KR960036102A - 씨씨디용 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR960036102A
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Abstract

본 발명은 쌍봉(twin hill)형의 렌즈유도층을 갖는 씨씨디(CCD)용 이미지 센서 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명의 씨씨디(CCD)용 이미지 센서는 요철을 갖는 반도체기판에 형성된 광전변환부와 상기 결과물전면에 형성된 평탄화층, 상기 평탄화층 전면에 각각 복수개로 서로 층층이 형성된 칼라필터 및 중간층, 상기 중간층상에 형성된 보호층, 상기 보호층상에 형성된 렌즈유도층 및 상기 렌즈유도층 사이에 형성된 마이크로렌즈를 구비한다.
본 발명에 의하여 소정의 곡률을 갖는 쌍봉(twin hill)형의 렌즈유도층을 이용함으로써 마이크로렌즈를 쉽게 형성할 수있고, 상기 쌍봉의 곡률을 이용하여 마이크로렌즈를 소정의 곡률반경을 갖는 볼록렌즈로 형성할 수있으며 , 또한 렌즈를 균일하게 형성할 수 있다. 따라서 F값의 변화에 따른 촛점의 불일치에 의한 감도의 저하, 감도불균일 및 이미지의 불명료함을 제거한다.

Description

씨씨디용 이미지 센서 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3F도는 본 발명을 이용한 씨씨디(CCD)용 이미지센서 및 그 제조방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.

Claims (10)

  1. 반도체기판;상기 반도체기판상에 형성된 "요철부", 상기 "요부" 에 형성된 광 다이오드;상기 "철부" 에 형성된 차광막; 상기 차광막상에 형성된 보호막; 상기 "요부" 를 매립하면서 상기 반도체 기판 전면에 형성된 투명층;상기 투명층상에 상기 광 다이오드와 대응하고 서로 중첩되지 않으면서 층을 달리하여 형성된 3개의 칼라필터와 칼라필터사이에 형성된 3개의 중간층;상기 마지막으로 형성된 중간층전명에 형성된 보호층;상기 보호층상에 있고 상기 광 다이오드사이에 형성된 렌즈유도층;및 상기 렌즈유도층 사이에 형성된 마이크로렌즈를 구비하는 것을 특징으로 하는 씨씨디(CCD)용 이미지 센서
  2. 제1항에 있어서, 상기 개개의 렌즈유도층은 소정의 곡률을 갖는 쌍봉(twin hill)형으로 형성된 것을 트징으로 씨씨디(CCD)용 이미지 센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 마이크로렌즈는 상기 렌즈유도층을 이용하여 형성된 양면이 볼록한 렌즈인 것을 특징으로 하는 씨씨디(CCD)용 이미지 센서
  4. 제1항에 있어서, 상기 렌즈유도층은 상기 마이크로렌즈 보다 작은 RI를 갖는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 씨씨디(CCD)용 이미지 센서
  5. 제1항에 있어서, 상기 보호층은 상기 마이크로렌즈보다 RI가 낮은 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 씨씨디(CCD)용 이미지 센서
  6. 반도체기판상에 "요철부"을 형성하는 단계;상기 "요부"에 광 다이오드를 형성하는 단계;상기 "철부"에 차광막을 형성하는 단계;상기 차광막상에 보호막을 형성하는 단계;상기 "요부"를 매립하면서 반도체기판 투명층을 형성하는 단계;상기 투명층상에 상기 광 다이오드에 대응하고 서로 중첩되지 않으면서 층을 달리하여 3개의 칼라필터와 이 칼라필터 사이에 3개의 중간층을 형성하는 단계;상기 중간층상에 보호층을 형성하는 단계;상기 보호층상의 상기 광 다이오드사이의 영역에 렌즈유도층을 형성하는 단계;및 상기 렌즈유도층 사이에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 것을 것을 특징으로 하는 씨씨디(CCD)용 이미지 센서 제조방법
  7. 제6항에 있어서 상기 렌즈유도층은 소정의 곡률을 갖는 쌍봉 (twin hill)형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 씨씨디(CCD)용 이미지 센서 제조방법
  8. 제6항에 있어서, 상기 마이크로렌즈는 상기 렌즈유도층의 곡률을 이용하여 양면이 블록한 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨씨디(CCD)용 이미지 센서 제조방법
  9. 제6항에 있어서, 상기 마이크로렌즈의 RI가 렌즈유도층의 RI보다 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 씨씨디(CCD)용 이미지 센서 제조방법
  10. 제6항에 있어서, 상기 보호층의 RI를 마이크로렌즈의 RI보다 적게 형성하는 것을 특징으로 하는 씨씨디(CCD)용 이미지 센서 제조방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR20020058580A (ko) * 2000-12-30 2002-07-12 박종섭 포토다이오드 표면적을 증가시킬 수 있는 이미지 센서 및그 제조 방법
KR100553672B1 (ko) * 1998-09-21 2006-09-20 삼성전자주식회사 고체 컬러 이미지 소자의 제조 방법
KR100672678B1 (ko) * 2004-12-30 2007-01-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100553672B1 (ko) * 1998-09-21 2006-09-20 삼성전자주식회사 고체 컬러 이미지 소자의 제조 방법
KR20020058580A (ko) * 2000-12-30 2002-07-12 박종섭 포토다이오드 표면적을 증가시킬 수 있는 이미지 센서 및그 제조 방법
KR100672678B1 (ko) * 2004-12-30 2007-01-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법

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