Claims (9)
반도체 소자의 콘택홀을 형성함에 있어서, 콘택홀 영역이 형성될 부분에 가상의 전하 저장 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 1, wherein a virtual charge storage electrode is formed at a portion where a contact hole region is to be formed.
제1항에 있어서, 상기 콘택홀 영역이 형성될 부분에 가상의 전하 저장 전극을 형성하는 공정은, 반도체 기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 절연막을 도포하는 단계와, 가상의 콘택 영역의 절연막을 제거한 후, 도전물질을 도포하는 단계와, 상기의 도전 물질을 식각하여 전하 저장 전극과 가상의 콘택영역에 가상의 전하 저장 전극을 제조하는 단계와, 전하 저장 전극 상부에 유전체막 도포 후 플레이트 전극을 제조하여 캐패시터를 제조하는 단계와, 절연막을 도포하는 단계 및 콘택홀 마스크를 제조하여 식각하는 단계로 이루어진 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 1, wherein the forming of the virtual charge storage electrode in the portion where the contact hole region is to be formed comprises: forming a gate electrode on the semiconductor substrate, applying an insulating film, and forming a virtual contact region. After removing the insulating film, applying a conductive material, etching the conductive material to produce a virtual charge storage electrode in the charge storage electrode and the virtual contact region, and applying a dielectric film on the charge storage electrode and then plate A method of forming a contact hole in a semiconductor device comprising the steps of manufacturing an electrode to produce a capacitor, applying an insulating film, and manufacturing and etching a contact hole mask.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가상의 전하 저장 전극의 크기는 콘택홀 마스크의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 1, wherein the size of the virtual charge storage electrode is larger than that of the contact hole mask.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전하 저장 전극과 가상 전하 저장 전극 및 플레이트 전극은 폴리 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.3. The method of claim 1, wherein the charge storage electrode, the virtual charge storage electrode, and the plate electrode are formed of polysilicon. 4.
제3항에 있어서, 상기 전하 저장 전극과 가상 전하 저장 전극 및 플레이트 전극은 폴리 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 3, wherein the charge storage electrode, the virtual charge storage electrode, and the plate electrode are made of polysilicon.
제2항에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하기 위한 식각단계에서 하부의 전하 저장 전극이 노출될 때까지 상부의 절연막을 한 번에 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.3. The method of claim 2, wherein in the etching step of forming the contact hole, the upper insulating layer is etched at once until the lower charge storage electrode is exposed.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가상의 전하 저장 전극은 기판과 금속의 접촉부인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 1, wherein the virtual charge storage electrode is a contact portion between a substrate and a metal.
제3항에 있어서, 상기 가상의 전하 저장 전극은 기판과 금속의 접촉부인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 3, wherein the virtual charge storage electrode is a contact portion between a substrate and a metal.
제4항에 있어서, 상기 가상의 전하 저장 전극은 기판과 금속의 접촉부인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 4, wherein the virtual charge storage electrode is a contact portion between a substrate and a metal.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.