Claims (4)
반도체소자의 소자분리산화막 형성방법에 있어서, P-WELL, N-WELL이 형성된 반도체기판상부에 산화막과 질화막을 적층하는 단계와, P-WELL 상부에 소자분리영역이 노출되는 제1감광막패턴을 형성하는 단계와, N 채널 스톱 임플란트를 노출된 상기 P-WELL로 주입하는 단계와, 노출된 질화막과 산화막을 식각하여 P-WELL 상부에 소자분리마스크용 질화막과 산화막의 패턴을 형성하고, 상기 제1감광막패턴을 제거하는 단계와, N-WELL 상부에 소자분리영역이 노출되는 제2감광막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 질화막과 산화막을 식각하여 N-WELL 상부에 소자분리마스크용 질화막과 산화막의 패턴을 형성하고 상기 제2감광막패턴을 제거하는 단계와, 노출된 P-WELL과 N-WELL 상부에 소자분리산화막을 성장시키는 동시에 고, 소자분리산화막 하부에 채널 스톱 임플란트 확산영역을 형성하는 단계와, 남아 있는 질화막과 산화막 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 채널 스톱 임플란트 확산영역이 액티브 영역으로 침투되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 소자분리산화막 형성방법.A method of forming a device isolation oxide film of a semiconductor device, comprising: depositing an oxide film and a nitride film on a semiconductor substrate on which P-WELL and N-WELL are formed, and forming a first photoresist pattern on which the device isolation region is exposed on the P-WELL. And implanting an N-channel stop implant into the exposed P-WELL, etching the exposed nitride film and the oxide film to form a pattern of the nitride film and the oxide film for the device isolation mask on the P-WELL. Removing the photoresist pattern, forming a second photoresist pattern on which the device isolation region is exposed on the N-WELL, and etching the exposed nitride film and the oxide film on the N-WELL to form the nitride film and the oxide film for the device isolation mask. Forming a pattern and removing the second photoresist pattern; and growing a device isolation oxide film on the exposed P-WELL and N-WELL and simultaneously spreading a channel stop implant under the device isolation oxide film. Forming reverse and left element isolating oxide film forming method characterized in that a nitride film and an oxide film pattern steps, a channel stop implant region comprises a diffusion of removing not to penetrate into the active region with.
제1항에 있어서, 상기 제1감광막패턴을 형성한 다음, P 채널 스톱 임플란트를 주입하는 것을 포함하는 소자분리산화막 형성방법.The method of claim 1, further comprising forming a first photoresist pattern and then implanting a P-channel stop implant.
제1항에 있어서, 상기 제1감광막패턴을 형성한 다음, 노출되는 질화막은 제1감광막패턴의 폭보다 넓게 형성하는 것을 특징으로 하는 소자분리산화막 형성방법.The method of claim 1, wherein after the first photoresist pattern is formed, the exposed nitride layer is formed to be wider than a width of the first photoresist pattern.
제1항에 있어서, 상기 N 채널 스톱 임플란트를 보론(B)으로 100~150KeV의 에너지로 주입하는 것을 특징으로 하는 소자분리산화막 형성방법.The method of claim 1, wherein the N-channel stop implant is implanted with boron (B) at an energy of 100 to 150 KeV.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.