된 반구형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 이극형 플라즈마 반응기.
  10. 제3항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 접혀진 원추형인데, 상기 접혀진 원추형의 꼭지점은 상기 접혀진 원추형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 이극형 플라즈마 반응기.
  11. 제3항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 접혀진 피라미드형인데, 상기 접혀진 피라미드형의 꼭지점은 상기 접혀진 피라미드형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 이극형 플라즈마 반응기.
  12. 제3항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 접혀진 반구형인데, 상기 접혀진 반구형의 꼭지점은 상기 접혀진 반구형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 이극형 플라즈마 반응기.
  13. 기판을 에칭하는 삼극형 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 기판을 지지하도록 적응되며, RF 에너지원에 접속되는 제1파워화된 전극과, 상기 제1파워화된 전극으로부터 떨어져 일정 거리에 배치되며, 상기 기판 전체의 에칭 균일도를 제어하도록 선택되는 형태를 갖는 제2파워화된 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 삼극형 플라즈마 반응기.
  14. 제13항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 원추형인데, 상기 원추형의 꼭지점은 상기 원추형의 베이스보다 상기 제1전극과 가까운 것을 특징으로 하는 삼극형 플라즈마 반응기.
  15. 제13항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 피라미드형인데, 상기 피라미드형의 꼭지점은 상기 피라미드형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 삼극형 플라즈마 반응기.
  16. 제13항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 반구형인데, 상기 반구형의 꼭지점은 상기 반구형의 베이스보다 상기 제1전극과 가까운 것을 특징으로 하는 삼극형 플라즈마 반응기.
  17. 제13항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 절사된 원추형인데, 상기 절사된 원추형의 꼭지점은 상기 절사된 원추형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 삼극형 플라즈마 반응기.
  18. 제13항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 절사된 피라미드형인데, 상기 절사된 피라미드형의 꼭지점은 상기 절사된 피라미드형의 베이스보다 상기 제1전극과 가까운 것을 특징으로 하는 삼극형 플라즈마 반응기.
  19. 제13항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 절사된 반구형인데, 상기 절사된 반구형의 꼭지점은 상기 절사된 반구형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 삼극형 플라즈마 반응기.
  20. 제13항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 접혀진 원추형인데, 상기 접혀진 원추형의 꼭지점은 상기 접혀진 원추형의 베이스보다 상기 제1전극과 가까운 것을 특징으로 하는 삼극형 플라즈마 반응기.
  21. 제13항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 접혀진 피라미드형인데, 상기 접혀진 피라미드형의 꼭지점은 상기 접혀진 피라미드형의 베이스보다 상기 제1전극과 가까운 것을 특징으로 하는 삼극형 플라즈마 반응기.
  22. 제13항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 접혀진 반구형인데, 상기 접혀진 반구형의 꼭지점은 상기 접혀진 반구형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 삼극형 플라즈마 반응기.
  23. 기판을 에칭하는 유도적으로 결합되는 플라즈마형 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 기판을 지지하도록 적응되며, 상기 RF 에너지원에 접속되는 제1파워화된 전극과, 상기 제1파워화된 전극으로부터 떨어져 일정 거리에 배치되며, 상기 기판 전체의 에칭 균일도를 제어하도록 선택되는 형태를 갖는 제2전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유도 결합된 플라즈마형 플라즈마 반응기.
  24. 제23항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 원추형인데, 상기 원추형의 꼭지점은 상기 원추형의 베이스보다 상기 제1전극과 가까운 것을 특징으로 하는 유도 결합된 플라즈마형 플라즈마 반응기.
  25. 제23항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 피라미드형인데, 상기 피라미드형의 꼭지점은 상기 피라미드형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 유도 결합된 플라즈마형 플라즈마 반응기.
  26. 제23항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 반구형인데, 상기 반구형의 꼭지점은 상기 반구형의 베이스보다 상기 제1전극과 가까운 것을 특징으로 하는 유도 결합된 플라즈마형 플라즈마 반응기.
  27. 제23항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 절사된 원추형인데, 상기 절사된 원추형의 꼭지점은 상기 절사된 원추형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 유도 결합된 플라즈마형 플라즈마 반응기.
  28. 제23항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 절사된 피라미드형인데, 상기 절사된 피라미드형의 꼭지점은 상기 절사된 피라미드형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 유도 결합된 플라즈마형 플라즈마 반응기.
  29. 제23항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 절사된 반구형인데, 상기 절사된 반구형의 꼭지점은 상기 절사된 반구형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 유도 결합된 플라즈마형 플라즈마 반응기.
  30. 제23항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 접혀진 원추형인데, 상기 접혀진 원추형의 꼭지점은 상기 접혀진 원추형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 유도 결합된 플라즈마형 플라즈마 반응기.
  31. 제23항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 접혀진 피라미드형인데, 상기 접혀진 피라미드형의 꼭지점은 상기 접혀진 피라미드형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 유도 결합된 플라즈마형 플라즈마 반응기.
  32. 제23항에 있어서, 상기 형태는 일반적으로 접혀진 반구형인데, 상기 접혀진 반구형의 꼭지점은 상기 접혀진 반구형의 베이스보다 상기 제1전극에 가까운 것을 특징으로 하는 유도 결합된 플라즈마형 플라즈마 반응기.
  33. 기판을 에칭하는 RF 파워화된 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 기판을 지지하는 제1전극과, 상기 제1전극과 대향되어 배치되며, 상기 기판 전체의 에칭 균일도를 제어하는데 도움을 주도록 돔형태를 갖는 제2전극을 구비하는 것을 특징으로하는 RF 파워화된 플라즈마 반응기.
  34. 기판을 에칭하는 RF 파워화된 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 기판을 지지하는 제1전극과, 상기 제1전극과 대향되어 배치되며, 상기 제1전극 및 제2전극간의 플라즈마 이온 밀도를 방사상으로 제어하는데 도움을 주도록 돔 형태를 갖는 제2전극을 구비하는 것을 특징으로하는 RF 파워화된 플라즈마 반응기.
  35. 기판을 에칭하는 이극형 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 기판을 지지하도록 적응되며, RF 에너지원에 접속되는 제1파워화된 전극과, 상기 제1파워화된 전극으로부터 떨어져 일정 거리에 배치되며, 돔형을 갖는 제2접지된 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 이극형 플라즈마 반응기.
  36. 기판을 에칭하는 삼극형 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 기판을 지지하도록 적응되며, 상기 RF 에너지원에 접속되는 제1파워화된 전극과, 상기 제1파워화된 전극으로부터 떨어져 일정 거리에 배치되며, RF 에너지원에 접속되고 돔형을 갖는 제2파워화된 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 삼극형 플라즈마 반응기.
  37. 기판을 에칭하는 유도적으로 결합되는 플라즈마형 플라즈마 반응기에 있어서, 상기 기판을 지지하도록 적응되며, RF 에너지원에 접속되는 제1파워화된 전극과, 상기 제1파워화된 전극으로부터 떨어져 일정 거리에 배치되고 돔형을 갖는 제2전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유도 결합된 플라즈마 반응기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960019898A 1995-06-07 1996-06-05 플라즈마 반응기 KR970003604A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US476,966 1995-06-07
US08/476,966 US5716485A (en) 1995-06-07 1995-06-07 Electrode designs for controlling uniformity profiles in plasma processing reactors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970003604A true KR970003604A (ko) 1997-01-28

Family

ID=23893955

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960019898A KR970003604A (ko) 1995-06-07 1996-06-05 플라즈마 반응기

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5716485A (ko)
EP (1) EP0747928A1 (ko)
JP (1) JPH09162178A (ko)
KR (1) KR970003604A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100513442B1 (ko) * 1999-06-15 2005-09-07 삼성전자주식회사 유도 결합 플라즈마 식각 장치

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW326551B (en) * 1997-07-11 1998-02-11 Holtek Microelectronics Inc The manufacturing method for Ti-salicide in IC
DE19734278C1 (de) * 1997-08-07 1999-02-25 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum anisotropen Ätzen von Substraten
US6080287A (en) * 1998-05-06 2000-06-27 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
KR100316074B1 (ko) * 1999-06-01 2001-12-28 구본준, 론 위라하디락사 플라즈마 반응기의 전극 구조
US6123775A (en) * 1999-06-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Reaction chamber component having improved temperature uniformity
US6415736B1 (en) 1999-06-30 2002-07-09 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6245192B1 (en) 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6143144A (en) * 1999-07-30 2000-11-07 Tokyo Electronlimited Method for etch rate enhancement by background oxygen control in a soft etch system
US6451157B1 (en) 1999-09-23 2002-09-17 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
KR20010063770A (ko) * 1999-12-24 2001-07-09 황 철 주 플라즈마를 이용하는 반도체소자 제조장치 및 이 장치를이용한 박막형성방법
US6363882B1 (en) 1999-12-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Lower electrode design for higher uniformity
JP3485896B2 (ja) 2000-07-11 2004-01-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6391787B1 (en) * 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
JP4847009B2 (ja) 2002-05-23 2011-12-28 ラム リサーチ コーポレーション 半導体処理プラズマ反応器用の多部品電極および多部品電極の一部を取り換える方法
US7547635B2 (en) * 2002-06-14 2009-06-16 Lam Research Corporation Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics
US20050011447A1 (en) * 2003-07-14 2005-01-20 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for delivering process gas to a process chamber
US7405521B2 (en) * 2003-08-22 2008-07-29 Lam Research Corporation Multiple frequency plasma processor method and apparatus
US7144521B2 (en) * 2003-08-22 2006-12-05 Lam Research Corporation High aspect ratio etch using modulation of RF powers of various frequencies
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US7552521B2 (en) * 2004-12-08 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved baffle plate
US7601242B2 (en) * 2005-01-11 2009-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system
CA2595230C (en) * 2005-03-11 2016-05-03 Perkinelmer, Inc. Plasmas and methods of using them
US20060225654A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Fink Steven T Disposable plasma reactor materials and methods
US8382941B2 (en) 2008-09-15 2013-02-26 Micron Technology, Inc. Plasma reactor with adjustable plasma electrodes and associated methods
GB201211922D0 (en) * 2012-07-04 2012-08-15 Spts Technologies Ltd A method of etching
CN104871297B (zh) * 2012-09-27 2017-07-18 Spp科技股份有限公司 等离子蚀刻装置
JP2023043720A (ja) * 2021-09-16 2023-03-29 キオクシア株式会社 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1595037A (ko) * 1968-02-12 1970-06-08
US3562142A (en) * 1968-10-30 1971-02-09 Varian Associates R.f.sputter plating method and apparatus employing control of ion and electron bombardment of the plating
JPS5512733A (en) * 1978-07-14 1980-01-29 Anelva Corp Dry process etching device
US4297162A (en) * 1979-10-17 1981-10-27 Texas Instruments Incorporated Plasma etching using improved electrode
US4342901A (en) * 1980-08-11 1982-08-03 Eaton Corporation Plasma etching electrode
US4534816A (en) * 1984-06-22 1985-08-13 International Business Machines Corporation Single wafer plasma etch reactor
US5122431A (en) * 1988-09-14 1992-06-16 Fujitsu Limited Thin film formation apparatus
GB2261396B (en) * 1991-11-13 1995-02-08 Leybold Ag A device for large-area ion etching
CH686254A5 (de) * 1992-07-27 1996-02-15 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Einstellung der Bearbeitungsratenverteilung sowie Aetz- oder Plasma-CVD-Anlage zu dessen Ausfuehrung.
US5346578A (en) * 1992-11-04 1994-09-13 Novellus Systems, Inc. Induction plasma source
US5391281A (en) * 1993-04-09 1995-02-21 Materials Research Corp. Plasma shaping plug for control of sputter etching
US5522934A (en) * 1994-04-26 1996-06-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100513442B1 (ko) * 1999-06-15 2005-09-07 삼성전자주식회사 유도 결합 플라즈마 식각 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US5716485A (en) 1998-02-10
EP0747928A1 (en) 1996-12-11
JPH09162178A (ja) 1997-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970003604A (ko) 플라즈마 반응기
US6016131A (en) Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops
KR960002626A (ko) 플라즈마 점화를 향상시키기 위한 전극을 가지는 유도 결합된 플라즈마 반응로
US4342901A (en) Plasma etching electrode
KR970077318A (ko) 오버헤드 솔레노이드 안테나를 가지는 유도 결합된 rf 플라즈마 반응기
KR970009479A (ko) 전하 가변 농도 분포를 가진 플라즈마 공급원
IL136874A0 (en) Improved focus rings and methods therefor
WO2002025695A3 (en) Tunable focus ring for plasma processing
US4496423A (en) Gas feed for reactive ion etch system
WO2003103004A3 (en) A cathode pedestal for a plasma etch reactor
KR980012070A (ko) 유도 플라즈마 생성원에 대한 플라즈마 균일성 제어
KR20070010628A (ko) 다중 안테나 코일군이 구비된 유도결합 플라즈마 반응장치
JPH09115893A (ja) プログラミングされた反応物ガスの散布を有するプラズマリアクタ
US4954201A (en) Apparatus for etching substrates with a luminous discharge
TW370701B (en) Monopolar electrostatic chuck having an electrode in contact with a workpiece
KR100881882B1 (ko) 진공 플라즈마 프로세서 및 코일
KR100455951B1 (ko) 하이브리드도체및다중반경돔실링을갖는rf플라즈마반응기
JPH07122397A (ja) プラズマ処理装置
US3859552A (en) Electron beam generator for transit-time electron discharge tubes
JP4499323B2 (ja) 電磁界供給装置およびプラズマ処理装置
US20040084422A1 (en) Plasma source
JP2816849B2 (ja) 静電偏向器
KR200183543Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 식각장치
KR20010002501A (ko) 유도 결합 플라즈마 식각 장치
KR20120006658A (ko) 축전 결합 플라즈마 발생 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application